新田 淳作 | 日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所:科学技術振興機構 Crest-jst
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概要
関連著者
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新田 淳作
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所:科学技術振興機構 Crest-jst
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新田 淳作
東北大
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好田 誠
東北大通研
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好田 誠
東北大院工:presto Jst
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小野 輝男
京都大学化学研究所
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小野 輝男
京大化研
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小林 研介
京大化研
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中村 秀司
京大化研
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小野 輝男
慶大理工
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KOBAYASHI Keisuke
Japan Synchrotron Radiation Research Institute/SPring-8
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西原 禎孝
京大化研
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小林 研介
(独) 物質・材料研究機構 共用ビームステーション
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小野 輝男
大阪大院基礎工
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荒川 智紀
京大化研
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知田 健作
京大化研
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新田 淳作
東北大院工
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好田 誠
東北大工
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新田 淳作
東北大工
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好田 誠
東北大院工
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関口 康爾
京大化研
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千葉 大地
京大化研
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新田 淳作
日本電信電話NTT物性研
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新田 淳作
NTT物性科学基礎研
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大江 純一郎
東北大金研:crest-jst
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新田 淳作
日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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高梨 弘毅
東北大金研
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宮崎 照宣
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)
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赤崎 達志
NTT物性基礎研
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高梨 弘毅
東北大学金属材料研究所
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山本 真幸
物材機構
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大槻 東巳
上智大理工
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関 剛斎
東北大学金属材料研究所
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関 剛斎
東北大金研
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野村 晋太郎
筑波大数理物質:ntt物性基礎研
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宮崎 照宣
東北大工
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Takanashi K
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:the Research Institute For Iron Steel And Othe
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都倉 康弘
Ntt基礎研
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新田 淳作
NTT基礎研究所
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高梨 弘毅
東北大学 金属材料研究所
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Morpurgo A.
デルフト工科大
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Takanashi K
Institute For Materials Research Tohoku University
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宮崎 照宣
東北大 原子分子材料科学高等研究機構
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宮崎 照宣
東北大・工
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野村 晋太郎
筑波大物質創成
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Morpurgo A.
デルフト工科大学
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大江 純一郎
ハンブルク大
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山本 真幸
ハンブルク大
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津村 公平
筑波大物質創成
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Meijer F.
デルフト工科大学
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Klapwijk T.
デルフト工科大学
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スタイナー マルカス
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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都倉 康弘
Icorp:ntt物性基礎研
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スタイナー マルカス
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所:ハンブルグ大学
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都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
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Miyazaki T
Faculty Of Engineering Kanazawa University
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大江 純一郎
東邦大理
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好田 誠
JST-PRESTO
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Miyajima Toyoo
Tohoku Univ. Sendai Jpn
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高梨 弘毅
東北大学
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都倉 康弘
ICORP-JST:NTT物性基礎研
著作論文
- 26pZC-10 非一様スピン軌道相互作用によるスピン・フィルタリング(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27aZC-6 InAs挿入InGaAs/InAlAsヘテロ構造の磁場中赤外発光スペクトル(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- スピントロニクスデバイスへ向けての最前線
- 21pWF-2 ゲート電界によるRashbaスピン軌道相互作用の制御(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-9 InGaAs二次元電子ガスにおけるゼーマン効果とスピン軌道相互作用の競合(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 29pYF-9 半導体・磁性体ハイブリッド構造による微小磁性体リングの磁化特性評価(半導体スピン物性)(領域4)
- 26aPS-90 InGaAs二次元電子系に作製した量子ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音測定(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aHD-9 InGaAs二次元電子系上に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流雑音測定(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSA-7 InGaAs二次元電子系に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流揺らぎ測定II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTM-4 InGaAs二次元電子系上に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流雑音測定(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-5 InGaAs量子ポイントコンタクトを用いたRashbaスピン軌道相互作用による電気的スピン生成(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-8 時間依存スピン軌道相互作用から誘起される電流とスピン流(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aRA-4 FePt薄膜における電圧印加保磁力変調(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))