長浜 太郎 | 産総研エレクトロニクス部門
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概要
関連著者
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長濱 太郎
産総研
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長浜 太郎
産総研
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長浜 太郎
京大化研
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長浜 太郎
産総研エレクトロニクス部門
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長浜 太郎
Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University
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湯浅 新治
産総研
-
鈴木 義茂
電総研
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鈴木 義茂
大阪大 大学院
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福島 章雄
産総研
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長浜 太郎
産総研エレクトロニクス
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湯浅 新治
産総研エレクトロニクス
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湯浅 新治
電総研
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片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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湯浅 新治
産総研エレ
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長浜 太郎
産業技術総合研究所
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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喜多 英治
筑波大物工
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久保田 均
産総研
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福島 章雄
産業技術総合研究所
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湯浅 新治
産業技術総合研究所
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柳原 英人
筑波大物工
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片山 利一
産総研
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齋藤 秀和
Jstさきがけ
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湯浅 新治
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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黒崎 義成
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門:筑波大学数理物質科学研究科
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久保田 均
産業技術総合研
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小出 常晴
高エ研PF
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三代川 廣野
東邦大理
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小出 常晴
高エネ研
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久保田 均
産業技術総合研究所
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間宮 一敏
高エネ研
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田中 勝
筑波大物工
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島田 和明
筑波大物工
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鈴木 義茂
産総研
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小出 常晴
高エネルギー物理学研究所放射光実験施設
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小出 常晴
高エネルギー物理学研究所
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水口 将輝
東北大金研
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水口 将輝
東北大学金属材料研究所
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間宮 一敏
原子力機構放射光
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斉藤 敏明
東邦大理
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花島 幸司
東邦大・理
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斉藤 真司
分子研
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鈴木 義茂
産総研エレクトロニクス
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斉藤 真二
東邦大学
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齋藤 敏明
東邦大・理
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黒崎 義成
産総研エレクトロニクス
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神野 友之
東邦大学
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福島 章雄
AISTナノスピントロニクス研究センター
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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大兼 幹彦
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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宮崎 照宣
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)
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安藤 康夫
東北大工
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鈴木 義茂
阪大院基礎工
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前原 大樹
キャノンアネルバ
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鈴木 義茂
大阪大学大学院基礎工学研究科
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長田 智明
キヤノンアネルバ株式会社
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鈴木 義茂
阪大基礎工
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水口 将輝
阪大基礎工
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薬師寺 啓
産業技術総合研究所
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安藤 功兒
産業技術総合研究所
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水口 将輝
阪大院基礎工
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花島 幸司
東邦大理
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所
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前原 大樹
アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
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設楽 哲夫
高エ研PF
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宮越 健史
東北大学大学院
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宮崎 照宜
東北大学大学院
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久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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小林 明子
アネルバ株式会社
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長田 智明
アネルバ株式会社
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原市 聡
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
設楽 哲夫
KEK-PF
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設楽 哲夫
高エネ研PF
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小出 常晴
高エネ研PF
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萩原 潤弥
筑波大物工
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神野 友之
東邦大学理学部
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齋藤 真司
東邦大学理学部
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三代川 廣野
東邦大学理学部
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齊藤 敏明
東邦大学理学部
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花島 幸司
東邦大学
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黒崎 義成
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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鈴木 義茂
(現)大阪大学大学院基礎工学科
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間宮 一敏
高エネ研PF
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斉藤 真二
東邦大理
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神野 友之
東邦大理
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原市 聡
産総研エレ
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宮崎 照宣
東北大工
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鈴木 義茂
大阪大学基礎工
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宮崎 照宣
東北大 原子分子材料科学高等研究機構
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宮崎 照宣
東北大・工
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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Yonezawa Tetsu
Division Of Materials Science And Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University
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薬師寺 啓
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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安藤 功兒
産業技術総合研
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Miyazaki T
Faculty Of Engineering Kanazawa University
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Nagahama Taro
Division Of Materials Chemistry Faculty Of Engineering Hokkaido University
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喜多 英治
筑波大学数理物質系物理工学域
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Shimada Toshihiro
Division Of Materials Chemistry Faculty Of Engineering Hokkaido University
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KUBOTA Shosei
Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University
-
Kubota Shosei
Division Of Materials Chemistry Faculty Of Engineering Hokkaido University
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久保田 均
AISTナノスピントロニクス研究センター
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原市 聡
産業技術総合研究所 電子光技術研究部門
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科
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大兼 幹彦
東北大学大学院工学研究科
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鈴木 義茂
大阪大学:産総研:CREST-JST
-
鈴木 義茂
大阪大学
著作論文
- 20aPS-22 スピネル型強磁性絶縁体を用いたMTJの作製と評価(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aXN-1 Fe/MgO/Fe強磁性トンネル接合の非弾性電子トンネル分光(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
- CO+NH_3を用いたエッチングにより形成したTMR素子
- 22aQG-4 γ-Fe_2O_3を障壁層に用いたスピンフィルター型MTJ(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- L1_0型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性
- 19aYB-1 エピタキシャルFe(001)/MgO(001)/bcc-Co(001)磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗効果(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- トンネル磁気抵抗効果のFe(001)電極膜厚依存性(薄膜)
- X線吸収及びX線磁気円二色性で評価したMgO(001)トンネル障壁界面Fe(001)単原子層の磁気状態
- 13aWB-8 単結晶 Fe/MgO/Fe(001) 接合における下部 Fe(001) 界面の磁気状態とトンネル磁気抵抗効果(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
- 18pTB-11 トンネル磁気抵抗素子の構造と伝導特性の相関(18pTB 磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aQG-5 MgO-強磁性トンネルトランジスタ出力特性のショットキーバリア高さ依存性(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pWK-7 MgO-強磁性トンネルトランジスタのTMRとMC効果(24pWK 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pWD-9 MgOトンネルバリアを持つ強磁性トンネルトランジスタの伝導特性(薄膜・人工格子磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 24aXN-2 超薄Fe(100)電極層を持つTMR素子の低温におけるTMR効果の異常(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
- Al_2O_3を障壁層に用いたトンネル磁気抵抗薄膜における各層成長過程のSTM観察
- 超薄Fe(100)電極層を持つTMR素子の磁気抵抗効果
- 金属スピントロニクスの展開
- 22pYJ-8 結晶性MgOトンネルバリアの精密構造制御とコヒーレントスピントンネル(領域9,領域7合同シンポジウム主題:精密に原子配列させた1nm構造体が示す特徴的な物性と展望,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aPS-17 γ-Fe_2O_3を用いたスピンフィルタ型MTJの作製と評価(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- Change in the Morphology of the Terrace Edges on Graphite Surfaces by Electrochemical Reduction