西原 禎孝 | 京大化研
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概要
関連著者
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小野 輝男
京大化研
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西原 禎孝
京大化研
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荒川 智紀
京大化研
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知田 健作
京大化研
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小林 研介
(独) 物質・材料研究機構 共用ビームステーション
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加藤 建一
高輝度光科学研究セ
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千葉 大地
京大化研
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小林 研介
京大化研
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中村 秀司
京大化研
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小林 賢介
高エネ機構物構研CMRC
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小野 輝男
京都大学化学研究所
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松尾 貞茂
京大化研
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田中 崇大
京大化研
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KOBAYASHI Keisuke
Japan Synchrotron Radiation Research Institute/SPring-8
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小林 研介
阪大理物
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加藤 健一
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小野 輝男
慶大理工
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松尾 貞茂
東大院理
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小野 輝男
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小林 賢介
阪市大院理
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樹神 克明
原子力研究開発機構
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京大化研
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湯浅 新治
産総研
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福島 章雄
産総研
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町田 友樹
東大生産研
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好田 誠
東北大通研
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新田 淳作
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所:科学技術振興機構 Crest-jst
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新田 淳作
東北大
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福島 章雄
AISTナノスピントロニクス研究センター
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小林 研介
阪大理
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新田 淳作
東北大院工
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秦 徳郎
阪大理物
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荒川 智紀
阪大理物
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田中 崇大
阪大理物
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Ensslin K.
スイス連邦工科大
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福島 章雄
産業技術総合研究所
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湯浅 新治
電総研
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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好田 誠
東北大院工
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葛西 伸哉
物質・材料研究機構磁性材料センター
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山内 祥晃
京大化研
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湯浅 新治
産業技術総合研究所
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小山 知弘
京大化研
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関口 康爾
京都大学化学研究所
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千葉 大地
科学技術振興機構erato
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好田 誠
東北大工
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新田 淳作
東北大工
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Chang Cui-Zu
Institute of Physics, Chinese Academy of Science
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島村 一利
東大化研
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He Ke
Institute of Physics, Chinese Academy of Science
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Ma Xu-Cun
Institute of Physics, Chinese Academy of Science
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Komijani Y.
スイス連邦工科大
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Reuter D.
ルール大ボーフム
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前田 正博
阪大理
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田辺 賢士
阪大理物
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則元 将太
阪大理物
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葛西 伸哉
物材機構
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橋坂 昌幸
京大化研
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Leturcq R.
IEMN-CNRS
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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橋坂 昌幸
東工大極低温セ:東工大院物性物理
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三谷 誠司
物材機構
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都倉 康弘
Ntt基礎研
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湯浅 新治
京大化研
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都倉 康弘
Icorp:ntt物性基礎研
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内海 裕洋
三重大物工
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都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ
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野崎 隆行
産総研
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好田 誠
JST-PRESTO
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介川 裕章
物材機構
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小山 知弘
京都大学化学研究所
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松尾 貞茂
東大化研
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小山 知弘
東大化研
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荒川 智紀
東大化研
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西原 禎孝
東大化研
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千葉 大地
東大化研
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小林 研介
東大化研
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小野 輝男
東大化研
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島村 一利
京大化研
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Xue Qi-Kun
Institute for Materials Research, Tohoku University
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都倉 康弘
ICORP-JST:NTT物性基礎研
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介川 裕章
(独)物質・材料研究機構
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葛西 伸哉
(独)物質・材料研究機構
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三谷 誠司
(独)物質・材料研究機構
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齊藤 圭司
京大理
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子
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Xue Qi-kun
Institute of Physics, Chinese Academy of Science
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好田 誠
東北大院工:JSTさきがけ
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Wieck A.
ルール大ボーフム
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千葉 大地
東大物工
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荒川 智紀
阪大理
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前田 正博
阪大理物
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Wieck A.D
ルール大ボーフム
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田辺 賢士
阪大理
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田中 崇大
阪大理
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西原 禎考
京大化研
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則元 将太
阪大理
著作論文
- 24aWP-6 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定(24aWP 磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pPSB-62 電子系におけるマッハツェンダー干渉計の作製と評価(23pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 26aHD-4 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定II(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aPS-90 InGaAs二次元電子系に作製した量子ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音測定(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aHD-9 InGaAs二次元電子系上に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流雑音測定(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aRA-6 トンネル磁気抵抗素子における電子のアンチバンチングの観測(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pPSA-15 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3薄膜における輸送測定(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSA-7 InGaAs二次元電子系に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流揺らぎ測定II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTM-4 InGaAs二次元電子系上に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流雑音測定(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-5 InGaAs量子ポイントコンタクトを用いたRashbaスピン軌道相互作用による電気的スピン生成(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTL-10 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aAA-7 スピネル系バリアを有するトンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音(27aAA スピントロニクス(磁気渦・磁壁・磁気抵抗・スピントルク),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26pSA-11 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測II(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pCE-3 アハラノフ・ボームリングにおける非平衡揺らぎ関係(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pBJ-8 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3_薄膜の量子輸送効果(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pSA-16 単電子トランジスターを用いた量子輸送現象の実時間測定(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-8 量子ホール効果ブレークダウンに伴って発生する1/f雑音の評価(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18pPSA-26 スピネル系バリアを有するトンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音および1/f雑音(18pPSA 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・薄膜・人工格子・表面・スピングラス・磁気共鳴・実験技術・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aFB-4 InGaAs量子細線におけるコヒーレントな伝導チャネルの形成(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-11 単電子トランジスターを用いた量子輸送現象の実時間測定II(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-16 トポロジカル絶縁体Bi_2_Se_3_薄膜の量子輸送効果II(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXA-9 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音の膜厚依存性(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aXA-8 トンネル磁気抵抗素子における磁化ゆらぎに伴う低周波雑音(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aXQ-5 量子ホール状態にあるコルビノ型円盤における電流雑音測定(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSA-6 二次元正孔系に作製された量子細線における電流揺らぎの測定(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pPSA-7 電流ゆらぎ測定系に用いる低温アンプの改良(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pPSA-6 コルビノ円板における量子ホール効果ブレークダウンの観測(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pPSA-5 コルビノ型円振における量子ホール効果ブレークダウンの発現機構(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aDD-5 二次元正孔系に作製された量子細線における電流揺らぎの測定 II(量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aAW-12 コルビノ円板における非平衡量子ホール効果(28aAW 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))