22pWA-11 層状反強磁性 Cr (001) 挿入層による TMR 効果の振動

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-08-15

著者

• 湯浅 新治

  産総研

• 湯浅 新治

  産総研エレクトロニクス

• 長濱 太郎

  産総研

• 鈴木 義茂

  電総研

• 長浜 太郎

  産総研

• 長浜 太郎

  産総研エレクトロニクス

• 鈴木 義茂

  産総研エレクトロニクス

• 横山 侑子

  産総研エレクトロニクス

• 田村 英一

  産総研エレクトロニクス

• 田村 英一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 鈴木 義茂

  大阪大 大学院

• 田村 英一

  産経研

• 田村 英一

  Jrcat-atp

• 湯浅 新治

  産総研エレ

関連論文

• 20aPS-22 スピネル型強磁性絶縁体を用いたMTJの作製と評価(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pGC-1 FeCo/MgO/Feトンネル接合におけるバイアス電圧誘起磁気異方性変化(21pGC 接合系,スピン起電力,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pWD-8 Fe/MgO(001)/Fe磁気トンネル接合のMgO絶縁層に接したWedge状鉄薄膜の磁気モーメント(薄膜・人工格子磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 21pGC-2 Au/Fe/Au/MgO構造における垂直磁気異方性とその電圧制御(21pGC 接合系,スピン起電力,領域3(磁性,磁気共鳴))
• MgO-MTJおよびCPP-GMRにおけるスピントルク発振 : 発振の高出力化および高周波化にむけて
• 強磁性トンネル接合素子におけるスピントルク発振の磁場方位依存性
• スピン注入素子の高周波特性 : 発振・ダイオード効果とマグネティックノイズ
• MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
• 18pZC-3 トンネル磁気抵抗素子の磁気共鳴ノイズ特性(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aXH-7 CoFeB/MgOトンネル界面に挿入した超薄金属Mg層の酸化状態(23aXH 薄膜,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 極薄Mg層を挿入したMgO障壁層を用いた磁気トンネル接合に関する評価
• スピン注入磁化反転素子の高周波特性
• MgOバリアを用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転
• 酸化マグネシウムをトンネル障壁に用いた磁気トンネル素子の開発とMRAMの将来展望
• 24aXN-1 Fe/MgO/Fe強磁性トンネル接合の非弾性電子トンネル分光(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26pXP-6 Au(001)表面上Co超薄膜の角度分解軟X線内殻磁気円二色性(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
• 28aXA-4 Co超薄膜のhcp/bcc構造相転移と内殻磁気円二色性
• MgOトンネル障壁を用いた超低抵抗MTJ素子技術
• スピトルクダイオードと負性抵抗効果
• Co-Fe及びCo-Fe-Bフリー層を用いたCPP-GMR素子のスピン注入磁化反転特性(薄膜)
• CO+NH_3を用いたエッチングにより形成したTMR素子
• 22aQG-4 γ-Fe_2O_3を障壁層に用いたスピンフィルター型MTJ(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aPS-8 γ-Fe_2O_3を障壁層に用いたスピンフィルター型MTJの作製(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22aPS-76 スピネルフェライトFe_O_4を用いたMTJの作製(領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子,スピングラス,量子スピン系),領域3,磁性,磁気共鳴)
• L1_0型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性
• 全エピタキシャルFe(001)/MgO(001)/Fe(001) 磁気トンネル接合のMgOバリアーを介した磁気層間結合
• 19aZC-11 極磁気Kerr効果によるFe/Ag(001)-Wedge/Fcサンドイッチ膜の量子井戸振動(19aZC 薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aXH-8 全エピタキシャルFe/MgO/Fe(001)磁気トンネル接合のMgO層を介した磁性層間結合(23aXH 薄膜,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aXH-5 磁気カー効果から見たFe層で挟まれたAu(001)-wedge膜の量子井戸振動(23aXH 薄膜,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27pPSA-1 Fe_O_4エピタキシャル薄膜の磁気光学効果(27pPSA 領域3ポスターセッション 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 19aYB-2 Mg0(001)トンネル障壁に接したWedge状Fe(001)薄膜のXAS及びXMCD(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 19aYB-1 エピタキシャルFe(001)/MgO(001)/bcc-Co(001)磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗効果(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• MgO(001)トンネル障壁界面Fe(001)単原子層の磁気状態 : X線吸収及びX線磁気円二色性による研究(薄膜)
• トンネル磁気抵抗効果のFe(001)電極膜厚依存性(薄膜)
• X線吸収及びX線磁気円二色性で評価したMgO(001)トンネル障壁界面Fe(001)単原子層の磁気状態
• 13aWB-8 単結晶 Fe/MgO/Fe(001) 接合における下部 Fe(001) 界面の磁気状態とトンネル磁気抵抗効果(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
• Al_2O_3トンネルバリア界面Co(001)単原子層のX線吸収及びX線磁気円二色性スペクトル
• 29pXH-5 X 線吸収および X 線磁気円二色性で評価した Al_2O_3 トンネルバリア界面 Co(001) 単原子層の酸化状態と磁性
• スピントロニクス技術による不揮発エレクトロニクスの創成--究極のグリーンIT機器の実現に向けて
• 23aPS-19 強磁性細線のノイズ測定(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18pZC-1 強磁性細線の高周波電流整流効果(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28pPSA-12 単結晶強磁性トンネル接合素子における量子サイズ効果と熱処理
• 高密度スピントルクMRAMの実現に向けて
• 23pWL-13 トンネル磁気抵抗素子に加わるスピントルクのバイアス電圧依存性(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18pTB-11 トンネル磁気抵抗素子の構造と伝導特性の相関(18pTB 磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23pXH-9 微小磁性体のFMR測定II(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28pSC-9 微小磁性体のFMR測定(28pSC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• CO+NH_3を用いたエッチングにより形成したTMR素子
• 18aPS-7 γ-Fe_2O_3障壁層をもつスピンフィルター型磁気トンネル接合の作製(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aPS-3 マグヘマイト障壁層をもつスピンフィルタ型MTJの作製(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aWP-6 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定(24aWP 磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
• CPP構造微小金属接合におけるペルチェ冷却効果
• スピンダイス : 磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器
• 4E-1 スピン注入磁化反転を用いた乱数発生器(セキュリティ(1),一般セッション,セキュリティ)
• 超臨界CO_2リフトオフによる微小トンネル接合の作成
• 22aQG-5 MgO-強磁性トンネルトランジスタ出力特性のショットキーバリア高さ依存性(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pWK-7 MgO-強磁性トンネルトランジスタのTMRとMC効果(24pWK 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pWD-9 MgOトンネルバリアを持つ強磁性トンネルトランジスタの伝導特性(薄膜・人工格子磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 24aXN-2 超薄Fe(100)電極層を持つTMR素子の低温におけるTMR効果の異常(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
• Al_2O_3を障壁層に用いたトンネル磁気抵抗薄膜における各層成長過程のSTM観察
• 超薄Fe(100)電極層を持つTMR素子の磁気抵抗効果
• 金属スピントロニクスの展開
• 金属スピントロニクスの展開
• MgO(001)単結晶トンネル障壁層の作製
• 超薄Fe(100)強磁性電極によるトンネル磁気抵抗効果の増大
• トンネルバリアがある場合のスピン注入磁化反転の理論
• 22pWA-11 層状反強磁性 Cr (001) 挿入層による TMR 効果の振動
• 22pWA-10 単結晶 Fe(001)/MgO(001)/Fe(001) トンネル接合の作製
• 30pWD-6 強磁性金属トンネル素子における量子サイズ効果と界面効果
• 30pWD-6 強磁性金属トンネル素子における量子サイズ効果と界面効果
• 磁気トンネル接合のTMR効果と共鳴トンネル効果(最近の研究から)
• 磁気トンネル接合のTMR効果と共鳴トンネル効果
• 単結晶電極をもつ強磁性トンネル接合のトンネル磁気抵抗効果
• トンネル磁気抵抗素子におけるスピン依存量子サイズ効果の理論
• Fe(100)強磁性トンネル接合の量子井戸効果 : 磁気抵抗効果・交換結合
• TMRの量子サイズ効果とその応用(共鳴トンネルトランジスタに向けて)
• 18pWA-5 極薄Fe(100)電極を持つ強磁性トンネル接合の量子井戸効果
• 18pWA-4 スピン偏極量子井戸準位へのトンネル電子の注入
• Fe(100)強磁性トンネル接合の量子井戸効果
• 強磁性トンネル接合のTMR効果と量子サイズ効果
• 次世代MRAMのための新材料技術--記憶容量1Gbitの壁を破るためのMRAMの材料開発動向を紹介する (特集2 次世代不揮発性メモリの開発動向)
• スピンエレクトロニクス研究を応用した素子の開発 (特集 スピンエレクトロニクス--ナノ領域がもたらす技術革新)
• スピンを用いた物理乱数発生器「スピンダイス」
• MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器および一般)
• 29pSC-12 ナノ磁性細線における高周波応答(29pSC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pPSA-22 ナノ磁性細線における単一磁壁の高周波インピーダンス測定(領域3ポスターセッション,薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転
• MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器,一般)
• 22pYJ-8 結晶性MgOトンネルバリアの精密構造制御とコヒーレントスピントンネル(領域9,領域7合同シンポジウム主題:精密に原子配列させた1nm構造体が示す特徴的な物性と展望,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aHD-4 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定II(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aPS-17 γ-Fe_2O_3を用いたスピンフィルタ型MTJの作製と評価(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aPS-16 TiN/Fe_3O_4/Fe3層構造のCPP配置におけるトンネル型磁気抵抗効果(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて
• 23aRA-6 トンネル磁気抵抗素子における電子のアンチバンチングの観測(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23pRA-2 スピントルクダイオード測定によるスピントルクの温度依存性(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 大容量スピンRAMの実現に向けた垂直磁化MTJの開発
• ナノ磁性体の強磁性共鳴
• Change in the Morphology of the Terrace Edges on Graphite Surfaces by Electrochemical Reduction
• 27aXA-9 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音の膜厚依存性(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27aXA-8 トンネル磁気抵抗素子における磁化ゆらぎに伴う低周波雑音(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク