不揮発性メモリMRAMの現状と将来展望(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

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概要

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• 本稿では、磁気トンネル接合(MTF)素子のトンネル磁気抵抗効果(TMR効果)、スピントルク(STT)などのスピン操作技術、およびそれらを用いた不揮発性メモリMRAMなどのデバイス応用について、歴史と将来展望を述べる。特に、垂直磁化MTJ素子を用いた高集積不揮発F生メモリSTT-MRAMや新規デバイス応用について議論する。

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2014-01-22

著者

• 谷口 知大

  産業技術総合研究所(AIST)

• 今村 裕志

  産業技術総合研究所

• 鈴木 義茂

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 福島 章雄

  産業技術総合研究所

• 薬師寺 啓

  産業技術総合研究所

• 湯浅 新治

  産業技術総合研究所

• 藤田 忍

  東芝研究開発センター

• 與田 博明

  東芝研究開発センター

• 塩田 陽一

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 甲野藤 真

  産業技術総合研 つくば中央第4事業所

• 荒井 礼子

  産業技術総合研究所

• 久保田 均

  産業技術総合研

• 安藤 功兒

  産業技術総合研

• 北川 英二

  東芝研究開発センター

• 下村 尚治

  東芝研究開発センター

• 前原 大樹

  産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター

• 野崎 隆行

  産業技術総合研究所

• 安部 恵子

  東芝研究開発センター

• 伊藤 順一

  東芝研究開発センター

• 野村 久美子

  東芝研究開発センター

• BONELL Frederic

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 野口 紘希

  東芝研究開発センター

• 福島 章雄

  産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター:科学技術振興機構

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