青木 伸之 | 千葉大院融合

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概要

• 同名の論文著者
• 千葉大院融合の論文著者

関連著者

• 青木 伸之

  千葉大院融合

• 落合 勇一

  千葉大院融合

• Ochiai Yukinori

  System Devices And Fundamental Research Nec Corporation

• 青木 伸之

  千葉大学融合

• 落合 勇一

  千葉大工

• Ochiai Yukinori

  Crest-jst

• バード J.

  千葉大学融合

• 落合 勇一

  千葉大学融合

• 落合 勇一

  千葉大自然

• バード J.P.

  バッファロー大

• バード J.P.

  筑波大物質工

• J.p. バード

  理研

• Ochiai Yukinori

  Faculty Of Engineering Science Osaka University

• OCHIAI Yuichi

  Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University

• 落合 勇一

  千葉大工:千葉大

• 木田 理夫

  千葉大院融合

• 土井 達也

  千葉大院融合

• 矢萩 達朗

  千葉大院融合

• バード J.

  バッファロー大

• 小山 恭平

  千葉大院融合

• 富樫 祐子

  千葉大院融合

• Bird J.

  Univ. at Buffalo

• アカラム M.

  千葉大院融合

• 項 少華

  千葉大院融合

• Xiao S.

  ニューヨーク州立大

• 尾松 孝茂

  千葉大院融合

• 宮本 克彦

  千葉大院融合

• 中西 毅

  産総研

• 阿部 拓斗

  千葉大工

• 小山 恭平

  千葉大学院融合

• 土井 達也

  千葉大学院融合

• 藤 和俊

  千葉大院融合

• 本岡 正太郎

  千葉大院融合

• 清野 篤郎

  千葉大院融合

• 伊藤 慶

  千葉大院融合

• 前田 賢治

  千葉大院融合

• 松崎 一孝

  千葉大院融合

• 須藤 紘平

  千葉大院融合

• バード J.

  ニューヨーク州立大

• 浅野 均

  千葉大院融合

• 渋谷 薫

  千葉大院融合

• フェリー D.

  アリゾナ州大

• 籾山 大輝

  千葉大院融合

• 鈴木 信一

  千葉大院融合

• 磯 優平

  千葉大院融合

• 大内 隆寛

  千葉大院融合

• アカラム M.

  千葉大工

• バード J.P.

  ニューヨーク州立大電子工

• Burke A.

  アリゾナ州立大

• Akis R.

  アリゾナ州立大

• Ferry D.

  アリゾナ州立大

• Bird J.

  ニューヨーク州立大バッファロー校

• 中村 義英

  千葉大院融合

• 羽鳥 哲矢

  千葉大院融合

• フェリー D.

  Zrizona州立大ナノ研

• 下園 俊介

  千葉大院融合

• 湯村 成一

  千葉大院融合

• 魏 小均

  千葉大院融合

• 阿部 拓斗

  千葉大院融合

• 鳥海 直人

  千葉大院融合

• 佐藤 駿

  千葉大院融合

• 湯本 昇

  千葉大学融合

• 渋谷 薫

  千葉大院融合科学研究科

• 湯本 昇

  千葉大院融合科学研究科

• 氏家 洋平

  千葉大院融合

• 宮本 克彦

  千葉大学大学院融合科学研究科

• 穐山 航

  千葉大院融合

• フェリー D.K.

  アリゾナ州大

• 遠藤 孝

  千葉大学融合

• 森本 崇宏

  千葉大学融合

• 清野 篤朗

  千葉大院融合

• 遠藤 孝

  千葉大院融合科学研究科

• 黒江 晴彦

  上智大理工

• 関根 智幸

  上智大理工

• 菊池 昭彦

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 関根 智幸

  上智大理工:crest-jst

• 岸野 克巳

  上智大理工

• 山口 智弘

  理研

• 石橋 幸治

  理研

• 岸野 克巳

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 岸野 克己

  上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構

• Brunner R.

  レオベン大

• フェリー D.

  アリゾナ州立大

• 中田 洋平

  北大電子研

• 菊池 昭彦

  上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻

• 大上 真由

  千葉大院融合

• 青木 伸之

  千葉大学院融合

• 落合 勇一

  千葉大学院融合

• 加藤 雄也

  上智大理工

• 安藤 豪紀

  上智大理工

• 中田 洋平

  上智大理工

• 落合 勇一

  千葉大総合

• 青木 伸之

  千葉大総合

• 松永 正広

  千葉大院融合

• 磯 優平

  千葉大工

• Sekine Toshiaki

  Department Of Radioisotopes Japan Atomic Energy Research Institute

• 菊池 昭彦

  上智大理工:CREST-JST:上智ナノテク

• 福田 秀人

  千葉大院融合

• 武田 明大

  千葉大院融合

• Bird J.P.

  ニューヨーク州立大バファロー校

• 樋口 真也

  千葉大工

• フェリー D.K.

  アリゾナ州立大

• Brunner R.

  ICORP-JST

• 岩田 朋大

  千葉大院融合科学研究科

• 森本 崇宏

  理化学研究所

• 羽鳥 哲夫

  千葉大院融合

• 本岡 正太郎

  千葉大工

• Kang M.-G.

  ニューヨーク州立大学バッファロー校

• 千葉 康人

  千葉大院融合

• 陳 仕任

  南台技大

• 三谷 友祐

  千葉大院融合

• 尾上 順

  東工大

• 植田 毅

  東京大学大学院工学系研究科

• 森本 崇宏

  千葉大院融合

• 植田 毅

  千葉大総メディア

• 植田 毅

  慶大理工

• Ferry D.K.

  アリゾナ州立大

• 植田 毅

  千葉大総合メディア

• 宮本 克彦

  理化学研究所 仙台

• 尾松 孝茂

  千葉大学大学院 融合科学研究科

• 岩田 朋大

  千葉大工:千葉大院融合

• 尾松 孝茂

  千葉大学大学院融合科学研究科

• 尾上 順

  東工大院工:東工大原子炉研

• 邱 巧縁

  千葉大院融合

• 生井 達也

  上智大理工

• 大内 隆寛

  千葉大工

• Bird J.

  ニューヨーク州立大バファロー校

• Burke A.

  アリゾナ州立大:ニューサウスウェールズ大

• Xiao S.

  ニューヨーク州立大バファロー校

• Meisels R.

  レオベン大

• Bird J.

  SUNY Buffalo

• グエン タン・ルーン

  千葉大院融合

• 向笠 直紀

  千葉大院融合

• 尾松 孝茂

  千葉大院融合:CREST

• 青木 伸之

  千葉大院融合:さきがけ

• バード J.P.

  アリゾナ州大

• マハジューブ アカラム

  千葉大院融合

• フェリー D.K.

  バッファロー大

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著作論文

• 21aGS-12 グラフェン薄膜における低温磁気抵抗ゆらぎの解析(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aHV-12 開放系量子ドットにおける走査ゲート顕微鏡像の解析2(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pGS-11 SGMを用いたCNT薄膜FETの特性評価(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pGS-14 多層カーボンナノチューブにおける量子輸送特性の観測(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aGR-2 光照射フラーレンナノウィスカーの電気伝導特性(20aGR フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYD-5 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価II(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYE-6 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性(ナノチューブ物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 27aXD-3 量子ポイントコンタクトの温度依存に見られる特徴的な伝導現象(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pYH-11 窒素ドープ多層カーボンナノチューブの低温磁気伝導(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYH-5 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性II(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-17 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYH-3 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pYG-17 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23pTA-5 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pTA-3 多層カーボンナノチューブの干渉効果におけるリードコンタクト依存性(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aWF-9 光を照射したフラーレンナノウィスカーの電気伝導特性(22aWF フラーレン・その他,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTB-11 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの局所ゲート特性評価(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aYF-8 エッチングで作製したGaAs系量子ポイントコンタクトのSGM観察(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aWH-5 開放系量子ドットにおける走査ゲート顕微鏡像の解析(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aTA-11 グラフェンにおける低温伝導特性(22aTA 領域4,領域7合同 グラフェン・量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pWH-3 グラフェンにおける低温伝導特性(グラフェン,領域4,領域7合同講演,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aRA-10 UV重合C_ナノウィスカーのESRによるFET耐大気性評価(25aRA フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aRA-6 SWNTを用いた薄膜FETのSGM評価(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aRA-5 単層カーボンナノチューブを用いたリング素子の作製(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aXA-12 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析とバックゲート依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23aXA-3 スプリットゲートとエッチングゲートの量子細線における低温電気伝導(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 26pTG-1 銅フタロシアニンのSGMによる伝導特性評価(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aHD-12 半導体量子細線における磁場依存性と解析(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pTB-3 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pTJ-5 垂直配向型フラーレンウィスカーの成長分析および電気特性(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pTJ-2 フラーレンナノウィスカーUV重合体のESRによる評価(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aHD-2 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aPS-89 1本のGaNナノコラムの電気伝導(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pTB-2 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTD-10 フラーレンナノウィスカーの電子物性と結晶成長条件(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTD-9 光渦照射によるC_薄膜の光重合化(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pPSA-6 1本のGaNナノコラムの電気伝導II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTM-3 半導体量子細線における磁場依存性と解析II(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTG-9 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTL-6 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性II(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTG-5 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aCC-7 光渦照射によるC_光重体の作製と物性評価(27aCC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pCF-7 走査ゲート顕微鏡を用いたSWNTネットワークFETの動作機構の解析(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pCF-3 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価III(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pCE-6 量半導体量子細線における磁場依存性と解析III(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aSB-9 グラフェンFETにおける伝導度ゆらぎの研究(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aEC-10 MWNTの角度依存磁気抵抗と抵抗値温度依存性の関連性(21aEC ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aEC-6 光渦照射によるC_薄膜の光重合化II(21aEC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 18pFB-1 グラフェンFETにおける伝導度ゆらぎの解析(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aFB-5 走査ゲート顕微法による開放系量子ドット内の電子状態の直接観察(20aFB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aFB-3 量子細線におけるラストプラトー以下の分数構造の観測と解析(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pXP-11 MWNTの角度依存磁気抵抗と抵抗値温度依存性の関連性II(26pXP ナノチューブ(構造・電子物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pXP-1 単層および2層グラフェンにおける普遍的伝導度ゆらぎの探求(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pXQ-2 量子細線におけるラストプラトー以下の分数構造の観測と解析(26pXQ 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pDK-9 グラフェンにおける普遍的伝導度ゆらぎの研究(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aDD-6 量子細線ラストプラトー以下における分数電荷構造の活性化エネルギー解析(量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pDK-10 グラフェンを用いた高周波検出デバイスの可能性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pDF-6 渦照射によるフラーレン光重合体のin-situ物性評価(フラーレン,領域7(分子性個体・有機導体))
• 28pCL-2 グラフェンFETを用いたTHz波検出の温度依存性(28pCL 領域4,領域7合同 グラフェン(分光・電子状態),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aAN-6 エピタキシャル成長フラーレン薄膜の光重合化と物性評価(27aAN フラーレン,領域7(分子性固体))
• 27aAU-1 量子細線における0.5*2e^2/hプラトー以下の擬0.7構造の観測と解析(27aAU 量子細線・量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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