落合 勇一 | 千葉大工

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概要

• 同名の論文著者
• 千葉大工の論文著者

関連著者

• 落合 勇一

  千葉大工

• バード J.P.

  筑波大物質工

• 青木 伸之

  千葉大工

• 青木 伸之

  千葉大学融合

• 菅野 卓雄

  千葉大工

• 落合 勇一

  千葉大院融合

• 石橋 幸治

  理研

• 山本 和貫

  千葉大工

• 青木 伸之

  千葉大院融合

• フェリー D.

  Zrizona州立大ナノ研

• 落合 勇一

  千葉大学融合

• バード J.

  千葉大学融合

• 石橋 幸治

  (独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室

• 木田 理夫

  千葉大工

• 落合 勇一

  千葉大自然

• 青柳 克信

  理研

• 山本 和貫

  (財)生研

• 佐々木 敬彦

  Atr波動工学研究所

• 木田 理夫

  千葉大院融合

• 森本 崇宏

  千葉大学融合

• 森本 崇宏

  千葉大工

• 林 立弘

  千葉大vbl

• バード J.P.

  バッファロー大

• フェリー D.K.

  アリゾナ州立大

• 佐々木 敬彦

  千葉大VBL

• 佐々木 信之

  千葉大工

• 菅野 卓雄

  理研

• 林 立弘

  千葉大工

• 宮本 康一郎

  千葉大工

• 川辺 光央

  筑波大物質工

• 内藤 良太

  千葉大自然科学研究科

• 内藤 良太

  千葉大工

• 逸見 美佐子

  千葉大工

• 清野 篤郎

  千葉大院融合

• 大西 大介

  千葉大工

• 川辺 光央

  筑波大学 物理工学系

• 土井 達也

  千葉大院融合

• 小山 恭平

  千葉大院融合

• 富樫 祐子

  千葉大院融合

• 矢萩 達朗

  千葉大院融合

• 湯本 昇

  千葉大学融合

• 榎本 亮介

  千葉大工

• 加藤 友裕

  千葉大工

• 堀内 一永

  千葉大工:富士ゼロックス中研

• 橋井 忍

  千葉大工

• 橋本 明

  千葉大工

• 遠藤 孝

  千葉大学融合

• 須藤 紘平

  千葉大院融合

• 清野 篤朗

  千葉大院融合

• 椿 謙二

  千葉大工

• 青柳 克信

  立命館大学coe推進機構

• 青柳 克信

  理研フロンティア

• 小栗 暢子

  千葉大工

• 堀内 一永

  千葉大工

• 原田 茂樹

  千葉大自然科学研究科

• 鈴木 修

  千葉大工

• バード J.P.

  アリゾナ州立大ナノ研

• 原田 茂樹

  千葉大院自然科学

• Bird J.

  Univ. at Buffalo

• 湯本 昇

  千葉大工

• 植田 毅

  千葉大総メディア

• 小川 健一

  千葉大院自然

• 青柳 克信

  理研半導体工学研究室

• エイキス R.

  千葉大工

• 小川 健一

  千葉大工

• バード J.

  ニューヨーク州立大

• 本岡 正太郎

  千葉大院融合

• アカラム M.

  千葉大工

• 伊藤 慶

  千葉大院融合

• バード J.P.

  ニューヨーク州立大電子工

• 前田 賢治

  千葉大院融合

• 松崎 一孝

  千葉大院融合

• 中村 義英

  千葉大院融合

• 羽鳥 哲矢

  千葉大院融合

• 氏家 洋平

  千葉大院融合

• 三原 隆彦

  千葉大工

• 内野 信

  千葉大工

• 中田 健司

  千葉大工

• 都司 一

  千葉大工

• 池上 亜紗土

  千葉大工

• フェリー D.

  アリゾナ州立大

• 森 純一郎

  千葉大工

• Simmons J.

  サンディア国研

• 宋 俊峰

  サンディア国研

• 落合 勇一

  千葉大学工学部

• 中西 毅

  産総研

• Akis R.

  アリゾナ州立大

• 渋谷 薫

  千葉大院融合科学研究科

• Bird J.

  ニューヨーク州立大バッファロー校

• 遠藤 孝

  千葉大工

• 尾上 順

  東工大

• 原山 卓久

  ATR環境適応通信研究所

• 氏家 洋平

  千葉大工

• バード J.P.

  New York州立大

• 石井 聡

  千葉大工

• 井田 徹哉

  理化学研究所半導体工学研究室

• 石川 紫文

  千葉大工

• 井田 徹哉

  千葉大工

• Ferry D.K.

  アリゾナ州立大

• 植田 毅

  千葉大総合メディア

• 原山 卓久

  Atr波動工学研究所非線形科学研究室

• 矢口 善規

  千葉大工

• Puller V.

  Stevens工大

• Mourokh L.

  Stevens工大

• Lilly M.

  サンディア国研

• Reno J.

  サンディア国研

• 小幡 達郎

  千葉大工

• Burke A.

  アリゾナ州立大

• Ferry D.

  アリゾナ州立大

• 遠藤 孝

  千葉大院融合科学研究科

• 岩田 朋大

  千葉大工

• 千葉 康人

  千葉大院融合

• 黒江 晴彦

  上智大理工

• 関根 智幸

  上智大理工

• 菊池 昭彦

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 石井 聡

  筑波大加速器

• 佐藤 智信

  千葉大工

• 関根 智幸

  上智大理工:crest-jst

• 岸野 克巳

  上智大理工

• 岸野 克巳

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 岸野 克己

  上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構

• 内野 雅史

  千葉大工

• 内田 貴司

  横市大院国総科

• 清水 正昭

  富士ゼロックス(株)中央研究所 基礎研究室

• Newbury R

  ニューサウスウェールズ大

• 橘 勝

  横浜市立大

• 尾上 順

  東工大原子炉研

• 波多野 敦士

  千葉大工

• 中田 洋平

  北大電子研

• 佐々木 孝彦

  千葉大VBL

• 堀内 一永

  富士ゼロックス中央研究所

• 奈良 慶一

  千葉大工

• 菊池 昭彦

  上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻

• 木田 理夫

  千葉大自然科学研究科

• 森本 崇宏

  千葉大自然科学研究科

• 逸見 美佐子

  千葉大自然科学研究科

• Bird J.

  New York州立大

• Shailos A.

  アリゾナ州大ナノ研

• Bird J.

  アリゾナ州大ナノ研

• 佐々木 敬彦

  千葉大工

• 原田 茂樹

  千葉大工

• Bird J.P.

  アリゾナ州立大

• 大上 真由

  千葉大院融合

• 中尾 敬一郎

  千葉大工

• Bird J.

  Arizona州立大ナノ研

• Ferry D.

  Arizona州立大ナノ研

• 石川 弦吾

  千葉大工

• 田中 秀樹

  岡山大院

• 樋口 真也

  千葉大工

• Brunner R.

  ICORP-JST

• 渋谷 薫

  千葉大学融合

• Bird J.

  千葉大学融合

• 土井 達也

  千葉大学大学院

• 小山 恭平

  千葉大学大学院

• 青木 伸之

  千葉大学大学院

• 落合 勇一

  千葉大学大学院

• 岩田 朋大

  千葉大院融合科学研究科

• 湯本 昇

  千葉大院融合科学研究科

• 森本 崇宏

  理化学研究所

• 羽鳥 哲夫

  千葉大院融合

• 森本 崇宏

  理研

• 本岡 正太郎

  千葉大工

• Kang M.-G.

  ニューヨーク州立大学バッファロー校

• 陳 仕任

  南台技大

• 三谷 友祐

  千葉大院融合

• 山田 省二

  北陸先端大ナノセ

• 植田 毅

  東京大学大学院工学系研究科

• ユン Y.

  New York州立大

• 植田 毅

  慶大理工

• 丸山 有成

  分子研

• 日野 照純

  千葉大工・院自然

• 日野 照純

  千葉大工

• 丸山 有成

  法政大工

• 緒方 啓典

  分子研

• 中村 勝弘

  大阪市立大学工学部

• 植田 毅

  千葉大工

• 山崎 一

  千葉大学工学部

• 岡安 悟

  原研固体物理

• 石橋 幸治

  理化学研究所半導体工学研究室

• 海下 一徳

  千葉大工

• 数又 幸生

  原研固体物理

• 石橋 幸治

  理化学研究所

• 宮本 克彦

  理化学研究所 仙台

• 尾松 孝茂

  千葉大学大学院 融合科学研究科

• 宮本 克彦

  千葉大学大学院融合科学研究科

• 清水 正昭

  富士ゼロックス(株)中央研究所基礎研究室

• 宮原 知子

  富士ゼロックス中央研究所

• ***ャ C.r.da

  千葉大工

• Cunha C.R.

  アリゾナ州立大ナノ

• 中村 勝弘

  大阪市立大学工学研究科

• 千葉 康人

  千葉大工

• 堀内 一永

  .富士ゼロックス中央研究所

• 梶田 洋敬

  千葉大工

• Bird P.j

  理研半導体

• 宗 俊峰

  吉林大電子

• 宋 俊峰

  吉林大電子

• Puller V.I.

  Stevens工大

• Mourokh L.G.

  Stevens工大

• Lilly M.P.

  サンディア国研

• Simmons J.A.

  サンディア国研

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著作論文

• 21aGS-12 グラフェン薄膜における低温磁気抵抗ゆらぎの解析(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aHV-12 開放系量子ドットにおける走査ゲート顕微鏡像の解析2(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pGS-11 SGMを用いたCNT薄膜FETの特性評価(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pGS-14 多層カーボンナノチューブにおける量子輸送特性の観測(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aHV-3 量子細線のスピン磁気特性(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aGR-2 光照射フラーレンナノウィスカーの電気伝導特性(20aGR フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYD-5 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価II(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYE-6 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性(ナノチューブ物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pYE-7 C_フラーレンナノウィスカー : 電気伝導への電磁波等照射効果(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 27aXD-3 量子ポイントコンタクトの温度依存に見られる特徴的な伝導現象(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pYH-11 窒素ドープ多層カーボンナノチューブの低温磁気伝導(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYH-5 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性II(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-17 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aVE-3 量子細線における0.7構造の類似現象(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pYH-3 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pYG-17 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23pTA-5 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pTA-3 多層カーボンナノチューブの干渉効果におけるリードコンタクト依存性(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aWF-9 光を照射したフラーレンナノウィスカーの電気伝導特性(22aWF フラーレン・その他,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTB-11 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの局所ゲート特性評価(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aWJ-6 1次元系近藤効果における近藤温度の形状依存性(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pRC-5 結合型量子細線における非局所伝導を用いた局在モーメントの観測(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXJ-2 非平衡測定による量子細線・量子ポイントコンタクトの観測(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aXF-1 酸素中の熱処理における多層カーボンナノチューブの物性変化
• 24aS-10 多層カーボンナノチューブの電気伝導特性
• 23aXF-14 多層カーボンナノチューブにおける十字路伝導
• 21pTA-4 スキャニングゲート法による開放系量子ドットの観察(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXJ-5 スキャニングゲート法によるInGaAs-QPCの量子ホールエッジ状態のマッピング(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pWF-6 有機分子単結晶の電気伝導特性
• 24aYF-10 C_フラーレン電気伝導における表面処理効果(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pRC-17 C_ナノ・ウィスカーFETの作製と電気伝導特性(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aXA-5 C_ウィスカーの2端子電気伝導特性II(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pYN-12 C_ウィスカーの2端子電気伝導特性(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 12aWH-12 C_ ウィスカーの電気伝導特性の解明(フラーレン, 領域 7)
• 27pZP-12 C_ウィスカーの電気伝導(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
• 27pZP-12 C_ウィスカーの電気伝導(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
• 27aZP-2 C_薄膜FETにおけるアルミナ膜効果(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
• 22pXG-6 C_ 薄膜 FET における VRH
• 25aWF-10 Nb/Ge_xSi_超伝導多層膜における低温磁気伝導特性
• 25aYN-11 アモルファスSi_Ge_x薄膜における電気伝導
• 26pTG-5 C_電気伝導における光照射(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aRA-10 UV重合C_ナノウィスカーのESRによるFET耐大気性評価(25aRA フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aRA-6 SWNTを用いた薄膜FETのSGM評価(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aRA-5 単層カーボンナノチューブを用いたリング素子の作製(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aXA-12 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析とバックゲート依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23aXA-3 スプリットゲートとエッチングゲートの量子細線における低温電気伝導(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-12 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてIII(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYC-15 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてII(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pYN-7 交差MWCNTによるナノスペースでの電気伝導(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aZC-9 半導体量子ポイントコンタクトにおける電子間相互作用(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14aYD-11 多層カーボンナノチューブにおける十字路伝導 III(ナノチューブ伝導, 領域 7)
• 12pYC-4 結合型量子細線を用いた局在スピンモーメントの検出(量子細線, 領域 4)
• 30pZP-5 多層カーボンナノチューブの層数制御による伝導特性の変化III(ナノチューブ・ピーポッド)(領域7)
• 29pZP-9 多層カーボンナノチューブにおける十字路伝導II(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
• 30aYA-5 単一量子ドット系におけるファノ効果観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 30aYA-1 開放型量子ドットにおけるスピンに関連した電子波伝導(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 27pYF-6 結合型量子細線の電気伝導における共鳴相互作用II(バリスティック伝導・量子細線・量子カオス)(領域4)
• 23aXF-9 多層カーボンナノチューブの層数制御による伝導特性の変化 II
• 25pK-3 ドットアレイにおける強磁場共鳴ピーク
• 25pF-9 多層カーボンナノチューブの高周波伝導特性
• 15a-B-4 C60固体の電気伝導特性
• 19pTJ-6 多層カーボンナノチューブの1次元伝導III
• 17pTJ-14 アーク放電法によるMWCNTのESR
• 21pTA-3 開放系量子ドットにおけるSGM画像の数値計算(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXL-2 開放型量子ドットの磁気抵抗のローレンツ型特性とカスプ型特性のクロスオーバーの解析 : 量子論と古典論の比較(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-14 開放型量子ドットの磁気抵抗のローレンツ型特性とカスプ型特性のクロスオーバーの解析(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aYF-9 量子細線における近藤効果のゲート形状依存性(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXB-8 量子細線における低温非線形伝導現象の観測(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXB-10 結合量子ポイントコンタクトにおける二次元電子面を介した共鳴現象(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26a-ZG-6 準バリスティック量子細線におけるキャリアー散乱
• 20aYH-6 量子ドットやドット列におけるフラクタル的な磁気抵抗
• 18pYJ-4 マルチ結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎ
• 28aYX-10 多層カーボンナノチューブの1次元伝導 II
• 28aYS-9 ドットアレイにおける閉じ込め効果
• 27aTC-10 量子ドット列における低温磁気抵抗のフラクタル性
• 単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
• 21pXA-13 多層カーボンナノチューブの物性に関しての基礎的評価(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYN-3 多層カーボンナノチューブの電気伝導特性の基礎的評価(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
• 7a-N-1 量子ドットにおけるコンダクタンスの非周期ゆらぎ
• 7a-N-1 量子ドットにおけるコンダクタンスの非周期ゆらぎ
• 29a-R-8 量子細線の磁気抵抗 : 凹凸構造における電子散乱機構
• 29a-R-8 量子細線の磁気抵抗 : 凹凸構造における電子散乱機構
• 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(II)
• 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(II)
• 単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
• 1a-E-11 量子ドット列の負の磁気抵抗
• 31a-YA-4 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗
• 領域7「フラーレンナノスケール低次元構造の生成とその物性 : CNTとはどう違う?」(2006年秋季大会シンポジウムの報告)
• カオス,フラクタルと量子干渉効果(第58回年次大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
• 量子ドットにおけるフラクタル的量子伝導現象((2)メゾスコピック系における量子カオスと量子輸送,量子カオス:理論と実験の現状,研究会報告)
• 量子ドットにおけるフラクタル的量子伝導現象((2)メゾスコピック系における量子カオスと量子輸送,京大基研短期研究会「量子カオス : 理論と実験の現状」,研究会報告)
• 28pYH-7 フラクタル的量子伝導
• 28pYH-7 フラクタル的量子伝導
• 量子ドットにおけるコンダクタンスゆらぎの実験の現状(有限量子多体系の励起構造と相関効果-原子核・量子ドット・ボース凝縮・クラスターを中心として-,研究会報告)
• 量子ドットにおけるコンダクタンス : ゆらぎの実験の現状(「有限量子多体系の励起構造と相関効果」-原子核・量子ドット・ボース凝縮・クラスターを中心として-,研究会報告)
• 領域4,11「半導体ナノ構造における電子波伝播と量子カオスの接点」(第56回年次大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
• 29pYS-6 量子ドット系における量子カオス伝導の兆候
• 25aF-1 C_クラスター膜の非線形電気電導
• 29p-XA-15 カーボンナノチューブの大気中加熱の安定性
• 28p-XA-1 K_XC_の雰囲気ガス効果II
• 27p-M-1 C_クラスター薄膜の電気伝導機構
• 1p-R-10 Nb/Ge多層膜における局在効果と超伝導特性III
• 1p-Q-9 C_クラスター膜による微小接合の電気特性
• 29p-D-5 酸素ガス雰囲気下でのK_xC_(x≒3)の構造と物性
• 20pYC-4 同一基板上における「0.7構造」の観測(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTH-2 結合型量子細線の電気伝導における共鳴相互作用
• 22pTH-13 結合量子ドット系における磁気ゆらぎのフラクタル解析
• 24pSA-1 ドットアレイにおけるキャリアー濃度のゲート依存性
• 23pL-4 ドットアレイにおける古典・量子伝導現象の競合
• 25aD-11 ドットアレイにおける金属-絶縁体移転
• 29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
• 29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
• 25p-YG-3 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性II
• 25p-YG-3 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性II
• 28p-L-11 量子細線におけるU.C.Fの伝導幅、及び長さ依存性
• 28p-L-10 量子細線における相関磁場の幅、磁場依存性
• 31a-Q-13 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性
• 31a-Q-13 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性
• 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
• 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
• 28a-Q-3 Nb/Ge多層膜における局在効果と超伝導特性
• 壁面構造のあるスプリッドゲート型量子細線の電気伝導
• 21pXA-8 AFMによる量子伝導観測用MWNT素子の研究(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pYF-11 多層カーボンナノチューブの1次元伝導
• 30aTE-8 交差カーボンナノチューブの伝導(30aTE ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aZP-2 C_薄膜FETにおけるアルミナ膜効果(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
• 25pYB-8 フラーレンナノウイスカーによるFET(25pYB 領域7シンポジウム:フラーレンナノスケール低次元構造の生成とその物性-CNTとはどう違う?-,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pSA-2 量子ドットにおける分子的挙動
• 27a-X-7 壁面構造のあるスプリットゲート型量子細線の電気伝導
• 31a-N-2 量子細線の伝導度ゆらぎにおける普遍性のやぶれ
• 31a-N-2 量子細線の伝導度ゆらぎにおける普遍性のやぶれ
• 28p-L-11 量子細線におけるU.C.F.の伝導幅、及び長さ依存性
• 28p-L-10 量子細線における相関磁場の幅、磁場依存性
• 28a-L-4 スプリットゲート細線における電気伝導の長さ依存性II
• 13p-DF-1 スプリットゲート細線における電気伝導の長さ依存性
• 13a-K-4 量子細線における局在効果
• 13a-K-4 量子細線における局在効果
• 31a-N-1 スプリットゲート型量子細線の線幅決定
• 31a-N-1 スプリットゲート型量子細線の線幅決定
• 5a-J-12 伝導度ゆらぎから推定する量子細線の伝導幅
• 5a-J-12 伝導度ゆらぎから推定する量子細線の伝導幅
• 31p-N-2 The Spectral Characteristics of Conductance Fluctuations in Ballistic Quantum Dots
• 25aHD-12 半導体量子細線における磁場依存性と解析(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pTB-3 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pTJ-5 垂直配向型フラーレンウィスカーの成長分析および電気特性(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pTJ-2 フラーレンナノウィスカーUV重合体のESRによる評価(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aHD-2 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aPS-89 1本のGaNナノコラムの電気伝導(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pTB-2 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTD-10 フラーレンナノウィスカーの電子物性と結晶成長条件(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTD-9 光渦照射によるC_薄膜の光重合化(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pPSA-6 1本のGaNナノコラムの電気伝導II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTM-3 半導体量子細線における磁場依存性と解析II(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTG-9 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTL-6 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性II(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTG-5 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 1p-M-7 GaAs/AlGaAsスプリットゲート細線における伝導度ゆらぎII
• 30p-N-4 GaAs/AlGaAs量子細線における相関磁場
• 27p-P-8 GaAs/AlGaAsスプリットゲート細線における伝導度ゆらぎ
• 31a-R-8 アモルファスNb薄膜におけるホッピング伝導
• 5a-J-13 伝導度ゆらぎから推定される量子細線中の散乱機構
• 5a-J-13 伝導度ゆらぎから推定される量子細線の散乱機構
• 3a-J-4 イオンビームスパッタリング法によるa-Si/Nb膜の電気伝導
• 6aSE-11 多層カーボンナノチューブにおけるCESR(伝導,領域7)
• 8aSD-3 アルミナ絶縁膜の作製とフラーレン電界効果トランジスター(電解効果ドーピング,領域7)
• 6aSE-10 多層カーボンナノチューブの層数制御による伝導特性の変化(伝導,領域7)
• 6aSA-3 結合量子ドットにおけるフラクタル挙動(アンダーソン局在・量子カオス・量子細線,領域4)
• 26pXN-13 多層カーボンナノチューブにおける3端子伝導特性(26pXN ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体分野))
• 24pXP-3 結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎの解析(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 31a-YA-4 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)
• 26pXN-5 C_60薄膜におけるFET構造の作製と電気伝導特性(26pXN C_60(C_60関連・FET),領域7(分子性固体・有機導体分野))
• 1a-E-11 量子ドット列の負の磁気抵抗(1aE 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック),低温)

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