安藤 功兒 | 産業技術総合研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
安藤 功兒
産業技術総合研究所
-
安藤 功兒
産業技術総合研
-
湯浅 新治
電総研
-
安藤 功兒
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
齋藤 秀和
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
湯浅 新治
産総研
-
久保田 均
産業技術総合研究所
-
湯浅 新治
産業技術総合研究所
-
久保田 均
産業技術総合研
-
福島 章雄
産総研
-
久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
-
湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
-
鈴木 義茂
大阪大 大学院
-
久保田 均
産総研
-
鈴木 義茂
電総研
-
福島 章雄
産業技術総合研究所
-
薬師寺 啓
産業技術総合研究所
-
山形 伸二
東邦大学
-
安藤 功兒
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
薬師寺 啓
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
長浜 太郎
産総研
-
Zayets V
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
-
Zayets V.
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
Zayets Vadym
Nanoelectronics Research Institute Aist
-
久保田 均
AISTナノスピントロニクス研究センター
-
前原 大樹
キャノンアネルバ
-
恒川 孝二
キャノンアネルバ
-
前原 大樹
キヤノンアネルバ株式会社
-
恒川 孝二
キヤノンアネルバ株式会社
-
ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
-
安藤 功兒
電総研
-
ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
-
ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
-
前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
渡辺 直樹
キャノンアネルバ
-
渡辺 直樹
キヤノンアネルバ株式会社
-
湯浅 新治
産総研エレクトロニクス
-
長濱 太郎
産総研
-
安藤 功兒
産総研エレクトロニクス
-
斎藤 秀和
産総研
-
湯浅 新治
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
湯浅 新治
産総研エレ
-
永峰 佳紀
キャノンアネルバ
-
ジャヤプラウィラ ダビッド
キヤノンアネルバ株式会社
-
大谷 裕一
産業技術総合研究所
-
安藤 功兒
産総研
-
鈴木 義茂
産総研
-
田村 英一
JRCAT融合研
-
片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
長浜 太郎
産総研エレクトロニクス
-
鈴木 義茂
産総研エレクトロニクス
-
Agarwal K.
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
Zayets Vadym
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
-
田村 英一
産経研
-
田村 英一
Jrcat
-
安藤 功兒
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
-
関 貴之
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
福島 章雄
AISTナノスピントロニクス研究センター
-
新庄 輝也
京大化研
-
齋藤 秀和
産総研
-
白石 誠司
阪大院基礎工
-
鈴木 義茂
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
永峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
-
鈴木 義茂
阪大基礎工
-
久保田 均
産総研エレクトロニクス
-
福島 章雄
産総研エレクトロニクス
-
長峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
-
水口 将輝
阪大院基礎工
-
岡田 英里子
キヤノンアネルバ株式会社
-
長井 基将
キヤノンアネルバ株式会社
-
鈴木 義茂
産業技術総合研究所
-
湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
高梨 弘毅
東北大学金属材料研究所
-
久保田 均
独立行政法人産業技術総合研究所,エレクトロニクス研究部門
-
長浜 太郎
産業技術総合研究所
-
大石 恵
阪大基礎工
-
川越 毅
大阪教育大
-
片山 利一
東邦大薬
-
大石 恵
阪大院基礎工
-
ダビッド ジャヤプラウィラ
キヤノンアネルバ
-
水口 将輝
東北大金研
-
田中 雅明
東大工
-
水口 将輝
東北大学金属材料研究所
-
小野 輝男
慶大理工
-
佐藤 俊彦
Jrcat
-
川越 毅
Jrcat-atp
-
川越 毅
Jrcat
-
山本 淳
産業技術総合研究所
-
横山 侑子
電総研
-
品川 公成
東邦大
-
白石 誠司
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
鈴木 義茂
大阪大学基礎工
-
長浜 太郎
JRCAT-融合研
-
斎藤 秀和
電総研
-
薬師寺 啓
産総研エレクトロニクス
-
秋本 良一
電子技術総合研究所
-
バジム ザエツ
キエフ大学
-
Zaets W.
電総研
-
秋本 良一
電総研
-
横山 侑子
産総研エレクトロニクス
-
ザエツ バジム
キエフ大学
-
山本 明日香
東邦大学
-
重藤 訓志
京大化研
-
Gogol P.
CNRS-パリ南大
-
Miltat J.
CNRS-パリ南大
-
Thiaville A.
CNRS-パリ南大
-
山本 淳
産業技術総合研
-
関 貴之
産業技術総合研究所
-
田村 英一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
長浜 太郎
AISTナノエレクトロニクス(科技団科学技術特別研究員)
-
湯浅 新治
AISTナノエレクトロニクス(科技団科学技術特別研究員)
-
鈴木 義茂
AISTナノエレクトロニクス(科技団科学技術特別研究員)
-
安藤 功兒
AISTナノエレクトロニクス(科技団科学技術特別研究員)
-
齋藤 秀和
科学技術振興機構さきがけ
-
品川 公成
東邦大学理学部
-
長浜 太郎
京大化研
-
DEBNATH Mukul
JSPSフェロー
-
山形 伸二
東邦大学理学部
-
斎藤 秀和
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
Zayets Vadim
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
ZAETS W.
産総研
-
長浜 太郎
産総研エレクトロニクス部門
-
品川 公成
東邦大 理
-
品川 公成
東邦大学 理学部
-
重藤 訓志
理研
-
安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所
-
福島 章雄
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
杉原 敦
産業技術総合研究所
-
鈴木 義茂
大阪大学:産総研:CREST-JST
-
長浜 太郎
Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University
-
鈴木 義茂
大阪大学
著作論文
- MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
- 極薄Mg層を挿入したMgO障壁層を用いた磁気トンネル接合に関する評価
- MgOバリアを用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転
- スピトルクダイオードと負性抵抗効果
- L1_0型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性
- 23aE-11 トンネル磁気抵抗効果のバイアス依存性と温度依存性
- 23pWL-13 トンネル磁気抵抗素子に加わるスピントルクのバイアス電圧依存性(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aTB-6 新III-V 族希薄磁性半導体Ga_Cr_xAsの伝導特性
- 23pE-9 微細加工された強磁性細線の偏光顕微鏡による観察
- スピンダイス : 磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器
- 4E-1 スピン注入磁化反転を用いた乱数発生器(セキュリティ(1),一般セッション,セキュリティ)
- TMRの量子サイズ効果とその応用(共鳴トンネルトランジスタに向けて)
- 18pWA-4 スピン偏極量子井戸準位へのトンネル電子の注入
- 強磁性トンネル接合のTMR効果と量子サイズ効果
- 29pYB-3 超薄バリア層のトンネル磁気抵抗効果
- 金属/絶縁体/半導体(MIS)磁気トンネルダイオードにおけるスピン依存伝導
- 金属/絶縁体/半導体(MIS)磁気トンネルダイオードの作製とスピン依存伝導特性 : スピン・トンネルトランジスタの実現を目指して
- GaMnAs系MTJにおけるスピン依存伝導特性
- MCD分光法で探る強磁性半導体の電子構造
- エピタキシャル(Zn, Cr)Te/GaAs/(Ga, Mn)As三層構造の磁気的性質
- 希薄磁性半導体 : 新材料開発と課題
- 室温で強磁性を示す希薄磁性半導体(Zn,Cr)Te
- 希薄磁性半導体(Zn, Cr)Teにおける巨大磁気抵抗効果
- 希薄磁性半導体(Zn, Cr)Teの磁気的性質に及ぼすZn/Te供給比の影響
- 希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの強磁性特性(磁性体物理)
- 高濃度Crドープ希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの強磁性特性
- II-VI族希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeにおける強磁性の発現
- Cu-Ni/Ru素子におけるペルチェ効果に対するCu-Ni膜厚の影響
- スピンを用いた物理乱数発生器「スピンダイス」