29pYH-5 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性II(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 青木 伸之

  千葉大院融合

• 落合 勇一

  千葉大院融合

• 落合 勇一

  千葉大学融合

• 落合 勇一

  千葉大工

• 清野 篤郎

  千葉大院融合

• 木田 理夫

  千葉大院融合

• 富樫 祐子

  千葉大院融合

• 青木 伸之

  千葉大学融合

• Bird J.

  Univ. at Buffalo

• 中村 義英

  千葉大院融合

• 羽鳥 哲矢

  千葉大院融合

• バード J.P.

  筑波大物質工

• バード J.

  千葉大学融合

• J.p. バード

  理研

• Ochiai Yukinori

  Crest-jst

• Ochiai Yukinori

  System Devices And Fundamental Research Nec Corporation

関連論文

• 21aGS-12 グラフェン薄膜における低温磁気抵抗ゆらぎの解析(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aHV-12 開放系量子ドットにおける走査ゲート顕微鏡像の解析2(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pGS-11 SGMを用いたCNT薄膜FETの特性評価(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pGS-14 多層カーボンナノチューブにおける量子輸送特性の観測(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aHV-3 量子細線のスピン磁気特性(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aGR-2 光照射フラーレンナノウィスカーの電気伝導特性(20aGR フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYD-5 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価II(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYE-6 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性(ナノチューブ物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pYE-7 C_フラーレンナノウィスカー : 電気伝導への電磁波等照射効果(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 27aXD-3 量子ポイントコンタクトの温度依存に見られる特徴的な伝導現象(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pYH-11 窒素ドープ多層カーボンナノチューブの低温磁気伝導(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYH-5 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性II(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-17 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aVE-3 量子細線における0.7構造の類似現象(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pYH-3 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pYG-17 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23pTA-5 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pTA-3 多層カーボンナノチューブの干渉効果におけるリードコンタクト依存性(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aWF-9 光を照射したフラーレンナノウィスカーの電気伝導特性(22aWF フラーレン・その他,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTB-11 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの局所ゲート特性評価(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aYF-8 エッチングで作製したGaAs系量子ポイントコンタクトのSGM観察(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aWH-5 開放系量子ドットにおける走査ゲート顕微鏡像の解析(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aTA-11 グラフェンにおける低温伝導特性(22aTA 領域4,領域7合同 グラフェン・量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWJ-6 1次元系近藤効果における近藤温度の形状依存性(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pWH-3 グラフェンにおける低温伝導特性(グラフェン,領域4,領域7合同講演,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pRC-5 結合型量子細線における非局所伝導を用いた局在モーメントの観測(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXJ-2 非平衡測定による量子細線・量子ポイントコンタクトの観測(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aXF-1 酸素中の熱処理における多層カーボンナノチューブの物性変化
• 24aS-10 多層カーボンナノチューブの電気伝導特性
• 23aXF-14 多層カーボンナノチューブにおける十字路伝導
• 21pTA-4 スキャニングゲート法による開放系量子ドットの観察(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXJ-5 スキャニングゲート法によるInGaAs-QPCの量子ホールエッジ状態のマッピング(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pWF-6 有機分子単結晶の電気伝導特性
• 27p-X-1 Weak Localisation in Ballistic Quantum Dots: Non Ensemble Averaged Effects
• 20aRG-1 C^フラーレンの金属との接触特性(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aYF-10 C_フラーレン電気伝導における表面処理効果(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pRC-17 C_ナノ・ウィスカーFETの作製と電気伝導特性(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aXA-5 C_ウィスカーの2端子電気伝導特性II(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pYN-12 C_ウィスカーの2端子電気伝導特性(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 12aWH-12 C_ ウィスカーの電気伝導特性の解明(フラーレン, 領域 7)
• 27pZP-12 C_ウィスカーの電気伝導(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
• 27pZP-12 C_ウィスカーの電気伝導(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
• 27aZP-2 C_薄膜FETにおけるアルミナ膜効果(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
• 22pXG-6 C_ 薄膜 FET における VRH
• 25aWF-10 Nb/Ge_xSi_超伝導多層膜における低温磁気伝導特性
• 25aYN-11 アモルファスSi_Ge_x薄膜における電気伝導
• 26pTG-5 C_電気伝導における光照射(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aRA-10 UV重合C_ナノウィスカーのESRによるFET耐大気性評価(25aRA フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aRA-6 SWNTを用いた薄膜FETのSGM評価(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aRA-5 単層カーボンナノチューブを用いたリング素子の作製(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aXA-12 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析とバックゲート依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23aXA-3 スプリットゲートとエッチングゲートの量子細線における低温電気伝導(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-12 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてIII(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYC-15 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてII(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pYN-7 交差MWCNTによるナノスペースでの電気伝導(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTA-3 開放系量子ドットにおけるSGM画像の数値計算(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aYF-9 量子細線における近藤効果のゲート形状依存性(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 領域7「フラーレンナノスケール低次元構造の生成とその物性 : CNTとはどう違う?」(2006年秋季大会シンポジウムの報告)
• 領域4,11「半導体ナノ構造における電子波伝播と量子カオスの接点」(第56回年次大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
• Chaotic Behavior in the Magneto-Resistance of Quantum Dot and Quantum Point Contact(Quantum Mechanics and Chaos)
• 18pRJ-2 AFMを用いた単層・多層ハイブリッドCNT素子の作製と電気伝導(ナノチューブ・電気伝導・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26pTG-1 銅フタロシアニンのSGMによる伝導特性評価(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• Phase Breaking in Ballistie Quantum Dots:A Correlation Field Analysis
• Weak Locallisation in Ballistle Quantum Dots(Non Ensemble Averaged Effects)
• 27p-X-2 Phase Breaking in Ballistic Quantum Dots: A Correlation Field Analysis
• 25aHD-12 半導体量子細線における磁場依存性と解析(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pTB-3 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pTJ-5 垂直配向型フラーレンウィスカーの成長分析および電気特性(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pTJ-2 フラーレンナノウィスカーUV重合体のESRによる評価(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aHD-2 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aPS-89 1本のGaNナノコラムの電気伝導(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pTB-2 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTD-10 フラーレンナノウィスカーの電子物性と結晶成長条件(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTD-9 光渦照射によるC_薄膜の光重合化(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pPSA-6 1本のGaNナノコラムの電気伝導II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTM-3 半導体量子細線における磁場依存性と解析II(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTG-9 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTL-6 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性II(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTG-5 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aCC-7 光渦照射によるC_光重体の作製と物性評価(27aCC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pCF-7 走査ゲート顕微鏡を用いたSWNTネットワークFETの動作機構の解析(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pCF-3 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価III(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pCE-6 量半導体量子細線における磁場依存性と解析III(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aSB-9 グラフェンFETにおける伝導度ゆらぎの研究(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aEC-10 MWNTの角度依存磁気抵抗と抵抗値温度依存性の関連性(21aEC ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aEC-6 光渦照射によるC_薄膜の光重合化II(21aEC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 18pFB-1 グラフェンFETにおける伝導度ゆらぎの解析(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aFB-5 走査ゲート顕微法による開放系量子ドット内の電子状態の直接観察(20aFB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aFB-3 量子細線におけるラストプラトー以下の分数構造の観測と解析(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pXP-7 光渦照射で作製したC_光重合体の電気伝導特性(26pXP フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pXP-11 MWNTの角度依存磁気抵抗と抵抗値温度依存性の関連性II(26pXP ナノチューブ(構造・電子物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pXP-1 単層および2層グラフェンにおける普遍的伝導度ゆらぎの探求(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pXQ-2 量子細線におけるラストプラトー以下の分数構造の観測と解析(26pXQ 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pDK-9 グラフェンにおける普遍的伝導度ゆらぎの研究(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aDD-6 量子細線ラストプラトー以下における分数電荷構造の活性化エネルギー解析(量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pDK-10 グラフェンを用いた高周波検出デバイスの可能性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pDF-6 渦照射によるフラーレン光重合体のin-situ物性評価(フラーレン,領域7(分子性個体・有機導体))
• 28pCL-2 グラフェンFETを用いたTHz波検出の温度依存性(28pCL 領域4,領域7合同 グラフェン(分光・電子状態),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aAN-6 エピタキシャル成長フラーレン薄膜の光重合化と物性評価(27aAN フラーレン,領域7(分子性固体))
• 27aAU-1 量子細線における0.5*2e^2/hプラトー以下の擬0.7構造の観測と解析(27aAU 量子細線・量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク