難波 進 | 大阪大学基礎工学部
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概要
関連著者
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難波 進
大阪大学基礎工学部
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難波 進
阪大基礎工
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蒲生 健次
阪大基礎工
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高垣 雪彦
パウル・ドルーデ固体電子研
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高垣 雪彦
阪大基礎工:阪大理
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高垣 雪彦
阪大基礎工
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邑瀬 和生
阪大理
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鷹岡 貞夫
阪大理
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升田 公三
阪大基礎工
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升田 公三
阪大工
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升田 公三
筑波大
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鷹岡 貞夫
阪大院理
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川辺 光央
大阪大学基礎工学部
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難波 進
長崎総合科学大
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鵜久森 正毅
阪大基礎工
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鵜久森 正毅
山口大工短
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塚越 一仁
阪大理
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音 賢一
阪大理
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塚越 一仁
阪大基礎工
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川辺 光央
阪大基礎工
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山本 恵一
神戸大工
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青柳 克信
理研
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岩見 基弘
阪大工
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小林 利彦
神戸大工
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高原 淳一
阪大基礎工
-
青柳 克信
理研フロンティア
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青木 和徳
神戸大工
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平木 昭夫
阪大工
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首藤 和夫
阪大工
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三枝 隆男
東海大教養
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蒲生 健次
大阪大学基礎工学部
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久保田 浩史
阪大理
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久保田 浩史
京大・理
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谷口 裕昭
阪大基礎工
-
谷口 裕昭
阪大基礎工:阪大理
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村上 浩一
筑波大学物質工学系
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青柳 克信
理化学研究所
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岩木 正哉
理化学研究所
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石田 修一
阪大理
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平木 昭夫
大阪大学工学研究科フロンティア研究センター
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石橋 幸治
阪大基礎工
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阪本 利司
阪大基礎工:阪大理
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奥山 幸生
神戸大工
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森 信太郎
神戸大工
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衣笠 敏郎
神戸大工
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蒲田 健次
阪大基礎工
-
村上 浩一
阪大基礎工
-
森 信太郎
神戸大・工
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石田 修一
東理大・山口短大
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石橋 幸治
理研・国際フロンティア
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青柳 克信
理研・国際フロンティア
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川辺 光央
筑波大物質工
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石橋 幸司
理研
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平木 昭夫
大阪大学工学部
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角田 武
阪大基礎工
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邑瀬 和生
阪大基礎工
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小林 峰
理化学研究所
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吉松 誠司
阪大基礎工
-
高垣 雪彦
大阪大学基礎工学部
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高井 幹夫
阪大基礎工
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藤花 隆宣
(株)新技術研究所
-
角田 武
阪大基礎工:阪大理
-
小林 健三
大阪大学基礎工学部
-
戴 義生
理化学研究所
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岩見 基弘
大阪大学工学部
著作論文
- 31p-CA-9 GaAs-MOS 及び Shottky 構造におけるルミネッセンス再吸着効果
- 31a-BH-7 CdSe-MOS 構造におけるルミネッセンス再吸収効果
- ビーム加工を中心とした微細加工技術の現状と将来(加工限界と工程設計)
- 7a-D-1 金属イオンの注入によるSi-貴金属の合金の直接生成
- 5p-Q-10 強光励起GaSeの光吸収
- 加工技術の発展 (電子工学における微細加工技術とその応用)
- 12p-T-11 強く励起されたGaSeの発光 II
- 12a-F-8 イオン注入Si:P系のESR
- 電子ビ-ム,イオンビ-ムによるマイクロ加工
- 25p-K-5 窒素ガスレーザ励起によるアントラセンの蛍光
- 3p-L-15 強く励起されたGaSeの発光
- J. Ready: Effects of High-Power Laser Irradiation, Academic Press, New York, 1971, 433 ページ, 23.5×16cm, 7,000円
- 10p-S-3 アントラセン結晶中でのエネルギー移動
- 5p-M-4 アントラセンの蛍光寿命
- 3p-K-9 電子線によって強く励起されたGaSeの発光
- 6a-B1-8 GaAs-AlGaAs極微構造における非対称磁気抵抗のゆらぎ
- 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
- 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
- 25p-ZB-4 バリスティック細線における電子散乱
- 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
- 7a-T-7 Au^+およびCu^+イオンのSi基板中へのHigh-dose Implantation
- 29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
- 29p-ZK-10 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導のゲート制御
- 26a-ZB-9 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導
- 非局所的配置におけるGaAs/AlGaAs量子細線のシュブニコフ・ド・ハース効果
- 30p-TB-8 GaAs/AlGaAs量子細線におけるバリスティック伝導電子の非局所的シュビニコフ・ド・ハース効果
- GaAs-AlGaAs電子導波路における伝達抵抗II
- 30p-TB-7 GaAS-AlGaAS電子導波路における伝達抵抗
- 超微細加工と電子波デバイス
- 電子ビ-ム露光とドライエッチング (量子効果デバイスのための微細プロセス技術(技術ノ-ト))
- III 量子エレクトロニクスの応用 : III-2 工学的応用 : レーザー加工 ( 量子エレクトロニクスの現状と将来)
- レーザーアニール機構の研究(VI. 半導体の格子緩和,強結合電子・格子系の動的物性,科研費研究会報告)
- 分子・原子レベルの微細加工と触媒
- サブミクロン加工とエレクトロニクス(各種分野における微細画像への挑戦)
- エレクトロニクスにおける微細加工の限界
- サブミクロン技術(新技術シリ-ズ)
- 11a-T-1 GaAs中のイオン注入不純物(Te およびSb)の格子位置
- 光ICにおける技術的問題点
- 新しいマイクロ加工技術
- シンクロトロン放射-6-X線リソグラフィ-
- 化合物半導体表面デバイス
- AINx簿膜へのNイオンビーム注入効果
- Si基板中へのAu+およびCu+の高濃度イオン注入によるSi-Au,-Cu合金の直接生成