福島 章雄 | AISTナノスピントロニクス研究センター
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概要
関連著者
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福島 章雄
AISTナノスピントロニクス研究センター
-
福島 章雄
産総研
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湯浅 新治
産総研
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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湯浅 新治
電総研
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久保田 均
産業技術総合研究所
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久保田 均
AISTナノスピントロニクス研究センター
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久保田 均
産総研
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久保田 均
産業技術総合研
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福島 章雄
産業技術総合研究所
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湯浅 新治
産業技術総合研究所
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関 貴之
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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小野 輝男
京大化研
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荒川 智紀
京大化研
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知田 健作
京大化研
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千葉 大地
京大化研
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冨田 博之
阪大院基礎工
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鈴木 義茂
電総研
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久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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西原 禎孝
京大化研
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鈴木 義茂
大阪大 大学院
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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冨田 博之
大阪大学基礎工学部
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野崎 隆行
阪大院基礎工:jstさきがけ
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薬師寺 啓
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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小林 研介
(独) 物質・材料研究機構 共用ビームステーション
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小野 輝男
京都大学化学研究所
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関口 康爾
京大化研
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小林 研介
京大化研
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中村 秀司
京大化研
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喜多 英治
筑波大物工
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升方 康智
阪大院基礎工
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前原 大樹
キャノンアネルバ
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薬師寺 啓
産業技術総合研究所
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柳原 英人
筑波大物工
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島田 和明
筑波大物工
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鈴木 義茂
大阪大学基礎工
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関 貴之
産業技術総合研究所
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野崎 隆行
大阪大学基礎工学研究科
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升方 康智
大阪大学基礎工学部
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石橋 翔太
大阪大学基礎工学部
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前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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加藤 健一
理研
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野崎 隆行
阪大院基礎工
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鈴木 義茂
阪大院基礎工
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安藤 功兒
産業技術総合研究所
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小林 賢介
阪市大院理
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田中 勝
筑波大物工
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長濱 太郎
産総研
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小野 輝男
慶大理工
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長浜 太郎
産総研
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三輪 真嗣
阪大院基礎工
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KOBAYASHI Keisuke
Japan Synchrotron Radiation Research Institute/SPring-8
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加藤 建一
高輝度光科学研究セ
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長浜 太郎
京大化研
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長浜 太郎
産総研エレクトロニクス部門
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小林 賢介
高エネ機構物構研CMRC
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樹神 克明
原子力研究開発機構
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前原 大樹
産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
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久保田 均
(独)産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
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福島 章雄
(独)産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
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湯浅 新治
(独)産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
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山口 明啓
(独)産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
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喜多 英治
筑波大学数理物質系物理工学域
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田中 崇大
京大化研
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長浜 太郎
Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University
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小野 輝男
大阪大院基礎工
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白石 誠司
阪大院基礎工
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新庄 輝也
阪大院基礎工
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渡辺 直樹
キャノンアネルバ
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関剛 斎
阪大院基礎工
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和田 朋之
阪大院基礎工
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山根 健量
阪大院基礎工
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TULAPURKAR A.
阪大院基礎工
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永峰 佳紀
キャノンアネルバ
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恒川 孝二
キャノンアネルバ
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DJAYAPRAWIRA D.
キャノンアネルバ
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鈴木 義茂
阪大基礎工
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
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久保田 均
独立行政法人産業技術総合研究所,エレクトロニクス研究部門
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大坊 忠臣
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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大坊 忠臣
東北大工
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吉川 将寿
(株)東芝 研究開発センター
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関口 康爾
京都大学化学研究所
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池川 純夫
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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新庄 輝也
京大 化研
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池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
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白石 誠司
大阪大学大学院基礎工学研究科
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與田 博明
東芝
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與田 博明
東芝研究開発センター
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野崎 隆行
阪大基礎工
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
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ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
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柳原 英人
筑波大数理物質
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喜多 英治
筑波大数理物質
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Shinjo Teruya
Chemical Research Institute Kyoto University
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湯浅 新治
京大化研
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湯浅 新治
AISTナノエレクトロニクス(科技団科学技術特別研究員)
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安藤 功兒
(独)産業技術総合研究所
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Shibuya T
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
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Tulapurkar A
阪大院基礎工
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下村 尚治
(株)東芝研究開発センター
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Shigematsu Toshihiko
Institute For Chemical Research Kyoto University:(present Address)konan University
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安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所
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福島 章雄
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
安藤 功兒
産業技術総合研
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吉川 将寿
東芝研究開発センター
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北川 英二
東芝研究開発センター
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長瀬 俊彦
東芝研究開発センター
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大坊 忠臣
東芝研究開発センター
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長嶺 真
東芝研究開発センター
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下村 尚治
東芝研究開発センター
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池川 純夫
東芝研究開発センター
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松尾 貞茂
東大院理
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島田 和明
筑波大数理
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安東 健
阪大基礎工
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石橋 翔太
阪大基礎工
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三輪 真嗣
阪大基礎工
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関 貴之
産総研ナノスピントロニクス研究センター
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久保田 均
産総研ナノスピントロニクス研究センター
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福島 章雄
産総研ナノスピントロニクス研究センター
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湯浅 新治
産総研ナノスピントロニクス研究センター
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野崎 隆行
産総研
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松尾 貞茂
京大化研
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薬師寺 啓
(独)産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
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猿谷 武史
(独)産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
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SHINJO Teruya
Institute for Chemical Research, Kyoto University
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関 貴之
AISTナノスピントロニクス研究センター
-
石橋 翔太
阪大院基礎工
-
安東 健
阪大院基礎工
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水落 憲和
阪大院基礎工
-
猿谷 武史
AISTナノスピントロニクス研究センター
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薬師寺 啓
AISTナノスピントロニクス研究センター
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山口 明啓
(独)産業技術総合研究所
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湯浅 新治
AISTナノスピントロニクス研究センター
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野崎 隆行
阪大院基礎工:AISTナノスピントロニクス研究センター
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小林 研介
阪大理物
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小林 研介
阪大理
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前田 正博
阪大理
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福島 章雄
産総研ナノスピン
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池川 純夫
東芝研究開発セ
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三輸 真嗣
阪大院基礎工:JST-CREST
著作論文
- 20aPS-22 スピネル型強磁性絶縁体を用いたMTJの作製と評価(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- MgO-MTJおよびCPP-GMRにおけるスピントルク発振 : 発振の高出力化および高周波化にむけて
- スピントロニクス技術による不揮発エレクトロニクスの創成--究極のグリーンIT機器の実現に向けて
- 24aWP-6 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定(24aWP 磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピンダイス : 磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器
- スピンを用いた物理乱数発生器「スピンダイス」
- MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器および一般)
- 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転
- MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器,一般)
- 26aHD-4 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定II(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aPS-17 γ-Fe_2O_3を用いたスピンフィルタ型MTJの作製と評価(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aPS-16 TiN/Fe_3O_4/Fe3層構造のCPP配置におけるトンネル型磁気抵抗効果(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aRA-6 トンネル磁気抵抗素子における電子のアンチバンチングの観測(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pRA-2 スピントルクダイオード測定によるスピントルクの温度依存性(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
- ナノ磁性体の強磁性共鳴 ((公社)日本磁気学会 第183回研究会 第39回スピンエレクトロニクス専門研究会 磁化のダイナミクスと磁気緩和の物理)
- 大容量スピンRAMの実現に向けた垂直磁化MTJの開発
- ナノ磁性体の強磁性共鳴
- 27aAA-4 FeBフリー層を有する磁気トンネル接合素子の巨大なRF検出感度(27aAA スピントロニクス(磁気渦・磁壁・磁気抵抗・スピントルク),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aXA-9 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音の膜厚依存性(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aXA-8 トンネル磁気抵抗素子における磁化ゆらぎに伴う低周波雑音(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))