齋藤 秀和 | Jstさきがけ
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概要
関連著者
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齋藤 秀和
Jstさきがけ
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湯浅 新治
産総研エレクトロニクス
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長濱 太郎
産総研
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長浜 太郎
産総研
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長浜 太郎
産総研エレクトロニクス
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湯浅 新治
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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長浜 太郎
京大化研
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長浜 太郎
産総研エレクトロニクス部門
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湯浅 新治
産総研エレ
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長浜 太郎
Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University
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朝倉 大輔
産総研
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小出 常晴
KEK-PF
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朝倉 大輔
高工研PF
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小出 常晴
高工研PF
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齋藤 秀和
産総研
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安藤 功見
産総研
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小出 常晴
高エネ研
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小出 常晴
高エネルギー物理学研究所放射光実験施設
著作論文
- 24aWJ-6 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのMn,Ga,およびAs L_-吸収端XMCD測定(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pTA-7 Ga_Mn_xAsのMn L-,及びGa L-吸収端XMCD(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aQG-5 MgO-強磁性トンネルトランジスタ出力特性のショットキーバリア高さ依存性(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pWK-7 MgO-強磁性トンネルトランジスタのTMRとMC効果(24pWK 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pWD-9 MgOトンネルバリアを持つ強磁性トンネルトランジスタの伝導特性(薄膜・人工格子磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)