鈴木 義茂 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所
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鈴木 義茂
大阪大 大学院
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湯浅 新治
産業技術総合研究所
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湯浅 新治
産総研
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長浜 太郎
産業技術総合研究所
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長浜 太郎
産総研
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長濱 太郎
産総研
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福島 章雄
産総研
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福島 章雄
産業技術総合研究所
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鈴木 義茂
電総研
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田村 英一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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田村 英一
産経研
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田村 英一
Jrcat-atp
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前原 大樹
キャノンアネルバ
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久保田 均
産業技術総合研究所
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久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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久保田 均
産業技術総合研
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前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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鈴木 義茂
阪大院基礎工
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久保田 均
産総研
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前原 大樹
キヤノンアネルバ株式会社
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長田 智明
キヤノンアネルバ株式会社
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大谷 裕一
産業技術総合研究所
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前原 大樹
アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
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小林 明子
アネルバ株式会社
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長田 智明
アネルバ株式会社
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原市 聡
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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原市 聡
産総研エレ
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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原市 聡
産業技術総合研究所 電子光技術研究部門
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片山 利一
東邦大理
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渡辺 直樹
キャノンアネルバ
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恒川 孝二
キャノンアネルバ
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恒川 孝二
キヤノンアネルバ株式会社
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ジャヤプラウィラ ダビッド
キヤノンアネルバ株式会社
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渡辺 直樹
キヤノンアネルバ株式会社
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安藤 功兒
産業技術総合研究所
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ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
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細糸 信好
京大化研
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川越 毅
大阪教育大
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湯浅 新治
電総研
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鈴木 義茂
産総研
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田村 英一
JRCAT融合研
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細糸 信好
京大
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黒崎 義成
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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片山 利一
東邦大学
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
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ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Nyvlt Miroslav
Charles大
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長浜 太郎
京大化研
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長浜 太郎
産総研エレクトロニクス部門
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黒崎 義成
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門:筑波大学数理物質科学研究科
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Tulapurkar A
阪大院基礎工
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屋上 公二郎
ソニー(株)SSNCセミコンダクタテクノロジー開発本部
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TULAPURKAR A.
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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田村 英一
Jrcat
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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屋上 公二郎
ソニー
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安藤 功兒
産業技術総合研
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久保田 均
AISTナノスピントロニクス研究センター
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長浜 太郎
Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University
著作論文
- MgOバリアを用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転
- Co-Fe及びCo-Fe-Bフリー層を用いたCPP-GMR素子のスピン注入磁化反転特性(薄膜)
- CO+NH_3を用いたエッチングにより形成したTMR素子
- トンネル磁気抵抗効果のFe(001)電極膜厚依存性
- 高密度スピントルクMRAMの実現に向けて
- CO+NH_3を用いたエッチングにより形成したTMR素子
- FeおよびCr(001)薄膜の表面ナノ磁性
- 磁気トンネル接合のTMR効果と共鳴トンネル効果(最近の研究から)
- 磁気トンネル接合のTMR効果と共鳴トンネル効果
- 単結晶電極をもつ強磁性トンネル接合のトンネル磁気抵抗効果
- Fe(100)強磁性トンネル接合の量子井戸効果 : 磁気抵抗効果・交換結合
- FeRh/NiFe膜の反強磁性磁化配向の磁場依存性
- スピン注入磁化反転の理論と実験
- 新庄輝也, 人工格子入門;新材料創製のための, 内田老鶴圃, 東京, 2002, x+146p., 21×15cm, 本体2,800円(材料学シリーズ)[学部以上向]