川辺 光央 | 筑波大物質工

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概要

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関連著者

• 川辺 光央

  筑波大物質工

• 大西 泰造

  筑波大物質工

• バード J.P.

  筑波大物質工

• 蒲生 健次

  阪大基礎工

• 落合 勇一

  筑波大物質工

• 難波 進

  阪大基礎工

• 落合 勇一

  千葉大工

• 石橋 幸治

  理研国際フロンティア

• 青柳 克信

  理研国際フロンティア

• 邑瀬 和生

  阪大理

• 難波 進

  長崎総合科学大

• 川辺 光央

  筑波大学 物理工学系

• 川辺 光央

  筑波大学物理工学系

• 菅野 卓雄

  千葉大工

• 青柳 克信

  理研

• 石田 修一

  阪大理

• 石橋 幸治

  阪大基礎工

• 山本 和貫

  千葉大工

• 石橋 幸治

  理研フロンティア

• 菅野 卓雄

  理研国際フロンティア

• 水野 雅博

  筑波大物質工

• 青柳 克信

  理研フロンティア

• 長岡 洋介

  京大基研

• 丹慶 勝市

  松阪大物理

• バード J.P

  理研国際フロンティア

• 菅野 卓雄

  理研フロンティア

• 青柳 克彦

  理研フロンティア

• 難波 進

  理研国際フロンティア

• Bird J.P.

  理研フロンティア

• 阿部 哲史

  筑波大物質工

• 石橋 幸治

  理研

• フェリー D.

  Zrizona州立大ナノ研

• 高垣 雪彦

  阪大基礎工

• 難波 進

  理研フロンティア

• J.p. バード

  理研

• J.P Bird

  筑波大物質工

• Bird J.P.

  理研国際フロンティア

• フェリー D.K

  アリゾナ州立大

• 山本 和貴

  千葉大工

• 丹慶 勝市

  松坂大物理

• 西田 昌生

  阪大基礎工

• Bird J.P.

  筑波大物質

• 邑瀬 和生

  阪大

• 木戸 義勇

  東大物性研

• 谷川 庄一郎

  筑波大物理工

• 木戸 義勇

  物材機構

• 魏 龍

  筑波大学物質工学系

• 谷川 庄一郎

  筑波大物質工学

• 村上 浩一

  筑波大学物質工学系

• 今中 康貴

  金材技研

• 木戸 義勇

  金材技研

• 赤羽 浩一

  筑波大学 物理工学系

• 青柳 克信

  理研半導体工学研究室

• 高増 正

  金材技研

• 難波 進

  大阪大学基礎工学部

• 村上 浩一

  阪大基礎工

• 谷川 庄一郎

  筑波大物質工

• 石田 修一

  東理大山口短大

• 川合 浩史

  阪大基礎工

• 永田 公

  阪大基礎工

• Bird P.j

  理研半導体

• 石橋 幸治

  理研半導体

• 赤羽 浩一

  筑波大物質工

• 高垣 雪彦

  パウル・ドルーデ固体電子研

• 菅野 卓雄

  理研半導体

• Noh S.K.

  理研フロンティア

• 青柳 克彦

  理研国際フロンティア

• 赤羽 浩一

  筑波大学物理工学系

• LAN SHENG

  筑波大物質工

• 山本 和貴

  千葉大理

• 魏 龍

  筑波大物質工

• 高垣 雪彦

  阪大基礎工:阪大理

• 丹慶 勝市

  Dept.Phys., Matsusaka Univ.

• 李 鐘覧

  筑波大物質工

• 永田 公

  理研

• 谷川 庄一郎

  筑波大物質

• 蒲生 健次

  阪大基礎研

• Noh S.

  理研フロンティア

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著作論文

• 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
• 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
• 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
• 26a-ZG-6 準バリスティック量子細線におけるキャリアー散乱
• 30p-TB-9 GaAs/AlGaAs細線でのシュブニコフ・ド・ハース振動
• 3p-ZE-10 GaAs細線の磁気抵抗非周期ゆらぎ
• 29p-ZK-4 Quantum Interference Effects in High Mobility Semiconductor Devices at Low Temperatures
• 28a-C-7 スプリットゲート細線におけるキャリア-散乱
• 24a-M-13 準バリスティック伝導細線におけるサイズ効果
• GaAs/AlGaAs細線におけるSdH振動の振幅解析
• 27p-YN-9 パルス強磁場下における磁気光学測定装置の開発と量子ドットへの応用
• 31a GE-10 パルス・レーザ照射による非晶質 : 結晶遷移の動的挙動
• 28p-L-11 量子細線におけるU.C.Fの伝導幅、及び長さ依存性
• 28p-L-10 量子細線における相関磁場の幅、磁場依存性
• 28p-L-11 量子細線におけるU.C.F.の伝導幅、及び長さ依存性
• 28p-L-10 量子細線における相関磁場の幅、磁場依存性
• 13p-DF-1 スプリットゲート細線における電気伝導の長さ依存性
• 13a-K-4 量子細線における局在効果
• 13a-K-4 量子細線における局在効果
• 2a-Z-11 単色陽電子線によるGaAs中の点欠陥の検出
• 1a-E-5 金属型GaAs薄膜のアンダーソン局在
• 1p-M-7 GaAs/AlGaAsスプリットゲート細線における伝導度ゆらぎII
• 27p-P-8 GaAs/AlGaAsスプリットゲート細線における伝導度ゆらぎ
• 27p-B-12 Geometrical Scattering Effects in Small Split Gate Structures
• 29p-X-8 スプリットゲート細線における低温電気伝導
• 2p-L1-5 選択ドープGaAs-AIGaAs細線の電気伝導II(半導体,(表面・界面・超格子))
• 30a-LB-10 n^+-GaAs細線における伝導度のゆらぎの試料サイズ依存性(低温)
• 1p-L4-13 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(低温(薄膜・細線の電気伝導))
• 30a-FC-9 GaAs薄膜及び極微細線の電気伝導(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 31a-SC-10 GaAs細線の低温磁気抵抗(31a SC 低温(アンダーソン局在,他))

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