白石 誠司 | 大阪大学大学院基礎工学研究科
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概要
関連著者
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白石 誠司
大阪大学大学院基礎工学研究科
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白石 誠司
阪大院基礎工
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鈴木 義茂
大阪大 大学院
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鈴木 義茂
電総研
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新庄 輝也
京大 化研
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Shinjo Teruya
Chemical Research Institute Kyoto University
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Shigematsu Toshihiko
Institute For Chemical Research Kyoto University:(present Address)konan University
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新庄 輝也
阪大院基礎工
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鈴木 義茂
阪大院基礎工
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Shibuya T
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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水口 将輝
東北大金研
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水口 将輝
東北大学金属材料研究所
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野崎 隆行
阪大院基礎工:jstさきがけ
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白石 誠司
阪大基礎工
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SHINJO Teruya
Institute for Chemical Research, Kyoto University
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岩佐 義宏
東北大金研
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竹延 大志
東北大金研
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水口 将輝
阪大院基礎工
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野崎 隆行
阪大院基礎工
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太田 健太
阪大院基礎工
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阿多 誠文
産総研
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戸田 順之
大阪大学大学院基礎工学研究科
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戸田 順之
阪大院基礎工
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野内 亮
東北大WPI
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片浦 弘道
産総研ナノテク
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大石 恵
阪大基礎工
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片浦 弘道
産総研ナノテク:crest-jst
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丸山 拓人
阪大院基礎工
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新庄 輝也
大阪大学大学院基礎工学研究科
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斎藤 和広
大阪大学大学院基礎工学研究科
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Kitazawa Hideaki
The Institute Of Physical And Chemical Research
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片浦 弘道
産総研ナノシステム
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岡本 博
東大新領域
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岸田 英夫
東大新領域
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湯浅 新治
産総研
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福島 章雄
産総研
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岩佐 義宏
東大 工
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前川 裕昭
大阪大学大学院基礎工学研究科
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前田 充史
東大新領域
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新庄 輝也
阪大基礎工
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斎藤 和広
阪大院基礎工
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三輪 真嗣
阪大院基礎工
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西岡 真吾
阪大院基礎工
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松本 真二
東大新領域
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白石 誠司
SONY Material Labs.
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阿多 誠文
SONY Material Labs.
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野内 亮
東北大院理
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三輪 真嗣
阪大基礎工
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三輸 真嗣
阪大院基礎工:JST-CREST
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齊藤 英治
東北大学金属材料研究所
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前原 大樹
キャノンアネルバ
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鈴木 義茂
阪大基礎工
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高野 琢
東北大金研
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湯浅 新治
電総研
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前川 裕昭
阪大院基礎工
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村山 祐司
東北大金研
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野内 亮
阪大基礎工
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野崎 隆行
阪大基礎工
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中村 修一
阪大基礎工
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田邊 真一
阪大院基礎工
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前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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塩田 陽一
大阪大学基礎工学研究科:jst Crest
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仕幸 英治
大阪大学大学院基礎工学研究科
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安藤 和也
慶大理工:東北大金研
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安藤 和也
東北大学金属材料研究所
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塩田 陽一
阪大院基礎工
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関剛 斎
阪大院基礎工
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久保田 均
産総研
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永峰 佳紀
キャノンアネルバ
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恒川 孝二
キャノンアネルバ
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鈴木 義茂
大阪大学大学院基礎工学研究科
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前原 大樹
キヤノンアネルバ株式会社
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久保田 均
産業技術総合研究所
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ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
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久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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大石 恵
阪大院基礎工
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齊藤 英治
慶大理工:東北大金研:jstさきがけ
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齊藤 英治
東北大金研:jstさきがけ
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齋藤 英治
東北大金研:jstさきがけ
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下田 英雄
ノースカロライ大
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岩佐 義宏
東北大学金属材料研究所
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草井 悠
阪大基礎工
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
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ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
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越智 章文
阪大基礎工
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斉藤 英治
慶大・理工
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斎藤 英治
東大工
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武部 幸三郎
阪大院基礎工
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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久保田 均
産業技術総合研
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久保 和樹
大阪大学大学院基礎工学研究科
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浜屋 宏平
九州大学大学院システム情報科学研究院
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山田 晋也
九州大学大学院システム情報科学研究院
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安藤 裕一郎
大阪大学大学院基礎工学研究科
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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新庄 輝也
国際高等研
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清水 克哉
阪大極限セ
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岩佐 義宏
東京大学大学院工学系研究科
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松井 広志
東北大院理
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安藤 和也
東北大金研
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齊藤 英治
東北大金研
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渡辺 直樹
キャノンアネルバ
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和田 朋之
阪大院基礎工
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冨田 博之
阪大院基礎工
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山根 健量
阪大院基礎工
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升方 康智
阪大院基礎工
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TULAPURKAR A.
阪大院基礎工
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DJAYAPRAWIRA D.
キャノンアネルバ
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野崎 隆行
大阪大学大学院基礎工学研究科
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永峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
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恒川 孝二
キヤノンアネルバ株式会社
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安藤 功兒
産業技術総合研究所
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村上 真一
阪大院基礎工
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Bisri S.
東北大金研
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佐々木 智生
青学大理工
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葛西 伸哉
京大院化研
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小野 輝男
京大院化研
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キヤノンアネルバ
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安藤 功兒
産総研
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鈴木 義茂
産総研
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岩佐 義宏
東北大学金研
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Zhou O.
ノースカロライナ大
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岩佐 義宏
東北大 金属材料研
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小椋 裕介
阪大院基礎工
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田邉 真一
阪大院基礎工
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竹延 大志
JSTさきがけ
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豊田 直樹
東北大理
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松井 広志
東北大理
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村上 睦明
カネカ
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畑中 大樹
阪大基礎工
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田邊 真一
阪大基礎工
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大石 恵
大阪大学基礎工
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白石 誠司
大阪大学基礎工
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水口 将輝
大阪大学基礎工
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新庄 輝也
大阪大学基礎工
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鈴木 義茂
大阪大学基礎工
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越智 章文
阪大基
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塩田 陽一
大阪大学大学院基礎工学研究科
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Ha S.
Inha University
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You C.-Y.
Inha University
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Roy W.
IMEC
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太田 健太
大阪大学大学院基礎工学研究科
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水口 将輝
大阪大学大学院基礎工学研究科
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野内 亮
阪大院基礎工
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三輸 真嗣
阪大院基礎工
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草井 悠
阪大院基礎工
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田邉 真一
阪大基礎工
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松岡 健太
阪大院基礎工
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水口 将輝
CREST-JST
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白石 誠司
CREST-JST
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鈴木 義茂
CREST-JST
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竹延 大志
東北大 金属材料研
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中村 修一
阪大院基礎工
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深尾 朋寛
阪大基礎工
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下田 英雄
Xintec. Inc.
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Zhou O.
Univ. North Crolina
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秋間 新真
東北大学金研
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Brown S.
テネシー大
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Cao J.
テネシー大
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Musfeldt J.L.
テネシー大
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及川 亨
(株)トーキン 筑波研究所
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Tulapurkar A
阪大院基礎工
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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村上 真一
大阪大学基礎工学研究科
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升方 康智
大阪大学基礎工学部
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冨田 博之
大阪大学基礎工学部
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村上 真一
大阪大学基礎工学研究科:jst Crest
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鈴木 淑男
秋田県産業技術総合研究セ
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佐々木 智生
Tdk株式会社
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野口 潔
Tdk株式会社
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仕幸 英治
阪大基礎工
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亀野 誠
大阪大基礎工
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仕幸 英治
大阪大基礎工
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新庄 輝也
大阪大基礎工
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白石 誠司
大阪大基礎工
-
及川 亨
TDK株式会社
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Zhou O.
ノースカロライ大
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久保田 均
AISTナノスピントロニクス研究センター
-
福島 章雄
AISTナノスピントロニクス研究センター
-
鈴木 淑男
秋田県産業技術センター
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亀野 誠
阪大院基礎工
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小池 真利子
大阪大学大学院基礎工学研究科
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市場 昂基
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
仕幸 英治
大阪市立大学大学院工学研究科
著作論文
- 21pGC-1 FeCo/MgO/Feトンネル接合におけるバイアス電圧誘起磁気異方性変化(21pGC 接合系,スピン起電力,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pGC-2 Au/Fe/Au/MgO構造における垂直磁気異方性とその電圧制御(21pGC 接合系,スピン起電力,領域3(磁性,磁気共鳴))
- MgO-MTJおよびCPP-GMRにおけるスピントルク発振 : 発振の高出力化および高周波化にむけて
- 19aZC-6 スピントルクダイオード効果を用いた電流駆動磁壁共鳴現象の観測(19aZC 薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピトルクダイオードと負性抵抗効果
- 27pYD-3 Co電極を有するルブレン単結晶トランジスタの伝導特性(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22pTA-14 Co電極を持つグラフェン薄膜トランジスタにおける異常な伝達特性(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTA-9 室温におけるグラフェン薄膜へのスピン注入とスピン操作(21pTA 領域7,領域4,領域9合同シンポジウム:グラフェン研究の焦点-新しい挑戦-,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pWB-13 グラフェン薄膜への室温スピン注入における薄膜構造の影響(グラファイト・グラフェン(作成・評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-6 室温でのグラフェン薄膜へのスピン注入観測(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- グラフェンスピントロニクス
- 室温におけるグラフェンへのスピン注入
- 22pTB-15 ルブレン-Coスピン素子における巨大磁気抵抗効果へのコトンネリングの寄与(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pWB-12 新規高品質グラファイトにおけるスピン伝導と物性評価(グラファイト・グラフェン(作成・評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 18pRG-10 強磁性電極を用いた超薄膜グラファイト素子の伝導評価(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 強磁性トンネル接合における電圧誘起磁気異方性変化の電気測定
- 22aQG-3 電圧印加による超薄膜Fe層の磁気異方性制御(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pWK-6 電圧印加によるGaAs(100)/Fe/Au/Feの交換結合変化(24pWK 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pWB-9 ナノチューブのスピントロニクス応用(カーボンナノチューブ研究開発における「ブレークスルー」のために今何が必要か?,シンポジウム,領域7,分子性固体・有機導体)
- 金属・分子材料へのスピン注入
- コプレーナウェーブガイドを用いた強磁性共鳴の高感度測定
- 21pWD-3 Control of magnetic anisotropy and exchange coupling in Fe and Fe/Au/Fe grown on GaAs(100)
- 19aZC-7 GaAs(110)/Fe/Cr/Feの交換結合とダイオード特性(19aZC 薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 有機分子を介したスピン依存伝導の観測
- 23pXH-9 微小磁性体のFMR測定II(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pXH-11 C_-Coナノコンポジット素子におけるスピン依存伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aXH-6 GaAs(110)上のFe/Cr/Fe層間交換相互作用(23aXH 薄膜,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28pSC-9 微小磁性体のFMR測定(28pSC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aYF-4 C_を介した室温におけるスピン依存伝導の観測(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aYF-5 ルブレン/Coグラニュラー膜におけるスピン依存伝導の観測(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aYF-6 Alq_3-Coナノコンポジット素子におけるスピン依存伝導(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aXA-7 ケルビンプローブ法による強磁性体/単層カーボンナノチューブ系における電子構造の検討(II)(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aYN-5 ケルビンプローブ法による強磁性体/単層カーボンナノチュ-ブ系における電子構造の検討(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aTE-10 有機分子ドーピングされた単層カーボンナノチューブFETの動作特性 : 作製ステップごとの評価(30aTE ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pXA-5 極性制御された単層カーボンナノチューブFETの作製と物性評価(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYN-2 液相プロセスで作製した単層カーボンナノチューブFETの特性向上(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYN-7 単層カーボンナノチューブにおける光シュタルク効果(ナノチューブ物性2(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 13aWF-6 Z スキャン法による単層カーボンナノチューブの三次非線形感受率スペクトロスコピー(ナノチューブ光物性, 領域 7)
- 13aWF-5 単層カーボンナノチューブにおける光励起状態の超高速緩和ダイナミクス II(ナノチューブ光物性, 領域 7)
- 13aWF-4 単層カーボンナノチューブにおける光励起状態の超高速緩和ダイナミクス I(ナノチューブ光物性, 領域 7)
- 28aUA-9 高配向単層カーボンナノチューブの遠赤外物性(28aUA ナノチューブ光物性II,領域7(分子性固体・有機導体))
- 13pWH-3 電界効果トランジスタの光物性(FET, 領域 8)
- 13pWH-3 電界効果トランジスタの光物性(FET, 領域 7)
- 29pZP-3 電界効果ドーピングしたナノチューブの光物性(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 領域7「分子性半導体素子の新展開」(第61回年次大会シンポジウムの報告)
- スピントロニクスが拓く化学--電子スピンに注目した新奇分子素子の開発
- 21aXF-3 有機分子/SWNT 化合物の電気輸送特性
- 21aXF-2 有機分子を用いた SWNT の低濃度キャリア数制御
- 29aZB-7 有機分子による SWNT への電荷ドーピング
- 21pGP-5 直流非局所測定法を用いたSiへのスピン注入効果とそのバイアス電流依存性(21pGP スピントロニクス(スピン流・スピン注入・スピン波),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pGP-8 スピンポンピングによるp型Siへの室温スピン注入とスピン輸送(21pGP スピントロニクス(スピン流・スピン注入・スピン波),領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピンポンピングを用いたp型Siへの室温スピン注入とスピン輸送(映像情報機器及び一般)
- スピンポンピングを用いたp型Siへの室温スピン注入とスピン輸送
- 動力学的手法を用いたp型Geへの室温スピン注入(映像情報機器、一般)
- Fe_3Siを用いた動力学的手法による高効率スピン注入の実現(映像・情報ストレージ応用技術,一般)