酸化マグネシウムをトンネル障壁に用いた磁気トンネル素子の開発とMRAMの将来展望
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概要
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非常に薄い絶縁体層(トンネル障壁)を強磁性電極で挟んだ磁気トンネル接合(MTJ)素子は, 不揮発性メモリMRAMや次世代のハードディスク用磁気ヘッドのための中核技術である.トンネル障壁に酸化アルミニウムを用いた従来型MTJ素子は出力が小さく, 応用上の深刻な問題であった.最近我々は, 酸化マグネシウムをトンネル障壁に用いた新型MTJ素子を開発し, 従来の3倍を超える出力性能を達成するとともに, その量産プロセスの開発にも成功した.これらの成果及びこの技術を用いた大容量MRAMの展望と課題について述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-01
著者
-
湯浅 新治
産総研
-
渡辺 直樹
キャノンアネルバ
-
前原 大樹
キャノンアネルバ
-
恒川 孝二
キャノンアネルバ
-
湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
DJAYAPRAWIRA David
アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
-
恒川 孝二
アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
-
前原 大樹
アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
-
渡辺 直樹
アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
-
ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
-
ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
-
ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
-
安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所
-
前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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