Zaets W. | 電総研
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概要
関連著者
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Zaets W.
電総研
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秋本 良一
電子技術総合研究所
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安藤 功兒
電総研
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安藤 功兒
電子技術総合研究所
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秋本 良一
電総研
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田中 雅明
東大工
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斎藤 秀和
産総研
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安藤 功兒
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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ZAETS Wadim
電子技術総合研究所
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Zaets W
電子技術総合研究所
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十倉 好紀
JRCAT
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安藤 功兒
産業技術総合研究所
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鈴木 義茂
電総研
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湯浅 新治
電総研
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葛西 昌弘
JRCAT
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守友 浩
JRCAT
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横山 侑子
電総研
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田上 尚男
電総研
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葛西 昌弘
東大工
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鈴木 義茂
JRCAT
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斎藤 秀和
電総研
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斎藤 秀和
電子技術総合研究所
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三島 善行
東大工
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平野 敬祥
明大理工
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鈴木 義茂
大阪大 大学院
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安藤 功兒
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
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十倉 好紀
JRCAT-NAIR
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安藤 功見
電総研
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Solovyev I.
JRCAT-ATPB
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守友 浩
JRCAT-ATPB
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鈴木 義茂
JRCAT-NAIR
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葛西 昌弘
JRCAT-ATPB
著作論文
- 28aTB-6 新III-V 族希薄磁性半導体Ga_Cr_xAsの伝導特性
- 23pSB-12 III-V族新希薄磁性半導体(Ga,Cr)Asの磁気的性質
- 22aK-6 (Ga,Mn)AsのΛ点における磁気光学スペクトル
- 22aK-3 Crイオンを含むIII-V族希薄磁性半導体(Ga,Cr)Asの合成と評価
- 希薄磁性半導体の光スピン機能の応用 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (光-スピン(半導体とスピン))
- 遷移金属イオンを含むGaAsの合成と評価 -III-V族新希薄磁性半導体の合成の試み-
- 1p-pSA-43 SrRuO_3およびLaMnO_3の磁気光学効果(1pPSA 磁性(理論,アモルファス,測定手段,遷移金属合金・化合物),磁性)