湯浅 新治 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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湯浅 新治
産業技術総合研究所
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湯浅 新治
産総研
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福島 章雄
産業技術総合研究所
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久保田 均
産業技術総合研
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久保田 均
産業技術総合研究所
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福島 章雄
産総研
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湯浅 新治
電総研
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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鈴木 義茂
大阪大 大学院
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久保田 均
産総研
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久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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安藤 功兒
産業技術総合研
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安藤 功兒
産業技術総合研究所
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鈴木 義茂
電総研
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薬師寺 啓
産業技術総合研究所
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所
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長浜 太郎
産業技術総合研究所
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長浜 太郎
産総研
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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前原 大樹
キャノンアネルバ
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長濱 太郎
産総研
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片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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鈴木 義茂
大阪大学基礎工
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久保田 均
AISTナノスピントロニクス研究センター
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前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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福島 章雄
AISTナノスピントロニクス研究センター
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湯浅 新治
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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田村 英一
Jrcat-atp
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薬師寺 啓
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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鈴木 義茂
大阪大学大学院基礎工学研究科
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前原 大樹
キヤノンアネルバ株式会社
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関 貴之
産業技術総合研究所
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田村 英一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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田村 英一
産経研
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野崎 隆行
大阪大学基礎工学研究科
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石橋 翔太
大阪大学基礎工学部
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冨田 博之
大阪大学基礎工学部
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前原 大樹
産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
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渡辺 直樹
キャノンアネルバ
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冨田 博之
阪大院基礎工
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恒川 孝二
キャノンアネルバ
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恒川 孝二
キヤノンアネルバ株式会社
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渡辺 直樹
キヤノンアネルバ株式会社
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大谷 裕一
産業技術総合研究所
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ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
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野崎 隆行
阪大院基礎工:jstさきがけ
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
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ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
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齋藤 秀和
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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安藤 功兒
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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長浜 太郎
京大化研
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長浜 太郎
産総研エレクトロニクス部門
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関 貴之
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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升方 康智
大阪大学基礎工学部
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鈴木 義茂
大阪大学:産総研:CREST-JST
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長浜 太郎
Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University
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鈴木 義茂
大阪大学
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小野 輝男
京都大学化学研究所
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小野 輝男
京大化研
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荒川 智紀
京大化研
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関口 康爾
京大化研
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知田 健作
京大化研
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千葉 大地
京大化研
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小林 研介
京大化研
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中村 秀司
京大化研
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三代川 廣野
東邦大理
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小出 常晴
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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升方 康智
阪大院基礎工
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ジャヤプラウィラ ダビッド
キヤノンアネルバ株式会社
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小野 輝男
慶大理工
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山本 淳
産業技術総合研究所
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斉藤 敏明
東邦大理
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神野 友之
東邦大学理学部
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齋藤 真司
東邦大学理学部
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三代川 廣野
東邦大学理学部
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齊藤 敏明
東邦大学理学部
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花島 幸司
東邦大学
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間宮 一敏
高エネルギー加速器機構研究所
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黒崎 義成
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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花島 幸司
東邦大・理
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與田 博明
東芝研究開発センター
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湯浅 新治
産業技術総合研究所:jstさきがけ発展研究
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KOBAYASHI Keisuke
Japan Synchrotron Radiation Research Institute/SPring-8
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西原 禎孝
京大化研
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齋藤 敏明
東邦大・理
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山本 淳
産業技術総合研
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Agarwal K.
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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黒崎 義成
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門:筑波大学数理物質科学研究科
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北川 英二
東芝研究開発センター
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下村 尚治
東芝研究開発センター
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小林 研介
(独) 物質・材料研究機構 共用ビームステーション
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小野 輝男
大阪大院基礎工
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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谷口 知大
産業技術総合研究所(AIST)
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大兼 幹彦
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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宮崎 照宣
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)
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今村 裕志
産業技術総合研究所
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安藤 康夫
東北大工
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小出 常晴
高エ研PF
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小出 常晴
高エネ研
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永峰 佳紀
キャノンアネルバ
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長峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
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間宮 一敏
高エネ研
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岡田 英里子
キヤノンアネルバ株式会社
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長井 基将
キヤノンアネルバ株式会社
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高梨 弘毅
東北大学金属材料研究所
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大坊 忠臣
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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大坊 忠臣
東北大工
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宮越 健史
東北大学大学院
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宮崎 照宜
東北大学大学院
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吉川 将寿
(株)東芝 研究開発センター
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小出 常晴
高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所
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小出 常晴
高エネルギー物理学研究所放射光実験施設
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小出 常晴
高エネルギー物理学研究所
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田村 英一
JRCAT融合研
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間宮 一敏
原子力機構放射光
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池川 純夫
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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鈴木 義茂
(現)大阪大学大学院基礎工学科
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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藤田 忍
東芝研究開発センター
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斉藤 真司
分子研
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池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
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與田 博明
東芝
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宮崎 照宣
東北大工
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Djayaprawira David
キャノンアネルバ株式会社エレクトロンデバイス装置事業部プロセス技術グループ
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塩田 陽一
大阪大学大学院基礎工学研究科
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湯浅 新治
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門スピントロニクス研究グループ
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宮崎 照宣
東北大 原子分子材料科学高等研究機構
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山本 明日香
東邦大学
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宮崎 照宣
東北大・工
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斉藤 真二
東邦大学
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齋藤 秀和
科学技術振興機構さきがけ
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神野 友之
東邦大学
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甲野藤 真
産業技術総合研 つくば中央第4事業所
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荒井 礼子
産業技術総合研究所
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下村 尚治
(株)東芝研究開発センター
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田村 英一
Jrcat
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杉原 敦
産業技術総合研究所
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吉川 将寿
東芝研究開発センター
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長瀬 俊彦
東芝研究開発センター
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大坊 忠臣
東芝研究開発センター
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長嶺 真
東芝研究開発センター
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池川 純夫
東芝研究開発センター
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Miyazaki T
Faculty Of Engineering Kanazawa University
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湯浅 新治
産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科
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大兼 幹彦
東北大学大学院工学研究科
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三輪 真嗣
大阪大学
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田村 英一
大阪大学
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猿谷 武史
産業技術総合研究所
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石橋 翔太
大阪大学
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池川 純夫
東芝研究開発セ
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野崎 隆行
産業技術総合研究所
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安部 恵子
東芝研究開発センター
-
伊藤 順一
東芝研究開発センター
-
野村 久美子
東芝研究開発センター
-
BONELL Frederic
大阪大学大学院基礎工学研究科
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野口 紘希
東芝研究開発センター
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福島 章雄
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター:科学技術振興機構
著作論文
- MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
- 極薄Mg層を挿入したMgO障壁層を用いた磁気トンネル接合に関する評価
- MgOバリアを用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転
- 24aXN-1 Fe/MgO/Fe強磁性トンネル接合の非弾性電子トンネル分光(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
- Co-Fe及びCo-Fe-Bフリー層を用いたCPP-GMR素子のスピン注入磁化反転特性(薄膜)
- L1_0型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性
- 全エピタキシャルFe(001)/MgO(001)/Fe(001) 磁気トンネル接合のMgOバリアーを介した磁気層間結合
- MgO(001)トンネル障壁のトンネル磁気抵抗効果と界面状態
- MgO(001)トンネル障壁界面Fe(001)単原子層の磁気状態 : X線吸収及びX線磁気円二色性による研究(薄膜)
- トンネル磁気抵抗効果のFe(001)電極膜厚依存性(薄膜)
- MgO(001)トンネル障壁界面Fe(001)単原子層の磁気状態 : X線吸収及びX線磁気円二色性による研究
- トンネル磁気抵抗効果のFe(001)電極膜厚依存性
- 結晶MgOトンネル障壁のコヒーレントなスピン依存トンネル伝導と巨大TMR効果
- 高密度スピントルクMRAMの実現に向けて
- CPP構造微小金属接合におけるペルチェ冷却効果
- スピンダイス : 磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器
- 4E-1 スピン注入磁化反転を用いた乱数発生器(セキュリティ(1),一般セッション,セキュリティ)
- 超臨界CO_2リフトオフによる微小トンネル接合の作成
- 磁気トンネル接合のTMR効果と共鳴トンネル効果(最近の研究から)
- 磁気トンネル接合のTMR効果と共鳴トンネル効果
- 単結晶電極をもつ強磁性トンネル接合のトンネル磁気抵抗効果
- Fe(100)強磁性トンネル接合の量子井戸効果 : 磁気抵抗効果・交換結合
- 金属/絶縁体/半導体(MIS)磁気トンネルダイオードにおけるスピン依存伝導
- 金属/絶縁体/半導体(MIS)磁気トンネルダイオードの作製とスピン依存伝導特性 : スピン・トンネルトランジスタの実現を目指して
- GaMnAs系MTJにおけるスピン依存伝導特性
- 24pZD-2 MgO(001)トンネル障壁のスピン依存トンネルの理論予測と巨大TMR効果の実現(24pZD 領域10,領域3,領域4,領域8合同シンポジウム:計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス〜成功物語と将来展望〜,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pZD-2 MgO(001)トンネル障壁のスピン依存トンネルの理論予測と巨大TMR効果の実現(24pZD 領域10,領域3,領域4,領域8合同シンポジウム:計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス〜成功物語と将来展望〜,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Cu-Ni/Ru素子におけるペルチェ効果に対するCu-Ni膜厚の影響
- MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器および一般)
- 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転
- MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器,一般)
- 26aHD-4 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定II(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて
- 23aRA-6 トンネル磁気抵抗素子における電子のアンチバンチングの観測(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pKF-4 非線形熱励起による低周波磁気ノイズ(スピントロニクス(磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 酸化マグネシウムMTJ素子を中心としたスピントロニクス技術の進展
- 不揮発性メモリMRAMの現状と将来展望(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))