バード J. | 千葉大学融合
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概要
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バード J.
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Crest-jst
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千葉大院融合
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千葉大学融合
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千葉大院融合
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湯本 昇
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千葉大院融合
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千葉大院融合
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千葉大院融合
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著作論文
- 21aGS-12 グラフェン薄膜における低温磁気抵抗ゆらぎの解析(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pGS-14 多層カーボンナノチューブにおける量子輸送特性の観測(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aHV-3 量子細線のスピン磁気特性(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aYE-6 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性(ナノチューブ物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aXD-3 量子ポイントコンタクトの温度依存に見られる特徴的な伝導現象(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pYH-5 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性II(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aVE-3 量子細線における0.7構造の類似現象(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pYH-3 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTA-5 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pTA-3 多層カーボンナノチューブの干渉効果におけるリードコンタクト依存性(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTA-11 グラフェンにおける低温伝導特性(22aTA 領域4,領域7合同 グラフェン・量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWJ-6 1次元系近藤効果における近藤温度の形状依存性(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pWH-3 グラフェンにおける低温伝導特性(グラフェン,領域4,領域7合同講演,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pRC-5 結合型量子細線における非局所伝導を用いた局在モーメントの観測(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXJ-2 非平衡測定による量子細線・量子ポイントコンタクトの観測(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pTA-4 スキャニングゲート法による開放系量子ドットの観察(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aRA-5 単層カーボンナノチューブを用いたリング素子の作製(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aXA-12 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析とバックゲート依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23aXA-3 スプリットゲートとエッチングゲートの量子細線における低温電気伝導(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 30aXB-12 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてIII(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aYF-9 量子細線における近藤効果のゲート形状依存性(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXB-8 量子細線における低温非線形伝導現象の観測(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXB-10 結合量子ポイントコンタクトにおける二次元電子面を介した共鳴現象(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aHD-12 半導体量子細線における磁場依存性と解析(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pTB-3 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aHD-2 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTD-9 光渦照射によるC_薄膜の光重合化(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTM-3 半導体量子細線における磁場依存性と解析II(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTL-6 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性II(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTG-5 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aCC-7 光渦照射によるC_光重体の作製と物性評価(27aCC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pCE-6 量半導体量子細線における磁場依存性と解析III(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aSB-9 グラフェンFETにおける伝導度ゆらぎの研究(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aEC-6 光渦照射によるC_薄膜の光重合化II(21aEC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pXP-7 光渦照射で作製したC_光重合体の電気伝導特性(26pXP フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pXP-1 単層および2層グラフェンにおける普遍的伝導度ゆらぎの探求(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pDK-9 グラフェンにおける普遍的伝導度ゆらぎの研究(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pDK-10 グラフェンを用いた高周波検出デバイスの可能性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pDF-6 渦照射によるフラーレン光重合体のin-situ物性評価(フラーレン,領域7(分子性個体・有機導体))