湯浅 新治 | 慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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概要
関連著者
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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湯浅 新治
電総研
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湯浅 新治
産総研
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福島 章雄
産総研
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久保田 均
産業技術総合研究所
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久保田 均
産業技術総合研
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久保田 均
産総研
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鈴木 義茂
電総研
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鈴木 義茂
大阪大 大学院
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久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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湯浅 新治
産業技術総合研究所
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福島 章雄
産業技術総合研究所
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大谷 義近
東北大学大学院工学研究科
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宮島 英紀
慶大理工
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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湯浅 新治
慶大理工
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キャノンアネルバ
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安藤 功兒
産業技術総合研究所
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薬師寺 啓
産業技術総合研究所
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喜多 英治
筑波大物工
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キャノンアネルバ
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ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
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柳原 英人
筑波大物工
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大谷 義近
慶大理工
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
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ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
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前原 大樹
キヤノンアネルバ株式会社
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恒川 孝二
キヤノンアネルバ株式会社
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鈴木 義茂
阪大基礎工
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湯浅 新治
慶大・理工
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小野 輝男
京都大学化学研究所
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小野 輝男
京大化研
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鈴木 義茂
阪大院基礎工
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渡辺 直樹
キャノンアネルバ
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冨田 博之
阪大院基礎工
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永峰 佳紀
キャノンアネルバ
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長濱 太郎
産総研
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水口 将輝
東北大金研
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水口 将輝
東北大学金属材料研究所
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野崎 隆行
阪大院基礎工:jstさきがけ
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長浜 太郎
産総研
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宮島 英紀
慶大・理工
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鈴木 義茂
大阪大学基礎工
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長浜 太郎
京大化研
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長浜 太郎
産総研エレクトロニクス部門
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ジャヤプラウィラ ダビッド
キヤノンアネルバ株式会社
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渡辺 直樹
キヤノンアネルバ株式会社
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萩原 潤弥
筑波大物工
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宮島 英紀
慶應義塾大学理工学部物理学科
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荒川 智紀
京大化研
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関口 康爾
京大化研
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知田 健作
京大化研
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千葉 大地
京大化研
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小林 研介
京大化研
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中村 秀司
京大化研
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升方 康智
阪大院基礎工
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永峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
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水口 将輝
阪大院基礎工
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島田 和明
筑波大物工
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佐久間 昭正
日立金属
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小野 輝男
慶大理工
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片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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湯浅 新治
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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西原 禎孝
京大化研
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関 貴之
産業技術総合研究所
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角田 乃亜
東邦大理
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片山 利一
東邦大理
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齊藤 敏明
東邦大理
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野崎 隆行
阪大院基礎工
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白石 誠司
阪大院基礎工
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関剛 斎
阪大院基礎工
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和田 朋之
阪大院基礎工
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山根 健量
阪大院基礎工
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鈴木 義茂
大阪大学大学院基礎工学研究科
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久保田 均
産総研エレクトロニクス
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福島 章雄
産総研エレクトロニクス
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湯浅 新治
産総研エレクトロニクス
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田中 勝
筑波大物工
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山口 明啓
慶大理工
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斉藤 敏明
東邦大理
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山口 明啓
慶大理工:jstさきがけ
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白石 誠司
大阪大学大学院基礎工学研究科
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楠見 和久
慶大・理工
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石井 励
慶大・理工
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大谷 義近
慶大・理工
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三輪 真嗣
阪大院基礎工
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齋藤 秀和
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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廣畑 貴文
CREST-JST
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安藤 功兒
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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KOBAYASHI Keisuke
Japan Synchrotron Radiation Research Institute/SPring-8
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石井 励
慶大理工
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廣畑 貴文
理研フロンティア
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齋藤 敏明
東邦大・理
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Agarwal K.
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Miyaoka Hiroki
Department Of Quamtam Matter Adsm Hiroshima University
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Miyajima H
Department Physics Faculty Of Sciences And Technology Keio University
-
Miyajima H
Department Of Physics Faculty Of Science And Technology Keio University
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宮島 英紀
慶應義塾大学
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朝倉 大輔
産総研
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辻 和彦
慶大理工
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仲谷 栄伸
電通大情報
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小出 常晴
高エ研PF
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三代川 廣野
東邦大理
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浅野 裕司
東邦大理
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江村 藍
東邦大理
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松岡 七絵
東邦大理
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小出 常晴
高エネ研
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朝倉 大輔
高エネ研
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新庄 輝也
阪大院基礎工
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TULAPURKAR A.
阪大院基礎工
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DJAYAPRAWIRA D.
キャノンアネルバ
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和田 朋之
大阪大学大学院基礎工学研究科
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山根 健量
大阪大学大学院基礎工学研究科
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関 剛斎
大阪大学大学院基礎工学研究科
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野崎 隆行
大阪大学大学院基礎工学研究科
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久保田 均
産業技街総合研究所
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福島 章雄
産業技街総合研究所
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湯浅 新治
産業技街総合研究所
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水口 将輝
阪大基礎工
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ディアック アリーナ
阪大基礎工
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大谷 裕一
産業技術総合研究所
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長峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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久保田 均
独立行政法人産業技術総合研究所,エレクトロニクス研究部門
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大坊 忠臣
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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大坊 忠臣
東北大工
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長浜 太郎
産業技術総合研究所
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吉川 将寿
(株)東芝 研究開発センター
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大石 恵
阪大基礎工
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関口 康爾
京都大学化学研究所
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下村 理
高エ研放射光
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湯浅 新治
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門スピントロニクス研究グループ
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DJAYAPRAWIRA D.
Electron Device Equipment Division, Canon ANELVA Corporation
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大石 恵
阪大院基礎工
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キヤノンアネルバ
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安藤 功兒
産総研
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鈴木 義茂
産総研
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小出 常晴
高エネルギー物理学研究所放射光実験施設
-
小出 常晴
高エネルギー物理学研究所
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若林 信義
慶應大理工
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水口 将輝
ナノ機能合成プロ産総研
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眞砂 卓史
JRCAT
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若林 信義
慶大理工
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豊田 雄太
神戸大工
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池川 純夫
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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下村 理
高エ研
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政田 元太
慶應義塾大学理工学部
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高橋 直人
住重加速器サービス
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豊田 雄太
筑波大物工
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山本 淳
産業技術総合研究所
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矢尾板 憲一
無機材研
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江村 藍
東邦大・理
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田島 圭介
慶大理工
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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新庄 輝也
京大 化研
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池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
-
與田 博明
東芝
-
與田 博明
東芝研究開発センター
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高橋 直人
慶大・理工
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野崎 隆行
阪大基礎工
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宮島 英紀
慶大 理工
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津山 祥紀
慶大理工
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東尾 奈々
慶大理工
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薬師寺 啓
産総研エレクトロニクス
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安藤 功兒
産総研エレクトロニクス
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柳原 英人
筑波大数理物質
-
喜多 英治
筑波大数理物質
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Shinjo Teruya
Chemical Research Institute Kyoto University
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山本 明日香
東邦大学
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廣畑 貴文
慶應義塾大学理工学部
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廣畑 貴文
慶大理工
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片山 芳則
慶大理工
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湯浅 新治
京大化研
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政田 元太
慶大理工
-
山本 淳
産業技術総合研
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真砂 卓史
慶應義塾大学理工学部
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大谷 義近
東北大工
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湯浅 新治
AISTナノエレクトロニクス(科技団科学技術特別研究員)
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能崎 幸雄
慶大理工
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小野 輝男
京大 化研
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齋藤 秀和
科学技術振興機構さきがけ
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安藤 功兒
(独)産業技術総合研究所
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矢尾阪 憲一
慶大理工
-
眞砂 卓史
慶大理工
-
能崎 幸雄
慶大・理工
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Shibuya T
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
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湯浅 裕美
慶大理工
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大谷 義近
東北大学工学部材料物性学科
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眞砂 卓史
慶大 理工
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秋山 貴
慶大理工
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横山 啓介
慶大理工
-
楠見 和久
慶大理工
-
横山 啓之
慶大理工
-
矢尾板 憲一
物性研
-
Tulapurkar A
阪大院基礎工
-
NANJO Yuki
Hoechst Research and Technology Japan Ltd.
-
下村 尚治
(株)東芝研究開発センター
-
Shigematsu Toshihiko
Institute For Chemical Research Kyoto University:(present Address)konan University
著作論文
- 20aPS-22 スピネル型強磁性絶縁体を用いたMTJの作製と評価(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pWD-8 Fe/MgO(001)/Fe磁気トンネル接合のMgO絶縁層に接したWedge状鉄薄膜の磁気モーメント(薄膜・人工格子磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- MgO-MTJおよびCPP-GMRにおけるスピントルク発振 : 発振の高出力化および高周波化にむけて
- 強磁性トンネル接合素子におけるスピントルク発振の磁場方位依存性
- スピン注入素子の高周波特性 : 発振・ダイオード効果とマグネティックノイズ
- MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
- 18pZC-3 トンネル磁気抵抗素子の磁気共鳴ノイズ特性(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- MgOトンネル障壁を用いた超低抵抗MTJ素子技術
- スピトルクダイオードと負性抵抗効果
- 22aQG-4 γ-Fe_2O_3を障壁層に用いたスピンフィルター型MTJ(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aPS-8 γ-Fe_2O_3を障壁層に用いたスピンフィルター型MTJの作製(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aPS-76 スピネルフェライトFe_O_4を用いたMTJの作製(領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子,スピングラス,量子スピン系),領域3,磁性,磁気共鳴)
- L1_0型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性
- 19aZC-11 極磁気Kerr効果によるFe/Ag(001)-Wedge/Fcサンドイッチ膜の量子井戸振動(19aZC 薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピントロニクス技術による不揮発エレクトロニクスの創成--究極のグリーンIT機器の実現に向けて
- 30p-PSB-25 強磁性Fe-N薄膜の磁性III
- 23aPS-19 強磁性細線のノイズ測定(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18pZC-1 強磁性細線の高周波電流整流効果(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 高密度スピントルクMRAMの実現に向けて
- 23pWL-13 トンネル磁気抵抗素子に加わるスピントルクのバイアス電圧依存性(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18pTB-11 トンネル磁気抵抗素子の構造と伝導特性の相関(18pTB 磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18aPS-7 γ-Fe_2O_3障壁層をもつスピンフィルター型磁気トンネル接合の作製(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aWP-6 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定(24aWP 磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 31a-YF-12 Fe_Rh_Pd_x合金の低温における新しい強磁性相
- CPP構造微小金属接合におけるペルチェ冷却効果
- スピンダイス : 磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器
- 4E-1 スピン注入磁化反転を用いた乱数発生器(セキュリティ(1),一般セッション,セキュリティ)
- 超臨界CO_2リフトオフによる微小トンネル接合の作成
- 金属/絶縁体/半導体(MIS)磁気トンネルダイオードにおけるスピン依存伝導
- 金属/絶縁体/半導体(MIS)磁気トンネルダイオードの作製とスピン依存伝導特性 : スピン・トンネルトランジスタの実現を目指して
- 正方晶FeRh_Pd_合金の低温相の磁性
- 超伝導体・軟磁性体との複合体の磁化特性
- FeRh系合金の一次磁気相転移
- 磁気力顕微鏡によるマルテンサイトの表面構造と磁区構造の同時観察
- FeRh-Pd合金における正方晶-斜方晶相転移の機構
- 斜方晶構造を持つFeRh-Pd合金の磁化
- 磁気力顕微鏡によるマルテンサイト相の磁気構造の観察
- 31p-PSA-58 bct FeRh_Pt_x, bcc FeRh_lr_y合金の磁気相転移と電気抵抗率の温度・磁場依存性
- 3p-PSA-30 準安定 bcc Fe1-xNx 薄膜の磁性 : 内部転換電子型メスバウアー効果
- 3p-PSA-29 体心正方晶Fe_Rh_Pd_x合金の磁気相転移
- 30p-PSB-17 体心正方晶FeRh-Pt合金の一次磁気相転移II
- 13p-S-12 放射光X線回折によるbcc FeRh-Ir合金の高圧下における磁気相転移
- 13p-S-11 体心正方晶FeRh-Pd合金の一次磁気相転移
- 31p-PSB-66 体心正方晶FeRh-Pt合金の一次磁気相転移
- 25p-PSA-16 FeRh合金の反強磁性-強磁性一次相転移点近傍における磁化緩和現象
- 30a-PS-40 Fe_Rh_x, FeRh_Co_x合金の軸比と磁性
- 27a-APS-47 fcc相FeRh系合金の磁性と構造相転移
- スピンを用いた物理乱数発生器「スピンダイス」
- MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器および一般)
- 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転
- MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器,一般)
- 26aHD-4 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定II(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aPS-17 γ-Fe_2O_3を用いたスピンフィルタ型MTJの作製と評価(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aPS-16 TiN/Fe_3O_4/Fe3層構造のCPP配置におけるトンネル型磁気抵抗効果(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aRA-6 トンネル磁気抵抗素子における電子のアンチバンチングの観測(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pRA-2 スピントルクダイオード測定によるスピントルクの温度依存性(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 大容量スピンRAMの実現に向けた垂直磁化MTJの開発
- ナノ磁性体の強磁性共鳴
- 27aAA-4 FeBフリー層を有する磁気トンネル接合素子の巨大なRF検出感度(27aAA スピントロニクス(磁気渦・磁壁・磁気抵抗・スピントルク),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pKF-4 非線形熱励起による低周波磁気ノイズ(スピントロニクス(磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))