安藤 功兒 | 産業技術総合研
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概要
関連著者
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安藤 功兒
産業技術総合研
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安藤 功兒
産業技術総合研究所
-
湯浅 新治
産業技術総合研究所
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安藤 功兒
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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齋藤 秀和
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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福島 章雄
産業技術総合研究所
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久保田 均
産業技術総合研
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久保田 均
産業技術総合研究所
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湯浅 新治
電総研
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湯浅 新治
産総研
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福島 章雄
産総研
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薬師寺 啓
産業技術総合研究所
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久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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安藤 功兒
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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久保田 均
産総研
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山形 伸二
東邦大学
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Zayets V
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
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Zayets V.
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Zayets Vadym
Nanoelectronics Research Institute Aist
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薬師寺 啓
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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渡辺 直樹
キャノンアネルバ
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前原 大樹
キャノンアネルバ
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恒川 孝二
キャノンアネルバ
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前原 大樹
キヤノンアネルバ株式会社
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恒川 孝二
キヤノンアネルバ株式会社
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渡辺 直樹
キヤノンアネルバ株式会社
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ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
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ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
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湯浅 新治
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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久保田 均
AISTナノスピントロニクス研究センター
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鈴木 義茂
大阪大学大学院基礎工学研究科
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ジャヤプラウィラ ダビッド
キヤノンアネルバ株式会社
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大谷 裕一
産業技術総合研究所
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鈴木 義茂
電総研
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斎藤 秀和
産総研
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Agarwal K.
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Zayets Vadym
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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鈴木 義茂
大阪大 大学院
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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安藤 功兒
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
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谷口 知大
産業技術総合研究所(AIST)
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今村 裕志
産業技術総合研究所
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永峰 佳紀
キャノンアネルバ
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長峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
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岡田 英里子
キヤノンアネルバ株式会社
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長井 基将
キヤノンアネルバ株式会社
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所
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高梨 弘毅
東北大学金属材料研究所
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長浜 太郎
産業技術総合研究所
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長濱 太郎
産総研
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長浜 太郎
産総研
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山本 淳
産業技術総合研究所
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片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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品川 公成
東邦大
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藤田 忍
東芝研究開発センター
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與田 博明
東芝研究開発センター
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鈴木 義茂
大阪大学基礎工
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塩田 陽一
大阪大学大学院基礎工学研究科
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山本 明日香
東邦大学
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山本 淳
産業技術総合研
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関 貴之
産業技術総合研究所
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齋藤 秀和
科学技術振興機構さきがけ
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品川 公成
東邦大学理学部
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長浜 太郎
京大化研
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DEBNATH Mukul
JSPSフェロー
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山形 伸二
東邦大学理学部
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斎藤 秀和
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Zayets Vadim
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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長浜 太郎
産総研エレクトロニクス部門
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品川 公成
東邦大 理
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甲野藤 真
産業技術総合研 つくば中央第4事業所
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荒井 礼子
産業技術総合研究所
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品川 公成
東邦大学 理学部
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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関 貴之
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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杉原 敦
産業技術総合研究所
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北川 英二
東芝研究開発センター
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下村 尚治
東芝研究開発センター
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前原 大樹
産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
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福島 章雄
AISTナノスピントロニクス研究センター
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鈴木 義茂
大阪大学:産総研:CREST-JST
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長浜 太郎
Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University
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鈴木 義茂
大阪大学
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野崎 隆行
産業技術総合研究所
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安部 恵子
東芝研究開発センター
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伊藤 順一
東芝研究開発センター
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野村 久美子
東芝研究開発センター
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BONELL Frederic
大阪大学大学院基礎工学研究科
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野口 紘希
東芝研究開発センター
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福島 章雄
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター:科学技術振興機構
著作論文
- MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
- 極薄Mg層を挿入したMgO障壁層を用いた磁気トンネル接合に関する評価
- MgOバリアを用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転
- L1_0型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性
- スピンダイス : 磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器
- 4E-1 スピン注入磁化反転を用いた乱数発生器(セキュリティ(1),一般セッション,セキュリティ)
- 金属/絶縁体/半導体(MIS)磁気トンネルダイオードにおけるスピン依存伝導
- 金属/絶縁体/半導体(MIS)磁気トンネルダイオードの作製とスピン依存伝導特性 : スピン・トンネルトランジスタの実現を目指して
- GaMnAs系MTJにおけるスピン依存伝導特性
- MCD分光法で探る強磁性半導体の電子構造
- エピタキシャル(Zn, Cr)Te/GaAs/(Ga, Mn)As三層構造の磁気的性質
- 希薄磁性半導体 : 新材料開発と課題
- 室温で強磁性を示す希薄磁性半導体(Zn,Cr)Te
- 希薄磁性半導体(Zn, Cr)Teにおける巨大磁気抵抗効果
- 希薄磁性半導体(Zn, Cr)Teの磁気的性質に及ぼすZn/Te供給比の影響
- 希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの強磁性特性(磁性体物理)
- 高濃度Crドープ希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの強磁性特性
- Cu-Ni/Ru素子におけるペルチェ効果に対するCu-Ni膜厚の影響
- 応用事例 スピントロニクス (特集 応用広がる磁性材料)
- 不揮発性メモリMRAMの現状と将来展望(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))