岸野 克巳 | 上智大理工
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概要
関連著者
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岸野 克巳
上智大理工
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菊池 昭彦
上智大理工:CREST-JST:上智ナノテク
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菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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岸野 克巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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江馬 一弘
上智大理工
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猪瀬 裕太
上智大理工
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菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
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岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
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江馬 一弘
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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大槻 東巳
上智大理工
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酒井 優
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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猪瀬 裕太
上智大理工:crest-jst
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大槻 東巳
上智大理工:上智ナノテク
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関根 智幸
上智大理工
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酒井 優
山梨大院医工
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関根 智幸
上智大理工:crest-jst
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欅田 英之
上智大理工
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欅田 英之
上智ナノテク研
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大槻 東巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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関口 寛人
上智大理工
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関口 寛人
上智大理工:crest-jst
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関口 寛人
上智大理工:jst-crest
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黒江 晴彦
上智大理工
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Sekine Toshiaki
Department Of Radioisotopes Japan Atomic Energy Research Institute
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江馬 一弘
上智大学理工:上智ナノテク
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幸山 和晃
上智大理工
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植田 裕輝
上智大理工
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井上 昌弥
上智大理工
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鈴木 直樹
上智大理工
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井川 雄介
上智大理工
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酒井 優
上智大理工
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山野 晃司
上智大理工
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鈴木 信太郎
上智大理工
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山野 晃司
上智大学理工学部:jstクレスト
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松井 聡
上智大学理工学部
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松井 聰
上智大学理工学部
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浜崎 淳一
上智大理工
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松井 聡
上智大理工
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森田 高行
上智大理工
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森田 高行
上智大学理工学部
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森田 高行
北海道消化器科病院
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小松 悠二
上智大理工
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浜崎 淳一
北大工
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内田 裕行
上智大理工
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三井 真太郎
上智大理工
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岩谷 龍治
上智大理工
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下迫 直樹
上智大理工
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青木 伸之
千葉大院融合
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落合 勇一
千葉大院融合
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落合 勇一
千葉大工
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落合 勇一
千葉大自然
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青木 伸之
千葉大学融合
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神村 淳平
上智大学理工学部
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斎木 敏治
慶大理工
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光野 徹也
上智大理工
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斎木 敏治
神奈川科学技術アカデミー
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橋本 雅文
上智大理工
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田野倉 淑子
上智大理工
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征矢 隆宏
上智大理工
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新井 悠子
上智大理工
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福永 和哉
上智大理工
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神村 淳平
上智大理工
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中田 洋平
北大電子研
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落合 聡一
上智大・理工
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金子 和
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落合 聡一
上智大理工
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菊地 昭彦
上智大理工
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金子 和
上智大理工
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光野 徹也
上智大理工:crest-jst
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斎木 敏治
慶応大 理工
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上智大理工
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SATO Tetsuya
National Institute for fusion Science
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本間 裕一
上智大理工
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小林 剛
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Ochiai Yukinori
Crest-jst
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Faculty Of Engineering Science Osaka University
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Ochiai Yukinori
System Devices And Fundamental Research Nec Corporation
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斎木 敏治
慶應義塾大学理工学部 神奈川科学技術アカデミー
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上智大理工
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上智大理工
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中田 洋平
上智大理工
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千葉大総合
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佐藤 輔
上智大理工
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Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University
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Vadivelu Ramesh
上智大理工
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千葉大工:千葉大
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石沢 峻介
上智大理工
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石井 洋平
上智大学理工学部
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上智大理工
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高橋 輝
上智大理工
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石井 洋平
上智大理工
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江島 一宏
上智大理工
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江馬 一宏
上智大理工物理
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棒田 英之
上智大理工
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幾野 敬太
上智大学理工学部
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檸田 英之
上智大理工
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村本 浩介
上智大理工
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高橋 輝
東工大院理工
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石沢 峻介
上智大理工:crest-jst
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當 洋樹
上智大理工
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牛山 崇幸
上智大理工
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中里 拓哉
上智大理工
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清水 亜希恵
上智大理工
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棒田 英之
上智大理工:crest-jst
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生井 達也
上智大理工
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家近 幸子
上智大理工
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江馬 一弘
上智大理工:上智ナノテク
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岸野 克巳
上智大理工:上智ナノテク
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菊池 昭彦
上智大理工:上智ナノテク
著作論文
- 22pPSB-35 窒化物半導体ナノコラム結晶を用いた新規発光デバイスの研究(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 12pPSA-4 GaN/AlN 多重量子井戸におけるサブバンド間遷移ダイナミクス(領域 4)
- 29pXQ-5 GaN/AlN多重量子井戸におけるサブバンド間遷移の超高速緩和過程(超高速現象)(領域5)
- 21pPSB-2 GaN/AIN 多重量子井戸におけるサブバンド間遷移の吸収飽和と高速緩和過程
- 27aPS-93 一次元フォトニック配列したGaNナノウォールからの第二次高調波発生(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(フォトニック結晶,領域5,領域1合同,領域5,光物性)
- 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 28pPSA-62 InAlNおよびInNナノコラムの発光特性(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pYJ-7 GaNナノコラム結晶の発光特性(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aPS-18 InGaN/GaNナノコラム結晶の発光特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSA-79 GaNナノコラム結晶の発光特性II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSB-31 InNナノコラムにおけるバンドギャップとキャリア濃度の評価(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSB-10 GaNナノコラム結晶の光学特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25aPS-27 GaNおよびInGaN/GaNナノコラム結晶の光学特性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 1p-N-1 GainP/AlInP2層/2層長格子のラマン散乱とルミネッセンス
- 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19pPSA-46 GaNナノコラム結晶のプラズモンによるラマン散乱(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aWH-2 GaN/AIN多重量子ディスクナノコラムのラマン散乱(26aWH 非線形光学・励起子・ポラリトン・緩和励起子・格子振動,領域5(光物性))
- 21aYD-10 GaN/AIN超格子ナノコラム結晶のラマン散乱(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- 21aYD-9 GaNナノコラム結晶のラマン散乱(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- 25pPSB-45 GaNナノウォールと規則配列GaNナノコラムにおける表面フォノンのラマン散乱(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 23aYJ-7 GaNナノコラム結晶のプラズモンによるラマン散乱II(微粒子・ナノ結晶・低次元物質,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pRC-11 GaNナノコラム結晶の電気伝導(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26a-ZH-19 GaInP/AlInP超格子のラマン散乱
- 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 紫外〜青色域半導体レーザ--波長域の拡大に夢 (特集 光エレクトロニクスの現状と将来)
- 広いスペクトルに対応する光デバイス新素材の探索 (特集:次世代人工物質・材料の探査的研究)
- 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25pPSA-28 GaNナノ構造における表面フォノンのラマン散乱(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26aPS-89 1本のGaNナノコラムの電気伝導(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSA-29 1本のGaNナノコラムの顕微ラマン散乱(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSA-6 1本のGaNナノコラムの電気伝導II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 21pPSA-60 GaNナノ構造における表面フォノンのラマン散乱II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSA-59 1本のGaNナノコラムの顕微ラマン散乱II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 18aPSB-46 2次元転送行列法による光のアンダーソン局在の数値解析(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
- 26aEH-11 窒化物半導体ナノコラムにおけるレーザー発振(26aEH 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26aEH-11 窒化物半導体ナノコラムにおけるレーザー発振(26aEH 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域5(光物性))
- 28pPSB-67 2次元集団効果による光のアンダーソン局在の数値解析(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
- 27aDA-12 窒化物半導体ナノコラムにおける光局在とレーザー発振(フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域5,領域1合同,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pPSA-32 InGaN/GaNナノコラムの光励起キャリアダイナミクス(励起子,微粒子,ナノ結晶,その他,領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26pPSB-49 2次元系における光のアンダーソン局在の転送行列法を用いた数値解析(放射光,光電子分光,発光,非線形,フォトニック結晶,その他,領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27aDA-12 窒化物半導体ナノコラムにおける光局在とレーザー発振(フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域5,領域1合同,領域5(光物性))