トンネル磁気抵抗効果のFe(001)電極膜厚依存性(薄膜)
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概要
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We fabricated Fe(001)/Al-O/NiFe magnetic tunnel junctions (MTJs) with an ultrathin single-crystal Fe(001) electrode and studied the Fethickness (t_<Fe>) dependence of the TMR effect. The upper NiFe electrode (polycrystal) was pinned by a IrMn layer in order to make an antiparallel alignment between upper and lower electrode magnetizations. As a result, we succeeded in observing the TMR effect with an ultrathin Fe electrode down to t_<Fe>=0.5nm. It was found that a magnetoresistance (MR) ratio of 7% was achieved even at t_<Fe>=0.5nm, although the MR ratio decreased slightly with decreasing t_<Fe>. Moreover, the bias-voltage dependence of the MR ratio was found to be almost independent of t_<Fe>.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2005-04-01
著者
-
湯浅 新治
産総研
-
湯浅 新治
産業技術総合研究所
-
長浜 太郎
産業技術総合研究所
-
長濱 太郎
産総研
-
鈴木 義茂
電総研
-
長浜 太郎
産総研
-
片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
黒崎 義成
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
鈴木 義茂
(現)大阪大学大学院基礎工学科
-
長浜 太郎
京大化研
-
長浜 太郎
産総研エレクトロニクス部門
-
黒崎 義成
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門:筑波大学数理物質科学研究科
-
鈴木 義茂
大阪大 大学院
-
長浜 太郎
Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University
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