薬師寺 啓 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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薬師寺 啓
産業技術総合研究所
-
久保田 均
産業技術総合研
-
久保田 均
産業技術総合研究所
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福島 章雄
産業技術総合研究所
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湯浅 新治
産業技術総合研究所
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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湯浅 新治
産総研
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久保田 均
産総研
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福島 章雄
産総研
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安藤 功兒
産業技術総合研究所
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湯浅 新治
電総研
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薬師寺 啓
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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安藤 功兒
産業技術総合研
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久保田 均
AISTナノスピントロニクス研究センター
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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鈴木 義茂
電総研
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鈴木 義茂
大阪大 大学院
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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福島 章雄
AISTナノスピントロニクス研究センター
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鈴木 義茂
大阪大学大学院基礎工学研究科
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與田 博明
東芝研究開発センター
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鈴木 義茂
大阪大学基礎工
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関 貴之
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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北川 英二
東芝研究開発センター
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下村 尚治
東芝研究開発センター
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鈴木 義茂
大阪大学:産総研:CREST-JST
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鈴木 義茂
大阪大学
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谷口 知大
産業技術総合研究所(AIST)
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今村 裕志
産業技術総合研究所
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渡辺 直樹
キャノンアネルバ
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冨田 博之
阪大院基礎工
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前原 大樹
キャノンアネルバ
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永峰 佳紀
キャノンアネルバ
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恒川 孝二
キャノンアネルバ
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前原 大樹
キヤノンアネルバ株式会社
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恒川 孝二
キヤノンアネルバ株式会社
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ジャヤプラウィラ ダビッド
キヤノンアネルバ株式会社
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渡辺 直樹
キヤノンアネルバ株式会社
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鈴木 義茂
阪大基礎工
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久保田 均
産総研エレクトロニクス
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福島 章雄
産総研エレクトロニクス
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湯浅 新治
産総研エレクトロニクス
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大谷 裕一
産業技術総合研究所
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長峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
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高梨 弘毅
東北大学金属材料研究所
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久保田 均
独立行政法人産業技術総合研究所,エレクトロニクス研究部門
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大坊 忠臣
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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大坊 忠臣
東北大工
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長浜 太郎
産業技術総合研究所
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吉川 将寿
(株)東芝 研究開発センター
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長濱 太郎
産総研
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野崎 隆行
阪大院基礎工:jstさきがけ
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長浜 太郎
産総研
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池川 純夫
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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山本 淳
産業技術総合研究所
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片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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藤田 忍
東芝研究開発センター
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池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
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與田 博明
東芝
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
-
ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
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塩田 陽一
大阪大学大学院基礎工学研究科
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薬師寺 啓
産総研エレクトロニクス
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安藤 功兒
産総研エレクトロニクス
-
山本 淳
産業技術総合研
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関 貴之
産業技術総合研究所
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長浜 太郎
京大化研
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長浜 太郎
産総研エレクトロニクス部門
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甲野藤 真
産業技術総合研 つくば中央第4事業所
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荒井 礼子
産業技術総合研究所
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下村 尚治
(株)東芝研究開発センター
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田村 英一
Jrcat-atp
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安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所
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福島 章雄
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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野崎 隆行
大阪大学基礎工学研究科
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石橋 翔太
大阪大学基礎工学部
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冨田 博之
大阪大学基礎工学部
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前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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杉原 敦
産業技術総合研究所
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吉川 将寿
東芝研究開発センター
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長瀬 俊彦
東芝研究開発センター
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大坊 忠臣
東芝研究開発センター
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長嶺 真
東芝研究開発センター
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池川 純夫
東芝研究開発センター
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前原 大樹
産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
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湯浅 新治
産総研エレ
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長浜 太郎
Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University
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三輪 真嗣
大阪大学
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田村 英一
大阪大学
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猿谷 武史
産業技術総合研究所
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石橋 翔太
大阪大学
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池川 純夫
東芝研究開発セ
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野崎 隆行
産業技術総合研究所
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安部 恵子
東芝研究開発センター
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伊藤 順一
東芝研究開発センター
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野村 久美子
東芝研究開発センター
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BONELL Frederic
大阪大学大学院基礎工学研究科
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野口 紘希
東芝研究開発センター
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福島 章雄
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター:科学技術振興機構
著作論文
- MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
- L1_0型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性
- 23pWL-13 トンネル磁気抵抗素子に加わるスピントルクのバイアス電圧依存性(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピンダイス : 磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器
- 4E-1 スピン注入磁化反転を用いた乱数発生器(セキュリティ(1),一般セッション,セキュリティ)
- Cu-Ni/Ru素子におけるペルチェ効果に対するCu-Ni膜厚の影響
- スピンを用いた物理乱数発生器「スピンダイス」
- 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転
- 大容量スピンRAMの実現に向けた垂直磁化MTJの開発 (特集 磁性薄膜研究の最前線(1)合金薄膜形成技術)
- 27pKF-4 非線形熱励起による低周波磁気ノイズ(スピントロニクス(磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 不揮発性メモリMRAMの現状と将来展望(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))