青木 伸之 | 千葉大工
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概要
関連著者
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青木 伸之
千葉大工
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落合 勇一
千葉大工
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バード J.P.
筑波大物質工
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Ochiai Yukinori
System Devices And Fundamental Research Nec Corporation
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石橋 幸治
理研
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木田 理夫
千葉大工
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佐々木 敬彦
Atr波動工学研究所
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J.p. バード
理研
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石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
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森本 崇宏
千葉大工
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森本 崇宏
千葉大学融合
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青柳 克信
理研
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佐々木 敬彦
千葉大VBL
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フェリー D.
Zrizona州立大ナノ研
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林 立弘
千葉大vbl
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宮本 康一郎
千葉大工
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内藤 良太
千葉大自然科学研究科
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内藤 良太
千葉大工
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逸見 美佐子
千葉大工
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木田 理夫
千葉大院融合
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バード J.
千葉大学融合
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大西 大介
千葉大工
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青木 伸之
千葉大学融合
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菅野 卓雄
千葉大工
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加藤 友裕
千葉大工
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堀内 一永
千葉大工:富士ゼロックス中研
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橋井 忍
千葉大工
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橋本 明
千葉大工
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林 立弘
千葉大工
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菅野 卓雄
東洋大学工学部
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菅野 卓雄
東洋大工
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落合 勇一
千葉大学融合
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椿 謙二
千葉大工
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青柳 克信
立命館大学coe推進機構
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小栗 暢子
千葉大工
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榎本 亮介
千葉大工
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堀内 一永
千葉大工
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鈴木 修
千葉大工
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湯本 昇
千葉大学融合
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湯本 昇
千葉大工
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小川 健一
千葉大院自然
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菅野 卓雄
理研
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小川 健一
千葉大工
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バード J.P.
アリゾナ州立大ナノ研
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Puller V.
スティーブンス工科大
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清野 篤郎
千葉大院融合
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清野 篤朗
千葉大院融合
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青柳 克信
理研半導体工学研究室
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三原 隆彦
千葉大工
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内野 信
千葉大工
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中田 健司
千葉大工
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池上 亜紗土
千葉大工
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原田 茂樹
千葉大自然科学研究科
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Simmons J.
サンディア国研
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原田 茂樹
千葉大院自然科学
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宋 俊峰
サンディア国研
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石橋 幸治
理研半導体
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岩瀬 義和
千葉大工
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前嶋 健
千葉大工
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前嶋 健
千葉大院自然
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宋 俊峰
千葉大vbl:吉林大電子
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フェリー D.K.
アリゾナ州立大
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遠藤 孝
千葉大学融合
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遠藤 孝
千葉大工
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氏家 洋平
千葉大院融合
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原山 卓久
ATR環境適応通信研究所
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氏家 洋平
千葉大工
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バード J.P.
New York州立大
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植田 毅
千葉大総メディア
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石井 聡
千葉大工
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山本 和貫
(財)生研
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都司 一
千葉大工
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原山 卓久
Atr波動工学研究所非線形科学研究室
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矢口 善規
千葉大工
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Puller V.
Stevens工大
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Mourokh L.
Stevens工大
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Lilly M.
サンディア国研
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Reno J.
サンディア国研
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小幡 達郎
千葉大工
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山本 和貫
千葉大工
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松永 泰彦
千葉大工
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虎谷 健一郎
千葉大工
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朴 鐘臣
千葉大工
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バード J.
アリゾナ州立大ナノ研
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矢口 善規
千葉大院自然
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バード J.
Arizona州立大ナノ研
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フェリー D.
Arizona州立大ナノ研
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原山 卓久
Atr波動工学研究所
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落合 勇一
千葉大院融合
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バード J.P.
ニューヨーク州立大電子工
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Akis R.
アリゾナ州立大
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須藤 紘平
千葉大院融合
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岩田 朋大
千葉大工
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山田 省二
北陸先端大ナノセ
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石井 聡
筑波大加速器
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佐藤 智信
千葉大工
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井田 徹哉
理化学研究所半導体工学研究室
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井田 徹哉
千葉大工
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内田 貴司
横市大院国総科
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清水 正昭
富士ゼロックス(株)中央研究所 基礎研究室
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橘 勝
横浜市立大
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波多野 敦士
千葉大工
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フェリー D.
アリゾナ州立大
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森 純一郎
千葉大工
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佐々木 孝彦
千葉大VBL
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堀内 一永
富士ゼロックス中央研究所
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奈良 慶一
千葉大工
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木田 理夫
千葉大自然科学研究科
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森本 崇宏
千葉大自然科学研究科
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逸見 美佐子
千葉大自然科学研究科
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Bird J.
New York州立大
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Shailos A.
アリゾナ州大ナノ研
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Bird J.
アリゾナ州大ナノ研
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佐々木 敬彦
千葉大工
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原田 茂樹
千葉大工
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中尾 敬一郎
千葉大工
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Bird J.
Arizona州立大ナノ研
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Ferry D.
Arizona州立大ナノ研
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橘 勝
横市大総理
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高垣 雪彦
パウル・ドルーデ固体電子研
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渡邊 考太郎
千葉大工
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飯田 智子
千葉大工
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内田 貴司
横市大総理
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Ochiai Yukinori
Crest-jst
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エルハッサン M.
Arizona州立大ナノ研
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森杉 英典
千葉大工
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アキス R.
アリゾナ州立大ナノ研
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岩田 朋大
千葉大工:千葉大院融合
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バード J.P.
バッファロー大
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Burke A.
アリゾナ州立大
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Ferry D.
アリゾナ州立大
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Bird J.
ニューヨーク州立大バッファロー校
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森本 崇宏
理研
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尾上 順
東工大
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植田 毅
東京大学大学院工学系研究科
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ユン Y.
New York州立大
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植田 毅
慶大理工
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牛頭 信一郎
北陸先端大
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日野 照純
千葉大工・院自然
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日野 照純
千葉大工
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中村 勝弘
大阪市立大学工学部
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植田 毅
千葉大工
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石川 紫文
千葉大工
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内野 雅史
千葉大工
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海下 一徳
千葉大工
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菊谷 友志
北陸先端大材料
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午頭 信一郎
北陸先端大材料
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Ferry D.K.
アリゾナ州立大
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植田 毅
千葉大総合メディア
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清水 正昭
富士ゼロックス(株)中央研究所基礎研究室
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宮原 知子
富士ゼロックス中央研究所
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***ャ C.r.da
千葉大工
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Cunha C.R.
アリゾナ州立大ナノ
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エイキス R.
千葉大工
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牛頭 信一郎
NICT
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中村 勝弘
大阪市立大学工学研究科
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尾上 順
東工大原子炉研
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菊谷 友志
北陸先端大・材料
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堀内 一永
.富士ゼロックス中央研究所
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梶田 洋敬
千葉大工
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バード J.
ニューヨーク州立大
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宗 俊峰
吉林大電子
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宋 俊峰
吉林大電子
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Puller V.I.
Stevens工大
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Mourokh L.G.
Stevens工大
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Bird J.P.
アリゾナ州立大
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Lilly M.P.
サンディア国研
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Simmons J.A.
サンディア国研
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牛頭 信一朗
北陸先端大
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渡辺 考太郎
千葉大工
-
Bird J.
千葉大工
-
植田 毅
千葉大メディアセ
-
Bird J.P.
New York州立大
-
Bird J.R.
ニューヨーク州立大
-
Puller V.I.
スティーブンス工科大
-
Mourokh L.G.
スティーブンス工科大
-
Bird J.
Zrizona州立大ナノ研
-
Ferry D.
Zrizona州立大ナノ研
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氏家 康
千葉大工
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内村 博士
千葉大工
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川村 高洋
千葉大院自然
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會田 征徳
千葉大工
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Sugano T.
RIKEN
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シャイロス A.
Arizona州立大ナノ研
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Andreson A.
Arizona州立大ナノ研
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Prasad C
Arizona州立大ナノ研
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葛 副卿
Arizona州立大ナノ研
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Bird J.P.
Arizona州立大ナノ研
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Akis R.
Arizona州立大ナノ研
-
Ferry D.K.
Arizona州立大ナノ研
-
Shalios A.
アリゾナ州立大
-
須藤 紘平
千葉大工
-
児玉 正臣
千葉大工
-
会田 征徳
千葉大工
-
川村 高洋
千葉大工
-
須藤 絃平
千葉大工
-
前田 経夫
千葉大工
-
掘内 一永
千葉大工
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理崎 智光
理研
-
尾上 順
東工大院工:東工大原子炉研
著作論文
- 28aVE-3 量子細線における0.7構造の類似現象(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWJ-6 1次元系近藤効果における近藤温度の形状依存性(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pRC-5 結合型量子細線における非局所伝導を用いた局在モーメントの観測(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXJ-2 非平衡測定による量子細線・量子ポイントコンタクトの観測(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aXF-1 酸素中の熱処理における多層カーボンナノチューブの物性変化
- 24aS-10 多層カーボンナノチューブの電気伝導特性
- 23aXF-14 多層カーボンナノチューブにおける十字路伝導
- 21pTA-4 スキャニングゲート法による開放系量子ドットの観察(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXJ-5 スキャニングゲート法によるInGaAs-QPCの量子ホールエッジ状態のマッピング(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pWF-6 有機分子単結晶の電気伝導特性
- 24aYF-10 C_フラーレン電気伝導における表面処理効果(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pRC-17 C_ナノ・ウィスカーFETの作製と電気伝導特性(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aXA-5 C_ウィスカーの2端子電気伝導特性II(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYN-12 C_ウィスカーの2端子電気伝導特性(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 12aWH-12 C_ ウィスカーの電気伝導特性の解明(フラーレン, 領域 7)
- 27pZP-12 C_ウィスカーの電気伝導(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-12 C_ウィスカーの電気伝導(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 27aZP-2 C_薄膜FETにおけるアルミナ膜効果(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
- 22pXG-6 C_ 薄膜 FET における VRH
- 25aWF-10 Nb/Ge_xSi_超伝導多層膜における低温磁気伝導特性
- 25aYN-11 アモルファスSi_Ge_x薄膜における電気伝導
- 30p-ZF-5 Ni/InGaAsハイブリッド微細構造の輸送特性
- 30aXB-12 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてIII(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYC-15 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてII(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pYN-7 交差MWCNTによるナノスペースでの電気伝導(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aZC-9 半導体量子ポイントコンタクトにおける電子間相互作用(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14aYD-11 多層カーボンナノチューブにおける十字路伝導 III(ナノチューブ伝導, 領域 7)
- 12pYC-4 結合型量子細線を用いた局在スピンモーメントの検出(量子細線, 領域 4)
- 30pZP-5 多層カーボンナノチューブの層数制御による伝導特性の変化III(ナノチューブ・ピーポッド)(領域7)
- 29pZP-9 多層カーボンナノチューブにおける十字路伝導II(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 30aYA-5 単一量子ドット系におけるファノ効果観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 30aYA-1 開放型量子ドットにおけるスピンに関連した電子波伝導(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 27pYF-6 結合型量子細線の電気伝導における共鳴相互作用II(バリスティック伝導・量子細線・量子カオス)(領域4)
- 23aXF-9 多層カーボンナノチューブの層数制御による伝導特性の変化 II
- 25pK-3 ドットアレイにおける強磁場共鳴ピーク
- 19pTJ-6 多層カーボンナノチューブの1次元伝導III
- 17pTJ-14 アーク放電法によるMWCNTのESR
- 21pTA-3 開放系量子ドットにおけるSGM画像の数値計算(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aYF-9 量子細線における近藤効果のゲート形状依存性(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXB-8 量子細線における低温非線形伝導現象の観測(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXB-10 結合量子ポイントコンタクトにおける二次元電子面を介した共鳴現象(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYH-6 量子ドットやドット列におけるフラクタル的な磁気抵抗
- 18pYJ-4 マルチ結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎ
- 28aYX-10 多層カーボンナノチューブの1次元伝導 II
- 28aYS-9 ドットアレイにおける閉じ込め効果
- 27aTC-10 量子ドット列における低温磁気抵抗のフラクタル性
- 21pXA-13 多層カーボンナノチューブの物性に関しての基礎的評価(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYN-3 多層カーボンナノチューブの電気伝導特性の基礎的評価(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pYC-4 同一基板上における「0.7構造」の観測(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTH-2 結合型量子細線の電気伝導における共鳴相互作用
- 22pTH-13 結合量子ドット系における磁気ゆらぎのフラクタル解析
- 24pSA-1 ドットアレイにおけるキャリアー濃度のゲート依存性
- 23pL-4 ドットアレイにおける古典・量子伝導現象の競合
- 25aD-11 ドットアレイにおける金属-絶縁体移転
- 29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
- 29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
- 21pXA-8 AFMによる量子伝導観測用MWNT素子の研究(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pYF-11 多層カーボンナノチューブの1次元伝導
- 30aTE-8 交差カーボンナノチューブの伝導(30aTE ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aZP-2 C_薄膜FETにおけるアルミナ膜効果(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
- 25pYB-8 フラーレンナノウイスカーによるFET(25pYB 領域7シンポジウム:フラーレンナノスケール低次元構造の生成とその物性-CNTとはどう違う?-,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pSA-2 量子ドットにおける分子的挙動
- 6aSE-11 多層カーボンナノチューブにおけるCESR(伝導,領域7)
- 8aSD-3 アルミナ絶縁膜の作製とフラーレン電界効果トランジスター(電解効果ドーピング,領域7)
- 6aSE-10 多層カーボンナノチューブの層数制御による伝導特性の変化(伝導,領域7)
- 6aSA-3 結合量子ドットにおけるフラクタル挙動(アンダーソン局在・量子カオス・量子細線,領域4)
- 26pXN-13 多層カーボンナノチューブにおける3端子伝導特性(26pXN ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体分野))
- 24pXP-3 結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎの解析(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 26pXN-5 C_60薄膜におけるFET構造の作製と電気伝導特性(26pXN C_60(C_60関連・FET),領域7(分子性固体・有機導体分野))