今村 裕志 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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今村 裕志
産業技術総合研究所
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今村 裕志
産総研ナノテク
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今村 裕志
産総研ナノシス
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今村 裕志
Crest
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力武 克彰
仙台電波高専:crest-jst
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今村 裕志
産総研・ナノシステム研究部門
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前川 禎通
東北大金研
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小坂 英男
東北大通研
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力武 克彰
仙台高専
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高橋 三郎
東北大金研:crest
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高橋 三郎
東北大金研
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谷口 知大
筑波大:産総研ナノテク
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三森 康義
東北大通研
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枝松 圭一
東北大通研
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力武 克彰
CREST-JST
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今村 裕志
東北大院情報
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稲垣 卓弘
東北大通研
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枝松 圭一
東北大学通研
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三森 康義
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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小坂 英男
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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今村 裕志
産業技術総合研究所(AIST)
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力武 克彰
仙台電波高専
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余越 伸彦
産総研ナノテク:jst-crest
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谷口 知大
東北大金研
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今村 裕志
東北大金研
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Rikitake Yoshiaki
Crest-jst:nanotechnology Research Institute National Institute Of Advanced Industrial Science And Te
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谷口 知大
産業技術総合研究所(AIST)
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執行 英樹
東北大通研
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海老澤 丕道
東北大
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海老澤 丕道
東北大 情報
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金子 智昭
産総研ナノシス
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金子 智昭
産総研ナノシステム
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谷口 知大
筑波大
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久津輪 武史
CREST-JST
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山下 太郎
東北大金研
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小坂 英男
CREST-JST
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針谷 喜久雄
産総研ナノシステム部門
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海老澤 丕道
東北大院情報
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荒井 礼子
産業技術総合研究所
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今村 裕志
東北大工
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高河原 俊秀
京都工芸繊維大学大学院電子システム工学専攻
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今村 裕志
東北大院工
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力武 克彰
東北大院情報
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今村 裕志
東北大学情報科学研究科
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針谷 喜久雄
産総研・ナノシステム研究部門
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三宅 耕作
東北大工
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内海 裕洋
東大物性研
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余越 伸彦
JST-CREST
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高梨 弘毅
東北大金研
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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水上 成美
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)
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家形 諭
産業技術総合研究所(AIST)
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大兼 幹彦
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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宮崎 照宣
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)
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高梨 弘毅
東北大学金属材料研究所
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佐橋 政司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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佐橋 政司
(株)東芝 研究開発センター
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佐藤 政司
(株)東芝研究開発センター、材料・デバイス研究所
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小山 富男
東北大金研
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三谷 誠司
物材機構
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三谷 誠司
東北大金研
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林 正彦
秋田大学教育文:crest-jst
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佐橋 政司
東北大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
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林 正彦
東北大院情報
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宮崎 照宣
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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小林 伸彦
理化学研究所
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Takanashi K
Institute For Materials Research Tohoku University
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佐橋 政司
東北大工
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土井 正晶
東北大工
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三宅 耕作
東北大学大学院工学研究科
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前川 禎通
東北大 金研
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高橋 三郎
東北大 金研
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水上 成美
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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三森 康義
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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市村 雅彦
日立基礎研:東北大金研
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大兼 幹彦
Graduate School Of Engineering Tohoku University
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高河原 俊秀
CREST-JST
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今村 裕志
産総研
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高梨 弘毅
東北大学
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針谷 喜久雄
産総研ナノシステム
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科
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水上 成美
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI-AIMR)
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大兼 幹彦
東北大学大学院工学研究科
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小山 富男
東北大学金属材料研究所
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今村 裕志
JST-CREST
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安藤 康夫
東北大工
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鈴木 義茂
大阪大学大学院基礎工学研究科
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福島 章雄
産業技術総合研究所
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薬師寺 啓
産業技術総合研究所
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湯浅 新治
産業技術総合研究所
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人見 隆太
東北大通研
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永沼 博
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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青木 達也
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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三宅 耕作
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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土井 正晶
東北大学大学院工学研究科
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市村 雅彦
日立基礎研
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関 剛斎
東北大学金属材料研究所
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長谷川 裕
東北大学金属材料研究所
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王 海
東北大金研
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関 剛斎
東北大金研
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長谷川 裕
東北大金研
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今村 裕志
東北大情科研
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Fert A.
CNRS
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前川 禎通
CREST-JST
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藤田 忍
東芝研究開発センター
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家田 淳一
(現)日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター:東北大学金属材料研究所
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宮崎 照宣
東北大工
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與田 博明
東芝研究開発センター
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家田 淳一
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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Takanashi K
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:the Research Institute For Iron Steel And Othe
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山下 太郎
東北大学
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上野 若菜
東北大通研
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針谷 喜久雄
産総研ナノテク
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塩田 陽一
大阪大学大学院基礎工学研究科
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高橋 三郎
東北大学金属材料研究所
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前川 禎通
東北大学金属材料研究所
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小林 伸彦
理化学研究所表面界面工学研究室
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宮崎 照宣
東北大 原子分子材料科学高等研究機構
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塚原 宙
産総研計算科学:jst Crest
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宮崎 照宣
東北大・工
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河崎 昇平
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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崎 慶伸
東北大院工
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河崎 昇平
東北大工
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市村 雅彦
東北大金研:日立基礎研
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小林 伸彦
理研
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久津輪 武史
GREST-JST
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新井 宏一郎
GREST-JST
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今村 裕志
GREST-JST
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力武 克彰
GREST-JST
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高河原 俊秀
GREST-JST
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内海 裕洋
理研
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嶋 敏之
東北学院大学 工学部
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上野 若菜
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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甲野藤 真
産業技術総合研 つくば中央第4事業所
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Levy Peter
New York University
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谷口 知大
産総研ナノテク
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前川 偵通
東北大金研
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谷口 知大
東北大工
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渡邉 大輔
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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余越 伸彦
阪府大院工
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前川 偵通
東北大金研:crest
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上野 若菜
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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新井 宏一郎
Crest-jst:erato-jst
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井波 暢人
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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久保田 均
産業技術総合研
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家田 淳一
CREST-JST
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高橋 三郎
CREST-JST
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Bruno Patrick
Mpi-halle
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菊池 啓一郎
東北大金研
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今村 裕志
東北大情報科学研究科
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佐藤 浩太郎
東北学院大学 工学部
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井波 暢人
北陸先端大:crest-jst
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力武 克彰
CRIEST
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今村 裕志
CRIEST
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小坂 英男
CRIEST
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安藤 功兒
産業技術総合研
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北川 英二
東芝研究開発センター
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下村 尚治
東芝研究開発センター
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Miyazaki T
Faculty Of Engineering Kanazawa University
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崎 慶伸
東北大工
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田中 傑
東工大応セラ研
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真島 豊
東工大応セラ研
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小山 富男
東北大.金研
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内海 裕洋
東北大院情報
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力武 克彰
東北大学情報科学研究科
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海老澤 丕道
東北大学情報科学研究科
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金子 智昭
産総研
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嶋 敏之
東北学院大工
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前原 大樹
産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
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荒井 礼子
産総研ナノシステム
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塚原 宙
産業技術総合研究所ナノシステム研究部門
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Miyajima Toyoo
Tohoku Univ. Sendai Jpn
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玉川 聖
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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家田 淳一
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター:科学技術振興機構(JST)CREST
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谷口 知大
産総研ナノスピン
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佐橋 政司
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻
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野崎 隆行
産業技術総合研究所
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佐橋 政司
東北大学大学院工学研究科
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安部 恵子
東芝研究開発センター
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伊藤 順一
東芝研究開発センター
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野村 久美子
東芝研究開発センター
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BONELL Frederic
大阪大学大学院基礎工学研究科
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野口 紘希
東芝研究開発センター
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福島 章雄
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター:科学技術振興機構
著作論文
- 21aHV-6 荷電励起子の自然放出光を用いた2電子エンタングルメント生成(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHL-11 電子スピン状態トモグラフィ測定の基底依存性の実験的検証(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 20pGJ-14 スピンスパイラルの磁気抵抗効果に関する理論的研究(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aHL-12 タイムビン光子から半導体中の電子スピンへの状態転写の実験(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 28aYE-4 強磁性体/超伝導体/強磁性体2重トンネル接合におけるスピン注入と磁気抵抗
- 人工分子の量子状態と単一電子スピントロニクス
- 30pTX-10 半導体二重量子ドットにおけるスピン状態測定(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYF-9 横型二重量子ドットにおけるチャージポンピングとベリーの位相(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aVD-6 強磁性多層膜の強磁性共鳴におけるスピンポンピングの効果の理論的研究(スピン流・スピンホール,領域3,磁性,磁気共鳴)
- スピンポンピングによるスピン流の創出と物理現象
- 23pWL-2 スピンポンピングにおける自由層厚み依存性の理論的研究(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aPS-26 磁気光学効果による半導体量子井戸の吸収率変化を利用した電子スピンのコヒーレンス測定(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 28pVA-14 磁気光学カー効果による電子スピン状態トモグラフィ測定(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 28pVA-13 光から電子スピンへのコヒーレンス転写の忠実度についての考察(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 30aSK-10 タイムビン光子量子ビットからスピン量子ビットへの量子状態転写(30aSK 量子エレクトロニクス(量子コンピュータ,量子通信,量子情報,エンタングルメント),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 24aWL-5 非磁性島電極を有する微小2重トンネル接合におけるスピン蓄積の増大と磁気抵抗効果(24aWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22pWB-9 FePt/Auナノ構造素子におけるスピンホール効果(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 28pYB-13 ジョセフソン接合系でのスピンカレントの理論
- 28pYB-11 超伝導体におけるスピン伝導
- スピン注入型ジョセフソン接合におけるスピン電流
- ナノ狭窄型磁気抵抗効果に関する最近の研究
- 24aWP-7 狭窄部分に閉じ込められた磁気構造の磁気力顕微鏡像の計算(24aWP 磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pRP-8 g因子制御量子ドットを用いた量子情報処理(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pRA-15 2層ナノグラフェンにおける電子密度分布(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pPSB-63 共振器中量子ドット間への量子もつれ配信手法の提案(23pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- スピントルク磁化反転におけるスピンダイナミクス
- 23aXJ-5 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子構造における負の偏極(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWP-8 ナノ狭窄磁壁における電流誘起マイクロ波発振の理論的研究(24aWP 磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 磁性ポイントコンタクトにおける磁気抵抗の理論的研究
- 24pYQ-10 磁性ポイント・コンタクトにおけるコンダクタンスの量子化と磁気抵抗
- 27pTF-6 磁壁に生じるスピントルクの理論的研究(27pTF 細線・トルク,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22pWB-8 スピンポンピングにおける横スピン緩和の理論的研究(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 22pWB-11 磁壁を含むナノ狭窄構造薄膜における磁気抵抗の理論的研究(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 18pZC-4 2つの強磁性層を持つスピンバルブにおけるスピンポンピングの理論的研究(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pZC-11 電流狭窄系における磁気抵抗の理論的研究(9pZC 領域3,領域4合同招待講演,微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aXH-3 2つの強磁性電極を持つCPP-GMR構造におけるスピン注入磁化反転の理論的研究(24aXH 薄膜,微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29pSC-2 スピン注入磁化反転における臨界電流の磁場依存性(29pSC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pRP-8 g因子制御量子ドットを用いた量子情報処理(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aXH-4 ねじれたスピン構造を持つ磁性多層膜におけるCPP-GMRの理論的研究(24aXH 薄膜,微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pYB-12 磁性ナノ構造「ゼロ次元系」におけるスピン蓄積の理論解析(微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aYE-4 強磁性体/超伝導体/強磁性体2重トンネル接合におけるスピン注入と磁気抵抗
- 28pYB-10 強磁性/超伝導点接触におけるスピン依存電気伝導の理論的研究
- 23aE-5 強磁性トンネル接合におけるスピン注入と輸送特性
- 25aYQ-3 強磁性体/超伝導体雄接合におけるスピン注入と超伝導
- 31a-A-13 磁性体グラニュラー薄膜のSTMにおけるスピン依存伝導
- 31a-A-11 強磁性体/超伝導体/強磁性体トンネル接合における超伝導抑制と磁気抵抗
- 25p-YG-13 微小2重トンネル接合のスピン依存伝導
- 25p-YG-13 微小2重トンネル接合のスピン依存伝導
- 15aTF-2 RKKY 相互作用で結合する 2 スピン系のデコヒーレンス(量子エレクトロニクス, 領域 1)
- 22pTH-12 光子から電子スピンへの量子状態転写 : ポピュレーション転写からコヒーレンス転写へ 2(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aTA-8 光子から電子スピンへの量子状態転写 : ポピュレーション転写からコヒーレンス転写へ(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pZA-11 光子から電子スピンへのコヒーレンス転写とスピン状態トモグラフィ(22pZA 量子エレクトロニクス(量子光学・量子情報・量子エレクトロニクス一般),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pWH-1 光子から電子スピンへの量子メディア変換III : 電子スピン状態トモグラフィ測定(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pWH-2 光学応答による電子スピン状態トモグラフィの理論解析(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pWH-3 光子スピン量子メディア変換の忠実度測定(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aPS-128 電界閉じ込め量子ドットに励起された励起子の電子-正孔乖離過程の解析(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pPSB-5 光学応答による電子スピンコヒーレンス観測の理論解析(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pRB-10 高フィデリティな光子スピン量子状態転写を実現するためのデバイス条件の解析(25pRB 量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aXC-6 光子スピン量子状態転写のための量子力学的デバイス設計(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aWA-13 光子-電子スピン量子メディア変換の理論的解析(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21pWF-6 Rashba効果を介した相互作用量子ドットシステム(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aTA-9 2層ナノグラフェン,BN系等における電子密度分布(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aHF-11 磁性ナノコンタクトによって生じるリング状のMFM観察パターン(28aHF スピントロニクス(スピンホール効果,ナノ磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29pTB-6 ポイントコンタクトと結合した量子ビットのデコヒーレンス
- 23aTF-12 スピン-光子結合量子ゲートのダイナミクス
- 29pYA-1 量子ドット内のスピンを用いた量子ビットと光子量子ビットとの結合系のダイナミクス
- 23aRA-2 ナノコンタクト磁気抵抗素子における磁気渦双極子振動の理論的研究(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aRA-1 ポイントコンタクトにおけるスピン波励起の理論的研究(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aTE-1 ジグザグBCNナノリボンの第一原理計算(24aTE グラフェン・層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTE-11 グラフェン/Au界面におけるTi薄膜の挿入の効果(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 不揮発性メモリMRAMの現状と将来展望(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))