鈴木 義茂 | 阪大院基礎工

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概要

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関連著者

• 鈴木 義茂

  阪大院基礎工

• 鈴木 義茂

  電総研

• 鈴木 義茂

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門

• 鈴木 義茂

  大阪大 大学院

• 新庄 輝也

  阪大院基礎工

• 白石 誠司

  阪大院基礎工

• 白石 誠司

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 新庄 輝也

  京大 化研

• Shinjo Teruya

  Chemical Research Institute Kyoto University

• Shigematsu Toshihiko

  Institute For Chemical Research Kyoto University:(present Address)konan University

• Shibuya T

  Univ. Tokyo Tokyo Jpn

• 水口 将輝

  東北大金研

• 水口 将輝

  東北大学金属材料研究所

• 水口 将輝

  阪大院基礎工

• 野崎 隆行

  阪大院基礎工:jstさきがけ

• SHINJO Teruya

  Institute for Chemical Research, Kyoto University

• 湯浅 新治

  産総研

• 野崎 隆行

  阪大院基礎工

• 三輪 真嗣

  阪大院基礎工

• 福島 章雄

  産総研

• 太田 健太

  阪大院基礎工

• 三輸 真嗣

  阪大院基礎工:JST-CREST

• 新庄 輝也

  京大化研

• 鈴木 義茂

  阪大基礎工

• 重藤 訓志

  理研

• Tulapurkar A

  阪大院基礎工

• 水落 憲和

  阪大院基礎工

• 塩田 陽一

  阪大院基礎工

• 湯浅 新治

  電総研

• 小野 輝男

  阪大基礎工

• 新庄 輝也

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 戸田 順之

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 重藤 訓志

  京大化研

• 三宅 耕作

  東北大工

• 奥野 拓也

  京大化研

• 奥野 拓也

  京大低物セ

• 壬生 攻

  京大化研

• 丸山 拓人

  阪大院基礎工

• 三宅 耕作

  京大化研

• 戸田 順之

  阪大院基礎工

• 湯浅 新治

  慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所

• 屋上 公二郎

  ソニー(株)SSNCセミコンダクタテクノロジー開発本部

• 屋上 公二郎

  ソニー

• 塩田 陽一

  大阪大学基礎工学研究科:jst Crest

• 前原 大樹

  キャノンアネルバ

• 久保田 均

  産業技術総合研究所

• 鈴木 義茂

  産総研

• 前川 裕昭

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 斎藤 和広

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 西岡 真吾

  阪大院基礎工

• 横山 侑子

  産総研エレクトロニクス

• 村上 真一

  大阪大学基礎工学研究科

• 前原 大樹

  産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター

• 三輪 真嗣

  阪大基礎工

• 小野 輝男

  京大化研

• 野内 亮

  東北大WPI

• 渡辺 直樹

  キャノンアネルバ

• 久保田 均

  産総研

• 恒川 孝二

  キャノンアネルバ

• 前原 大樹

  キヤノンアネルバ株式会社

• TULAPURKAR A.

  産総研

• ダビッド ジャヤプラウィラ

  アネルバ株式会社

• 村上 真一

  阪大院基礎工

• 久保田 均

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門

• 前川 裕昭

  阪大院基礎工

• 山口 明啓

  慶大理工:jstさきがけ

• ダビッド ジャヤプラウィラ

  キャノンアネルバ

• ジャヤプラウィラ ダビッドd.

  キャノンアネルバ

• 斎藤 和広

  阪大院基礎工

• 屋上 公二郎

  ソニー株式会社

• 田邊 真一

  阪大院基礎工

• 久保田 均

  産業技術総合研

• Bonell F.

  大阪大学基礎工学研究科

• Bonell Frederic

  阪大院基礎工

• 縄岡 孝平

  阪大院基礎工

• 横山 侑子

  産総研

• 関剛 斎

  阪大院基礎工

• 冨田 博之

  阪大院基礎工

• 恒川 孝二

  キヤノンアネルバ株式会社

• ジャヤプラウィラ ダビッド

  キヤノンアネルバ株式会社

• 渡辺 直樹

  キヤノンアネルバ株式会社

• 鈴木 義茂

  産業技術総合研究所

• 川越 毅

  大阪教育大

• 小野 輝男

  慶大理工

• 川越 毅

  Jrcat-atp

• 川越 毅

  Jrcat

• 宮島 英紀

  慶大理工

• 山口 明啓

  京大化研

• 草井 悠

  阪大基礎工

• 三輸 真嗣

  阪大院基礎工

• 田村 英一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 田村 英一

  産経研

• 田村 英一

  Jrcat-atp

• 湯浅 新治

  独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター

• 冨田 博之

  大阪大学基礎工学部

• 村上 真一

  大阪大学基礎工学研究科:jst Crest

• 野内 亮

  東北大院理

• 野崎 隆行

  産総研

• 久保田 均

  AISTナノスピントロニクス研究センター

• 福島 章雄

  AISTナノスピントロニクス研究センター

• 小野 輝男

  京都大学化学研究所

• 壬生 攻

  京大低物セ

• 新庄 輝也

  国際高等研

• 岩佐 義宏

  東北大金研

• 岩佐 義宏

  東京大学大学院工学系研究科

• 竹延 大志

  東北大金研

• 片浦 弘道

  産総研ナノテク

• 和田 朋之

  阪大院基礎工

• 山根 健量

  阪大院基礎工

• 升方 康智

  阪大院基礎工

• TULAPURKAR A.

  阪大院基礎工

• 永峰 佳紀

  キャノンアネルバ

• DJAYAPRAWIRA D.

  キャノンアネルバ

• 鈴木 義茂

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 水口 将輝

  阪大基礎工

• 福島 章雄

  産業技術総合研究所

• 柳原 英人

  筑波大物工

• 大石 恵

  阪大基礎工

• Bisri S.

  東北大金研

• 長濱 太郎

  産総研

• 葛西 伸哉

  京大院化研

• 小野 輝男

  京大院化研

• 大石 恵

  阪大院基礎工

• 岩佐 義宏

  東大 工

• 水口 将輝

  ナノ機能合成プロ産総研

• 岩佐 義宏

  東北大 金属材料研

• 岩佐 義宏

  東北大学金属材料研究所

• 小椋 裕介

  阪大院基礎工

• 田邉 真一

  阪大院基礎工

• 竹延 大志

  JSTさきがけ

• 長浜 太郎

  産総研

• 片浦 弘道

  産総研ナノテク:crest-jst

• 山口 明啓

  慶大理工

• 横山 侑子

  電総研

• 安藤 功見

  電子技術総合研究所

• 宮島 英紀

  慶應義塾大学理工学部物理学科

• 畑中 大樹

  阪大基礎工

• 田邊 真一

  阪大基礎工

• 野内 亮

  阪大基礎工

• 野崎 隆行

  阪大基礎工

• 新庄 輝也

  阪大基礎工

• 白石 誠司

  阪大基礎工

• 新庄 輝也

  大阪大学基礎工

• 鈴木 義茂

  大阪大学基礎工

• Ha S.

  Inha University

• You C.-Y.

  Inha University

• Roy W.

  IMEC

• 太田 健太

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 水口 将輝

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 野内 亮

  阪大院基礎工

• 東尾 奈々

  慶大理工

• 鈴木 勝敏

  筑波大物工

• 伊藤 秀毅

  筑波大物工

• 草井 悠

  阪大院基礎工

• 田邉 真一

  阪大基礎工

• 武部 幸三郎

  阪大院基礎工

• 竹延 大志

  東北大 金属材料研

• 重藤 訓志

  京大

• 山崎 聡

  産総研エネルギー技術

• 湯浅 新治

  AISTナノエレクトロニクス(科技団科学技術特別研究員)

• 壬生 攻

  京大 化研

• 小野 輝男

  京大 化研

• 加藤 宙光

  産総研エネルギー技術

• Miyaoka Hiroki

  Department Of Quamtam Matter Adsm Hiroshima University

• 長浜 太郎

  京大化研

• 長浜 太郎

  産総研エレクトロニクス部門

• 小野 輝男

  阪大基工

• 喜多 英次

  筑波大物工

• Miyajima H

  Department Physics Faculty Of Sciences And Technology Keio University

• Miyajima H

  Department Of Physics Faculty Of Science And Technology Keio University

• Kitazawa Hideaki

  The Institute Of Physical And Chemical Research

• Chappert C

  パリ南大学

• Devolder T

  パリ南大学

• TULAPURKAR Ashwin

  AIST

• 鈴木 義茂

  産経研

• Tulapurkar A

  産経研

• 福島 章雄

  産経研

• TULAPURKAR A.

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 関 貴之

  独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター

• 野崎 隆行

  大阪大学基礎工学研究科

• 塩田 陽一

  大阪大学基礎工学研究科

• 升方 康智

  大阪大学基礎工学部

• 関 貴之

  AISTナノスピントロニクス研究センター

• 石橋 翔太

  阪大院基礎工

• 安東 健

  阪大院基礎工

• 猿谷 武史

  AISTナノスピントロニクス研究センター

• 薬師寺 啓

  AISTナノスピントロニクス研究センター

• 片浦 弘道

  産総研ナノシステム

• 湯浅 新治

  AISTナノスピントロニクス研究センター

• 野崎 隆行

  阪大院基礎工:AISTナノスピントロニクス研究センター

• 下岡 孝明

  阪大院基礎工

• 山崎 聡

  産総研

• 長浜 太郎

  Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University

• 加藤 宙光

  産総研

• 小林 悟士

  阪大院基礎工

• 吉国 翔太

  阪大院基礎工

• 関 剛斎

  阪大院基礎工

• 塩田 陽一

  阪大院基礎工:JST-CREST

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著作論文

• 21pGC-1 FeCo/MgO/Feトンネル接合におけるバイアス電圧誘起磁気異方性変化(21pGC 接合系,スピン起電力,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pGC-2 Au/Fe/Au/MgO構造における垂直磁気異方性とその電圧制御(21pGC 接合系,スピン起電力,領域3(磁性,磁気共鳴))
• MgO-MTJおよびCPP-GMRにおけるスピントルク発振 : 発振の高出力化および高周波化にむけて
• 18pZC-3 トンネル磁気抵抗素子の磁気共鳴ノイズ特性(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• スピン注入磁化反転素子の高周波特性
• 19aZC-6 スピントルクダイオード効果を用いた電流駆動磁壁共鳴現象の観測(19aZC 薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27pYD-3 Co電極を有するルブレン単結晶トランジスタの伝導特性(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22pTA-14 Co電極を持つグラフェン薄膜トランジスタにおける異常な伝達特性(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aRA-6 室温でのグラフェン薄膜へのスピン注入観測(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22pTB-15 ルブレン-Coスピン素子における巨大磁気抵抗効果へのコトンネリングの寄与(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aQG-3 電圧印加による超薄膜Fe層の磁気異方性制御(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pWK-6 電圧印加によるGaAs(100)/Fe/Au/Feの交換結合変化(24pWK 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 金属・分子材料へのスピン注入
• コプレーナウェーブガイドを用いた強磁性共鳴の高感度測定
• 21pWD-3 Control of magnetic anisotropy and exchange coupling in Fe and Fe/Au/Fe grown on GaAs(100)
• 19aZC-7 GaAs(110)/Fe/Cr/Feの交換結合とダイオード特性(19aZC 薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aPS-19 強磁性細線のノイズ測定(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18pTB-11 トンネル磁気抵抗素子の構造と伝導特性の相関(18pTB 磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23pXH-9 微小磁性体のFMR測定II(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23pXH-11 C_-Coナノコンポジット素子におけるスピン依存伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aXH-6 GaAs(110)上のFe/Cr/Fe層間交換相互作用(23aXH 薄膜,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28pSC-9 微小磁性体のFMR測定(28pSC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aYF-4 C_を介した室温におけるスピン依存伝導の観測(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aYF-5 ルブレン/Coグラニュラー膜におけるスピン依存伝導の観測(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aYF-6 Alq_3-Coナノコンポジット素子におけるスピン依存伝導(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aYN-5 ケルビンプローブ法による強磁性体/単層カーボンナノチュ-ブ系における電子構造の検討(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
• サブミクロン磁性細線の反転磁場分布
• 29pYB-15 パッド付きNiFe細線において観測される反転磁場分布の温度依存性
• 次世代MRAMのための新材料技術--記憶容量1Gbitの壁を破るためのMRAMの材料開発動向を紹介する (特集2 次世代不揮発性メモリの開発動向)
• 24aS-10 Co/Irウエッジ三層膜における層間磁気結合
• 18pWA-9 NiFe細線間に作製した微小接合に注入した磁壁の磁化配置
• 18aWA-5 磁性体ドットにおけるボルテックスコアの外部磁場中の挙動
• 29pYB-12 微小磁性ドットにおける磁気渦中心の吹き出し磁化の反転磁場II
• 28pYB-3 微小接合で連結した線幅の異なる強磁性細線の磁壁の電気伝導
• 24pPSB-20 非結合型GMRを利用した単一細線の磁性VII
• スピントランスファーCPP-GMR素子における電流注入冷却効果
• スピン注入磁化反転における熱的影響を排除した臨界電流の評価
• 27pXJ-2 スピン注入磁化反転 : 低電流化と短パルス応答(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
• スピン注入磁化反転の理論と実験
• スピン注入磁化反転における反転電流密度の低減
• 電界による磁気異方性制御の試み(映像情報機器および一般)
• 29pSC-12 ナノ磁性細線における高周波応答(29pSC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pPSA-22 ナノ磁性細線における単一磁壁の高周波インピーダンス測定(領域3ポスターセッション,薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22pED-3 FeCo/MgO接合系における電界誘起磁気異方性制御(22pED 領域3,領域9,領域5合同シンポジウム:垂直磁気異方性はどこまで理解されてきたか,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pED-3 FeCo/MgO接合系における電界誘起磁気異方性制御(22pED 領域3,領域9,領域5合同シンポジウム:垂直磁気異方性はどこまで理解されてきたか,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 「巨大磁気抵抗効果の発見」に2007年ノーベル物理学賞(学界ニュース)
• 新庄輝也, 人工格子入門;新材料創製のための, 内田老鶴圃, 東京, 2002, x+146p., 21×15cm, 本体2,800円(材料学シリーズ)[学部以上向]
• 27aAA-4 FeBフリー層を有する磁気トンネル接合素子の巨大なRF検出感度(27aAA スピントロニクス(磁気渦・磁壁・磁気抵抗・スピントルク),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18pAK-10 ダイヤモンド中単一NV中心における4粒子スピン系を用いた室温での量子もつれ生成(18pAK 量子エレクトロニクス(量子通信,量子情報実験),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aPS-26 Au(001)/Fe(001)/MgO(001)におけるスピン波伝搬のFe膜厚依存性(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般,領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28aKM-14 強磁性共鳴による鉄ナノ粒子の磁気特性評価(表面磁性(表面・境面・ナノ粒子),領域3,領域9合同,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25aPS-17 グラファイト及びダイヤモンド(001)基板上におけるMgOの薄膜成長(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般,領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28aKM-14 強磁性共鳴による鉄ナノ粒子の磁気特性評価(表面磁性(表面・界面・ナノ粒子),領域3,領域9合同,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aAF-1 薄膜Fe中のスピン波伝搬における外部電圧印加効果(28aAF スピントロニクス(磁化ダイナミクス),領域3(磁性))

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