大槻 東巳 | 上智大理工
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概要
関連著者
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大槻 東巳
上智大理工
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河原林 透
東邦大理:東邦大複合物性研究セ
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江馬 一弘
上智大理工
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猪瀬 裕太
上智大理工
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酒井 優
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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岸野 克巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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河原林 透
東大物性研
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岸野 克巳
上智大理工
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菊池 昭彦
上智大理工:CREST-JST:上智ナノテク
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大槻 東巳
上智大理工:上智ナノテク
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小野 嘉之
東邦大理
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菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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江馬 一弘
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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猪瀬 裕太
上智大理工:crest-jst
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大槻 東巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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小野 嘉之
東邦大・理・物理
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菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
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酒井 優
山梨大院医工
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上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
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河原林 透
東邦大理
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河原林 透
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Slevin K.
阪大理工
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大槻 東巳
東邦大・理
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小林 浩二
上智大理工
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江馬 一弘
上智大学理工:上智ナノテク
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Jacobs University Bremen
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阪大理
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植田 裕輝
上智大理工
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上智大理工
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欅田 英之
上智大理工
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関口 寛人
上智大理工:crest-jst
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欅田 英之
上智ナノテク研
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金子 淳
上智大理工
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関口 寛人
上智大理工:jst-crest
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酒井 優
上智大理工
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大槻 東巳
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小野 嘉之
東邦大理:東邦大複合物性研究セ
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Hirose K.
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廣瀬 亘祐
上智大理工
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東北大金研:crest-jst
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井川 雄介
上智大理工
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Kramer B.
PTB
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鈴木 謙次
東邦大 理
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鈴木 謙次
東邦大理
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大槻 東巳
上智大学理工学部
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岸野 克己
上智大理工
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廣瀬 亘祐
Department Of Physics Sophia University
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浅田 洋一
阪大理
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Slevin K.
理研
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Kramer B
Hamburg Univ.
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Kettemann S.
Univ. of Hamburg
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Struck A.
Univ. of Kaiserslautern
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KRAMER B.
Univ.Hamburg
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Henneke M.
PTB
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斎木 敏治
慶大理工
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斎木 敏治
神奈川科学技術アカデミー
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中西 毅
電総研
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Slevin Keith
阪大院
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Slevin K.
Department of Physics, Osaka University
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大江 純一郎
ハンブルク大
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山本 真幸
ハンブルク大
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大江 純一郎
上智大理工
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斎木 敏治
慶応大 理工
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井村 健一郎
広大先端研
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SATO Tetsuya
National Institute for fusion Science
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斎木 敏治
慶應義塾大学理工学部 神奈川科学技術アカデミー
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Slevin K.
Department Of Physics Osaka University
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Vadivelu Ramesh
上智大理工
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下迫 直樹
上智大理工
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小布施 秀明
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University of Hamburg
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上智大理工
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清水 崇史
上智大理工
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小野 嘉之
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鈴木 謙次
東邦大・理
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小野 嘉之
東邦大学理学部物理学科
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新田 淳作
NTT基礎研究所
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河原林 透
東邦大理,東邦大複合物性セ
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小野 嘉之
東邦大理,東邦大複合物性セ
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渡邊 博文
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河原林 透
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Slevin Keith
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Keith Slevin
阪大理
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大槻 東巳
阪大教養
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Slevin K.
上智大理工
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小布施 秀明
京大埋
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Slevin K
Cea Saclay
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ハンブルク大
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山本 真幸
上智大学理工学部物理学科
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大江 純一郎
上智大学理工学部物理学科
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山本 真幸
上智大理工
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河原 林透
東邦大理
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桑野 浩幸
東邦大・理
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郷原 辰芳
東邦大理
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河原林 透
東京大学物性研究所
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光野 徹也
上智大理工:crest-jst
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石沢 峻介
上智大理工:crest-jst
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新田 淳作
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所:科学技術振興機構 Crest-jst
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新田 淳作
東北大
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Slevin Keith
理研
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Kramer Bernhard
ブレーメン国際大
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野田 正寿
上智大理工
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上間 大輔
上智大理工
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小布施 秀明
北大院工
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大槻 東巳
PTB(Braunschweig)
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Kramer B
PTB(Braunschweig)
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Kramer Bernhard
Hamburg大
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大槻 東巳
上智大・理工
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B Kramer
Ptb
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江馬 一弘
上智大理工:上智ナノテク
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岸野 克巳
上智大理工:上智ナノテク
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菊池 昭彦
上智大理工:上智ナノテク
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吉本 行気
上智大理工
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吉村 幸徳
広大先端研
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山本 聖実
上智大理工
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吉田 順司
東邦大理
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小野 嘉之
東邦大・理
著作論文
- 22pPSB-35 窒化物半導体ナノコラム結晶を用いた新規発光デバイスの研究(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 22aTH-3 Conductance plateau transitions in quantum Hall wires : Analysis of individual samples
- 25aXL-4 Effect of potential correlation in quantum Hall wires
- 2p-Q-7 3次元ランダム磁場中のアンダーソン転移
- 12a-K-3 時間反転対称性のない系でのアンダーソン転移II : 様々なモデルでの比較
- 26a-P-6 時間反転対称性のない系でのAnderson 転移
- 整数量子ホール効果のダイナミカルシミュレーション
- 13p-DF-13 有限サイズの強磁場下2次元不規則電子系における反磁性電流
- 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(フォトニック結晶,領域5,領域1合同,領域5,光物性)
- 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aYH-6 ランダム配置GaNナノコラムにおける光のアンダーソン局在(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 26aPS-57 GaNナノコラム集団における光の伝搬特性II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSB-29 GaNナノコラム集団における光の伝搬特性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 2p-Q-7 3次元ランダム磁場中のアンダーソン転移
- 12a-K-3 時間反転対称性のない系でのアンダーソン転移II : 様々なモデルでの比較
- 18aTA-10 量子ホール系におけるコンダクタンスプラトー転移 : ランダム磁場の空間相関の効果(量子ホール効果(理論),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 17aYG-1 2次元不規則電子系における動的乱れによるdephasingの効果
- 非一様磁場中での量子輸送現象
- 振動電場下の弱局在効果
- 振動電場下の弱局在効果
- 25aPS-39 準位統計による量子パーコレーションの研究
- 25aD-8 磁性不純物がある系でのアンダーソン転移
- p-31 準位統計による磁場中三次元量子パーコレーションの解析(第43回物性若手夏の学校(1998年度),講義ノート)
- 25a-YG-6 準位統計による磁場中三次元量子パーコレーションの解析
- 25a-YG-6 準位統計による磁場中三次元量子パーコレーションの解析
- 整数量子ホール効果のダイナミカルシミュレーション
- 30p-XE-13 アンダーソン転移点近傍における臨界準位統計と境界条件
- 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aXD-10 Fluctuations of point-contact conductances in quantum conducting states
- 27pTX-14 Spin Hall conductance fluctuations in quantum spin Hall systems
- 20aYF-8 Conductance at the metal-quantum spin Hall insulator transition
- 22aTH-1 Conductance in novel Chalker-Coddington network model I : multilayer system
- 22aTH-2 Conductance in novel Chalker-Coddington network model II : point-contact conductance
- 26pZC-10 非一様スピン軌道相互作用によるスピン・フィルタリング(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-5 T字型構造におけるスピン軌道相互作用に起因するスピン分極(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 20pTL-7 3 端子構造によるスピンーフィルタリング
- 28aZK-13 Dephasing effect in the presence of spin dependent scattering
- 28pTX-9 Conductance distributions at the quantum Hall transitions
- 29p-M-5 金属-絶縁体移点でのコンダクタンスの分布関数
- 25aXL-5 Chalker-Coddington model described by an S-matrix with odd dimensions
- 28aXB-3 量子ホール転移における臨界コンダクタンスの分布(28aXB アンダーソン局在・その他,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYC-12 二次元ランダム磁場中のコンダクタンスの揺らぎとシュブニコフ-ド・ハース効果(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pYT-13 二次元ランダム磁場中のシュブニコフード・ハース効果(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12pYB-10 一定符号のランダム磁場下におけるコンダクタンスの揺らぎ(アンダーソン局在, 領域 4)
- 30aYF-3 一定符号の二次元非一様磁場中の輸送現象(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
- 22pTL-11 一定符号の二次元ランダム磁場中の電気伝導度
- 30aTC-4 二次元非一様磁場中の電気伝導度II
- 25aD-7 アンダーソン転移における物理量の境界条件依存性
- 6p-YE-12 不規則格子におけるフォノンモードの準位統計とスケーリング
- Anderson 転移のユニバーサリティー数値計算でわかったこと
- アンダーソン転移における準位統計と境界条件
- 30p-PSA-22 アンダーソン転移点での異常拡散
- 7p-N-10 2次元周期磁場中におけるバリスティック伝導
- 7p-N-10 2次元周期磁場中におけるバリスティック伝導
- 22pTL-9 Anderson localization in the 3D SU(2) model
- 1a-E-8 スピン-軌道相互作用が強い三次元系におけるアンダーソン転移II-準位統計による解析
- 25pXJ-2 Mesoscopic Hall effect driven by chiral spin order
- 12pYB-8 The Anderson transition below 2D
- 17aYG-2 2次元シンプレクティック系でのアンダーソン転移の臨界現象
- 30aTC-5 非一様磁場中の古典電気伝導度
- 25aPS-40 量子パーコレーションにおける異常拡散
- アンダーソン転移点上での異常拡散
- 25a-YG-5 スピン-軌道相互作用の強い3次元系における臨界準位統計
- 26p-B-2 アンダーソン転移の普遍性と問題点
- 25a-YG-5 スピン-軌道相互作用の強い3次元系における臨界準位統計
- 1a-E-7 スピン-軌道相互作用が強い三次元系におけるアンダーソン転移I
- 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 3a-F-7 層状電子系における強磁場下金属非金属転移
- 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
- スピン軌道相互作用のある二次元電子系における普遍的な量子拡散とフラクタル次元
- 28a-D-8 シンプレクティックユニバーサリティークラスにおける量子拡散
- 5p-D-1 2次元ランダム磁場における量子拡散のシュミレーション
- 2a-YE-1 スピン軌道相互作用が強い二次元電子系のおける量子拡散
- 29p-PSA-21 乱れた磁場の下での電子の拡散
- 3p-E-6 量子ホール系における準位統計
- 30p-N-13 強磁場下二次元不規則系でのエネルギー準位統計III
- 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28a-C-5 強磁場中の二層系における量子Hall効果
- 18aPSB-46 2次元転送行列法による光のアンダーソン局在の数値解析(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
- 不規則電子系における局在と準位統計 (量子準位統計--カオスをとらえる新たな視点)
- 2a-YE-4 不規則電子系における準位統計のスケーリング III : orthogonel及びsymplecticユニヴァーサリティクラス
- 2a-YE-3 不規則電子系における準位統計のスケーリング則II
- 31a-L-3 不規則電子系における準位統計のスケーリング則
- 26aEH-11 窒化物半導体ナノコラムにおけるレーザー発振(26aEH 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aXG-5 3次元トポロジカル絶縁体表面のマルチフラクタル性(27aXG 若手奨励賞・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aEH-11 窒化物半導体ナノコラムにおけるレーザー発振(26aEH 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域5(光物性))
- 28pPSB-67 2次元集団効果による光のアンダーソン局在の数値解析(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
- 27aXG-4 Conductance in disordered weak and strong topological insulators
- 27aDA-12 窒化物半導体ナノコラムにおける光局在とレーザー発振(フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域5,領域1合同,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pPSB-49 2次元系における光のアンダーソン局在の転送行列法を用いた数値解析(放射光,光電子分光,発光,非線形,フォトニック結晶,その他,領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27aDA-12 窒化物半導体ナノコラムにおける光局在とレーザー発振(フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域5,領域1合同,領域5(光物性))
- 7pSB-7 磁壁を有する系におけるスピンに依存した電気伝導特性(磁性半導体,領域4)
- 3p-YH-12 アンチドット格子系における非平衡電流(3pYH 低温(量子ドット・多体効果),低温)
- 31a-YJ-6 アンチドット系における古典的バリテック伝導(31aYJ 低温(メゾスコピック系の量子輸送),低温)
- 1a-E-8 スピン-軌道相互作用が強い三次元系におけるアンダーソン転移II : 準位統計による解析(1aE 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック),低温)
- 1a-E-7 スピン-軌道相互作用が強い三次元系におけるアンダーソン転移I(1aE 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック),低温)
- 27pBF-11 トポロジカル絶縁体における表面状態の時間発展(27pBF トポロジカル絶縁体・超伝導体(理論),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))