結晶MgOトンネル障壁のコヒーレントなスピン依存トンネル伝導と巨大TMR効果
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概要
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極薄の絶縁体層(トンネル障壁)を2枚の強磁性金属層で挟んだ磁気トンネル接合(MTJ)素子はスピン依存トンネル伝導に起因した磁気抵抗(TMR効果)を示す.1995年に室温でTMR効果が実現されて以来,トンネル障壁にアモルファス酸化アルミニウムを用いたMTJ素子の研究が精力的に行われてきたが,室温で約70%の磁気抵抗比しか得られないことが応用上深刻な問題となつていた.これに対して最近,結晶性の酸化マグネシウム(MgO)をトンネル障壁に用いたMTJ素子が開発され,室温で400%を超える巨大な磁気抵抗比が実現された.本稿では,MgOトンネル障壁のコヒーレントなスピン依存トンネル効果の物理機構と応用について紹介する.
- 2007-03-05
著者
-
湯浅 新治
産業技術総合研究所
-
Djayaprawira David
キャノンアネルバ株式会社エレクトロンデバイス装置事業部プロセス技術グループ
-
湯浅 新治
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門スピントロニクス研究グループ
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