山本 和貫 | 千葉大工
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概要
関連著者
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山本 和貫
千葉大工
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落合 勇一
千葉大工
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バード J.P.
筑波大物質工
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千葉大工
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山本 和貫
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菅野 卓雄
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石橋 幸治
理研国際フロンティア
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青柳 克信
理研国際フロンティア
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菅野 卓雄
理研国際フロンティア
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フェリー D.
Zrizona州立大ナノ研
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石橋 幸治
理研
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菅野 卓雄
東洋大工
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佐々木 信之
千葉大工
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大久保 義男
千葉大工
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長岡 洋介
京大基研
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バード J.P.
理研国際フロンティア
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松阪大物理
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大西 泰造
筑波大物質工
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ウィジャヤ A.W.
千葉大工
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川辺 光央
筑波大学物理工学系
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フェリー D.K.
アリゾナ州大
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青柳 克信
理研
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青柳 克信
理研フロンティア
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川辺 光央
筑波大物質工
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千葉大vbl
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林 立弘
千葉大工
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菅野 卓雄
理研フロンティア
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石橋 幸治
理研フロンティア
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バード J.P
理研国際フロンティア
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石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
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菅野 卓雄
理研
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塩野入 豊
千葉大工
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森 純一郎
千葉大工
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塩野入 豊
千葉大学工学部
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山本 和貫
千葉大学工学部
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落合 勇一
千葉大学工学部
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森杉 英典
千葉大工
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Bird J.P.
理研フロンティア
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フェリー D.K
アリゾナ州立大
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青木 伸之
千葉大工
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丸山 有成
法政大工
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緒方 啓典
分子研
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山崎 一
千葉大学工学部
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バード J.P.
アリゾナ州立大ナノ研
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石橋 幸治
筑波大物質工
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バード J.P
筑波大物質工
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青柳 克信
筑波大物質工
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菅野 卓雄
筑波大物質工
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バード J.P.
アリゾナ州大
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丸山 有成
分子科学研
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緒方 啓典
分子科学研究所
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Ferry D.K.
アリゾナ州立大
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エイキス R.
千葉大工
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Newbury R
ニューサウスウェールズ大
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エイキス R.
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古関 正賢
千葉大工
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美馬 健一
千葉大工
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アキス R.
アリゾナ州立大ナノ研
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NEWBURY R.
ニューサウスウェールズ大
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TAYLOR R.P.
ニューサウスウェールズ大
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バード J.P.
理研フロンティア
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古関 正賢
千葉大学工学部
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丹慶 勝市
松坂大物理
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エイキス R.
アリゾナ州立大ナノ
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バード J.
理研国際フロンティア
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田中 秀樹
岡山大院
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石井 聡
筑波大加速器
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丸山 有成
分子研
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宮本 康一郎
千葉大工
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石井 聡
千葉大工
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榎本 亮介
千葉大工
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Bird J.P.
アリゾナ州立大
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千葉大工
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松永 泰彦
千葉大工
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Widjaja A.W.
千葉大工
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Bird J.P.
理研国際フロンティア
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ウィジャヤ A.W
千葉大工
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J.P バード
理研国際フロンティア
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D.K フェリ
アリゾナ州立大学
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フェリ D.K.
アリゾナ州立大学
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朝倉 健作
千葉大工
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バード J.P
アイゾナ州立大
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フェリー D.K.
アイゾナ州立大
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菅野 貞雄
理研
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BIRD J.P
アリゾナ州立大
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FERRY D.K
アリゾナ州立大
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TAYLOR R.P
ニューサウスウェールズ大
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田中 秀樹
千葉大工
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大西 泰造
筑波大物理工
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川辺 光央
筑波大物理工
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山本 和貴
千葉大工
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丹慶 勝市
Dept.Phys., Matsusaka Univ.
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谷慶 勝市
松坂大物理
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ウィジャヤ A.
千葉大工
-
ウイジャヤ A.
千葉大工
著作論文
- 31p-WB-3 C_単結晶の磁気抵抗とホール効果
- 31a-YK-6 C_、C_単結晶における高温電気伝導
- 15a-B-4 C60固体の電気伝導特性
- 17pTJ-14 アーク放電法によるMWCNTのESR
- 29a-R-8 量子細線の磁気抵抗 : 凹凸構造における電子散乱機構
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- 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(II)
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- 1a-E-11 量子ドット列の負の磁気抵抗
- 31a-YA-4 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗
- 1p-R-10 Nb/Ge多層膜における局在効果と超伝導特性III
- 29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
- 29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
- 25p-YG-3 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性II
- 25p-YG-3 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性II
- 28p-L-11 量子細線におけるU.C.Fの伝導幅、及び長さ依存性
- 31a-Q-13 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性
- 31a-Q-13 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性
- 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
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- 28a-Q-3 Nb/Ge多層膜における局在効果と超伝導特性
- 1p-C-9 K_xC_のESR
- 壁面構造のあるスプリッドゲート型量子細線の電気伝導
- 29a-J-9 K_XC_60のESRと交流帯磁率
- 27a-X-7 壁面構造のあるスプリットゲート型量子細線の電気伝導
- 31a-N-2 量子細線の伝導度ゆらぎにおける普遍性のやぶれ
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- 28p-L-11 量子細線におけるU.C.F.の伝導幅、及び長さ依存性
- 28p-L-10 量子細線における相関磁場の幅、磁場依存性
- 28a-L-4 スプリットゲート細線における電気伝導の長さ依存性II
- 13p-DF-1 スプリットゲート細線における電気伝導の長さ依存性
- 13a-K-4 量子細線における局在効果
- 13a-K-4 量子細線における局在効果
- 31a-N-1 スプリットゲート型量子細線の線幅決定
- 31a-N-1 スプリットゲート型量子細線の線幅決定
- 5a-J-12 伝導度ゆらぎから推定する量子細線の伝導幅
- 5a-J-12 伝導度ゆらぎから推定する量子細線の伝導幅
- 31a-R-8 アモルファスNb薄膜におけるホッピング伝導
- 5a-J-13 伝導度ゆらぎから推定される量子細線中の散乱機構
- 5a-J-13 伝導度ゆらぎから推定される量子細線の散乱機構
- 3a-J-4 イオンビームスパッタリング法によるa-Si/Nb膜の電気伝導
- 31a-YA-4 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)
- 1a-E-11 量子ドット列の負の磁気抵抗(1aE 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック),低温)