30aYA-5 単一量子ドット系におけるファノ効果観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-03-03
著者
-
落合 勇一
千葉大工
-
森本 崇宏
千葉大学融合
-
青木 伸之
千葉大工
-
バード J.P.
筑波大物質工
-
森本 崇宏
千葉大工
-
佐々木 敬彦
千葉大VBL
-
木田 理夫
千葉大工
-
佐々木 敬彦
Atr波動工学研究所
-
原田 茂樹
千葉大自然科学研究科
-
内藤 良太
千葉大自然科学研究科
-
内藤 良太
千葉大工
-
逸見 美佐子
千葉大工
-
バード J.P.
アリゾナ州立大ナノ研
-
原田 茂樹
千葉大工
-
宗 俊峰
吉林大電子
-
原田 茂樹
千葉大院自然科学
-
J.p. バード
理研
-
バード J.P.
アリゾナ州大
関連論文
- 21aGS-12 グラフェン薄膜における低温磁気抵抗ゆらぎの解析(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aHV-12 開放系量子ドットにおける走査ゲート顕微鏡像の解析2(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pGS-11 SGMを用いたCNT薄膜FETの特性評価(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pGS-14 多層カーボンナノチューブにおける量子輸送特性の観測(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aHV-3 量子細線のスピン磁気特性(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aGR-2 光照射フラーレンナノウィスカーの電気伝導特性(20aGR フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYD-5 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価II(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYE-6 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性(ナノチューブ物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pYE-7 C_フラーレンナノウィスカー : 電気伝導への電磁波等照射効果(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aXD-3 量子ポイントコンタクトの温度依存に見られる特徴的な伝導現象(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pYH-11 窒素ドープ多層カーボンナノチューブの低温磁気伝導(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYH-5 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性II(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-17 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aVE-3 量子細線における0.7構造の類似現象(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pYH-3 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pYG-17 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pTA-5 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pTA-3 多層カーボンナノチューブの干渉効果におけるリードコンタクト依存性(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aWF-9 光を照射したフラーレンナノウィスカーの電気伝導特性(22aWF フラーレン・その他,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTB-11 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの局所ゲート特性評価(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aWJ-6 1次元系近藤効果における近藤温度の形状依存性(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pRC-5 結合型量子細線における非局所伝導を用いた局在モーメントの観測(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXJ-2 非平衡測定による量子細線・量子ポイントコンタクトの観測(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aXF-1 酸素中の熱処理における多層カーボンナノチューブの物性変化
- 24aS-10 多層カーボンナノチューブの電気伝導特性
- 23aXF-14 多層カーボンナノチューブにおける十字路伝導
- 21pTA-4 スキャニングゲート法による開放系量子ドットの観察(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXJ-5 スキャニングゲート法によるInGaAs-QPCの量子ホールエッジ状態のマッピング(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pWF-6 有機分子単結晶の電気伝導特性
- 24aYF-10 C_フラーレン電気伝導における表面処理効果(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pRC-17 C_ナノ・ウィスカーFETの作製と電気伝導特性(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aXA-5 C_ウィスカーの2端子電気伝導特性II(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYN-12 C_ウィスカーの2端子電気伝導特性(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 12aWH-12 C_ ウィスカーの電気伝導特性の解明(フラーレン, 領域 7)
- 27pZP-12 C_ウィスカーの電気伝導(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-12 C_ウィスカーの電気伝導(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 27aZP-2 C_薄膜FETにおけるアルミナ膜効果(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
- 22pXG-6 C_ 薄膜 FET における VRH
- 25aWF-10 Nb/Ge_xSi_超伝導多層膜における低温磁気伝導特性
- 25aYN-11 アモルファスSi_Ge_x薄膜における電気伝導
- 26pTG-5 C_電気伝導における光照射(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aRA-10 UV重合C_ナノウィスカーのESRによるFET耐大気性評価(25aRA フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aRA-6 SWNTを用いた薄膜FETのSGM評価(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aRA-5 単層カーボンナノチューブを用いたリング素子の作製(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aXA-12 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析とバックゲート依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23aXA-3 スプリットゲートとエッチングゲートの量子細線における低温電気伝導(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 30aXB-12 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてIII(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYC-15 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてII(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pYN-7 交差MWCNTによるナノスペースでの電気伝導(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aZC-9 半導体量子ポイントコンタクトにおける電子間相互作用(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14aYD-11 多層カーボンナノチューブにおける十字路伝導 III(ナノチューブ伝導, 領域 7)
- 12pYC-4 結合型量子細線を用いた局在スピンモーメントの検出(量子細線, 領域 4)
- 30pZP-5 多層カーボンナノチューブの層数制御による伝導特性の変化III(ナノチューブ・ピーポッド)(領域7)
- 29pZP-9 多層カーボンナノチューブにおける十字路伝導II(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 30aYA-5 単一量子ドット系におけるファノ効果観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 30aYA-1 開放型量子ドットにおけるスピンに関連した電子波伝導(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 27pYF-6 結合型量子細線の電気伝導における共鳴相互作用II(バリスティック伝導・量子細線・量子カオス)(領域4)
- 23aXF-9 多層カーボンナノチューブの層数制御による伝導特性の変化 II
- 25pK-3 ドットアレイにおける強磁場共鳴ピーク
- 25pF-9 多層カーボンナノチューブの高周波伝導特性
- 15a-B-4 C60固体の電気伝導特性
- 19pTJ-6 多層カーボンナノチューブの1次元伝導III
- 17pTJ-14 アーク放電法によるMWCNTのESR
- 21pTA-3 開放系量子ドットにおけるSGM画像の数値計算(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXL-2 開放型量子ドットの磁気抵抗のローレンツ型特性とカスプ型特性のクロスオーバーの解析 : 量子論と古典論の比較(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aXB-14 開放型量子ドットの磁気抵抗のローレンツ型特性とカスプ型特性のクロスオーバーの解析(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aYF-9 量子細線における近藤効果のゲート形状依存性(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXB-8 量子細線における低温非線形伝導現象の観測(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXB-10 結合量子ポイントコンタクトにおける二次元電子面を介した共鳴現象(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26a-ZG-6 準バリスティック量子細線におけるキャリアー散乱
- 20aYH-6 量子ドットやドット列におけるフラクタル的な磁気抵抗
- 18pYJ-4 マルチ結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎ
- 28aYX-10 多層カーボンナノチューブの1次元伝導 II
- 28aYS-9 ドットアレイにおける閉じ込め効果
- 27aTC-10 量子ドット列における低温磁気抵抗のフラクタル性
- 単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
- 21pXA-13 多層カーボンナノチューブの物性に関しての基礎的評価(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYN-3 多層カーボンナノチューブの電気伝導特性の基礎的評価(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
- 7a-N-1 量子ドットにおけるコンダクタンスの非周期ゆらぎ
- 7a-N-1 量子ドットにおけるコンダクタンスの非周期ゆらぎ
- 29a-R-8 量子細線の磁気抵抗 : 凹凸構造における電子散乱機構
- 29a-R-8 量子細線の磁気抵抗 : 凹凸構造における電子散乱機構
- 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(II)
- 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(II)
- 単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
- 1a-E-11 量子ドット列の負の磁気抵抗
- 31a-YA-4 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗
- 領域7「フラーレンナノスケール低次元構造の生成とその物性 : CNTとはどう違う?」(2006年秋季大会シンポジウムの報告)
- カオス,フラクタルと量子干渉効果(第58回年次大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
- 量子ドットにおけるフラクタル的量子伝導現象((2)メゾスコピック系における量子カオスと量子輸送,量子カオス:理論と実験の現状,研究会報告)
- 量子ドットにおけるフラクタル的量子伝導現象((2)メゾスコピック系における量子カオスと量子輸送,京大基研短期研究会「量子カオス : 理論と実験の現状」,研究会報告)
- 28pYH-7 フラクタル的量子伝導
- 28pYH-7 フラクタル的量子伝導
- 量子ドットにおけるコンダクタンスゆらぎの実験の現状(有限量子多体系の励起構造と相関効果-原子核・量子ドット・ボース凝縮・クラスターを中心として-,研究会報告)
- 量子ドットにおけるコンダクタンス : ゆらぎの実験の現状(「有限量子多体系の励起構造と相関効果」-原子核・量子ドット・ボース凝縮・クラスターを中心として-,研究会報告)
- 領域4,11「半導体ナノ構造における電子波伝播と量子カオスの接点」(第56回年次大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
- 29pYS-6 量子ドット系における量子カオス伝導の兆候
- 25aF-1 C_クラスター膜の非線形電気電導
- 29p-XA-15 カーボンナノチューブの大気中加熱の安定性
- 28p-XA-1 K_XC_の雰囲気ガス効果II