湯浅 新治 | 産総研エレ
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
湯浅 新治
産総研エレ
-
湯浅 新治
産総研エレクトロニクス
-
長浜 太郎
産総研エレクトロニクス
-
長浜 太郎
産総研
-
長濱 太郎
産総研
-
鈴木 義茂
大阪大 大学院
-
鈴木 義茂
産総研エレクトロニクス
-
湯浅 新治
産総研
-
鈴木 義茂
電総研
-
田村 英一
Jrcat-atp
-
田村 英一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
田村 英一
産総研エレクトロニクス
-
長浜 太郎
京大化研
-
長浜 太郎
産総研エレクトロニクス部門
-
田村 英一
産経研
-
長浜 太郎
Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University
-
湯浅 新治
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
福島 章雄
産総研
-
福島 章雄
産総研エレクトロニクス
-
安藤 功兒
産業技術総合研究所
-
安藤 功兒
産総研エレクトロニクス
-
齋藤 秀和
Jstさきがけ
-
横山 侑子
産総研エレクトロニクス
-
黒崎 義成
産総研エレクトロニクス
-
黒崎 義成
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門:筑波大学数理物質科学研究科
-
田村 英一
Jrcat
-
久保田 均
産総研
-
鈴木 義茂
阪大基礎工
-
久保田 均
産総研エレクトロニクス
-
久保田 均
産業技術総合研究所
-
湯浅 新治
電総研
-
久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
-
湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
-
久保田 均
産業技術総合研
-
鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
-
湯浅 新治
産総研エレクトロニクス:CREST-JST
-
渡辺 直樹
キャノンアネルバ
-
川上 隆輝
日大理工
-
前原 大樹
キャノンアネルバ
-
恒川 孝二
キャノンアネルバ
-
前原 大樹
キヤノンアネルバ株式会社
-
恒川 孝二
キヤノンアネルバ株式会社
-
ジャヤプラウィラ ダビッド
キヤノンアネルバ株式会社
-
渡辺 直樹
キヤノンアネルバ株式会社
-
水口 将輝
阪大基礎工
-
ディアック アリーナ
阪大基礎工
-
薬師寺 啓
産業技術総合研究所
-
ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
-
川上 隆輝
日本大 量子科研
-
水口 将輝
東北大金研
-
田村 英一
JRCAT融合研
-
水口 将輝
東北大学金属材料研究所
-
佐藤 俊彦
Jrcat
-
安藤 功見
電子技術総合研究所
-
長浜 太郎
JRCAT-融合研
-
鈴木 義茂
JRCAT
-
ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
-
ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
-
鈴木 義茂
Jrcat-融合研
-
川上 隆輝
産総研エレクトロニクス
-
薬師寺 啓
産総研エレクトロニクス
-
薬師寺 啓
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
久保田 均
AISTナノスピントロニクス研究センター
-
長浜 太郎
産総研エレクトロニクス:CREST-JST
-
湯浅 新治
産総研エレクトロニクス:
-
鈴木 茂
産総研エレクトロニクス
著作論文
- スピン注入素子の高周波特性 : 発振・ダイオード効果とマグネティックノイズ
- 高品質強磁性トンネル接合素子の作製
- 28pPSA-12 単結晶強磁性トンネル接合素子における量子サイズ効果と熱処理
- 23pWL-13 トンネル磁気抵抗素子に加わるスピントルクのバイアス電圧依存性(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aQG-5 MgO-強磁性トンネルトランジスタ出力特性のショットキーバリア高さ依存性(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pWK-7 MgO-強磁性トンネルトランジスタのTMRとMC効果(24pWK 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pWD-9 MgOトンネルバリアを持つ強磁性トンネルトランジスタの伝導特性(薄膜・人工格子磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 24aXN-2 超薄Fe(100)電極層を持つTMR素子の低温におけるTMR効果の異常(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 超薄Fe(100)電極層を持つTMR素子の磁気抵抗効果
- 超薄Fe(100)強磁性電極によるトンネル磁気抵抗効果の増大
- 22pWA-11 層状反強磁性 Cr (001) 挿入層による TMR 効果の振動
- 30pWD-6 強磁性金属トンネル素子における量子サイズ効果と界面効果
- 30pWD-6 強磁性金属トンネル素子における量子サイズ効果と界面効果
- トンネル磁気抵抗素子におけるスピン依存量子サイズ効果の理論
- 18pWA-5 極薄Fe(100)電極を持つ強磁性トンネル接合の量子井戸効果
- 18pWA-4 スピン偏極量子井戸準位へのトンネル電子の注入
- 強磁性トンネル接合のTMR効果と量子サイズ効果
- 8aWA-1 Cr(001)超薄膜を挿入した強磁性トンネル接合のTMR効果(トンネル磁気抵抗・メゾスコピック伝導,領域3)
- 25pXJ-1 Cr超薄膜電極を持つ強磁性トンネル接合のTMRの振動(25pXJ 強磁性トンネル接合・磁壁,領域3(磁性,磁気共鳴分野))
- 25pXJ-2 トンネル磁気抵抗素子における量子サイズ効果の理論(25pXJ 強磁性トンネル接合・磁壁,領域3(磁性,磁気共鳴分野))