次世代MRAMのための新材料技術--記憶容量1Gbitの壁を破るためのMRAMの材料開発動向を紹介する (特集2 次世代不揮発性メモリの開発動向)

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概要

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• 日刊工業新聞社の論文

著者

• 湯浅 新治

  産総研

• 鈴木 義茂

  阪大院基礎工

• 安藤 功見

  電子技術総合研究所

• 鈴木 義茂

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門

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