11a-T-1 GaAs中のイオン注入不純物(Te およびSb)の格子位置
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1972-10-10
著者
関連論文
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- CO_2 レーザー光検出用無給電スロットアンテナアレーの受信特性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
- 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
- 6a-B1-8 GaAs-AlGaAs極微構造における非対称磁気抵抗のゆらぎ
- 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
- 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
- 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
- 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
- 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい
- 異方アンチドット系における電気伝導度
- 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
- 25p-ZB-4 バリスティック細線における電子散乱
- 24pYC-14 PEEMによる強磁性体ミクロ構造の軟X線磁気円二色性顕微分光
- 集束イオンビームを用いたナノ加工
- 低エネルギ-集束イオンビ-ム直接堆積によるシリコンおよびシリコン酸化膜の形成
- 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
- 24a-M-12 PbTe薄膜及び細線の反局在効果
- 10p-R-9 イオン注入Si:P系に於けるESR時の電気抵抗変化
- 29p-PS-33 Y系酸化物超伝導体薄膜の電気伝導
- 7a-T-7 Au^+およびCu^+イオンのSi基板中へのHigh-dose Implantation
- 17pPSA-11 微細加工反強磁性層を有するスピンバルブ膜の電流磁気効果
- 磁性多層膜細線における静磁気的相互作用の研究
- 29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
- 30p-TB-9 GaAs/AlGaAs細線でのシュブニコフ・ド・ハース振動
- 3p-ZE-10 GaAs細線の磁気抵抗非周期ゆらぎ
- 24a-M-13 準バリスティック伝導細線におけるサイズ効果
- GaAs/AlGaAs細線におけるSdH振動の振幅解析
- 28a-T-4 アンチドットを含む二次元電子系での量子ホール効果のブレークダウンとその不安定現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果ブレークダウン現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果のブレークダウン現象
- 31a GE-10 パルス・レーザ照射による非晶質 : 結晶遷移の動的挙動
- 6a-KL-14 イオン(P^+,S6^+)注入SiのESR
- 3a-N-8 イオン注入Siの常磁性格子欠陥
- 30a-U-5 イオン注入 Si の格子欠陥(ESR)
- 3a-N-1 イオン注入した半導体のESR
- 31a-YA-2 平行磁場によるバリスティック散乱長の変化
- 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
- 27a-X-8 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
- 1p-L-5 銅フタロシアニンの光導電特性
- 14a-M-1 銅フタロシアニンの光伝導 IV
- 4a-K-6 銅フタロシアニンの光伝導III
- 銅フタロシアニンの光伝導 II : 分子結晶・有機半導体
- Phthalocyanineの光伝導 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
- ESRによるDPPH_2の放射線効果 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
- DPPHの電気伝導 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
- DPPHとDPPH-H混晶のESR : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
- DPPH・Hの電気伝導 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
- 6p-L-1 DPPH単結晶中の不対電子による電気伝導
- DPPH単結晶のconductivityとESR : 半導体(化合物・有機)
- ベンゼン溶液中のDPPHのConductionのESRによる考察 : 半導体(化合物・有機)
- 有機半導体(DPPH等)のconductivityとESR(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
- 第13回イオンビームによる材料改質国際会議(IBMM2002)報告
- Fabrication of Planar-Type Ferromagnet/Nonmagnet/Ferromagnet Structures Using Multiangle Deposition
- Study of Magnetostatic Interaction in Magnetic Multilayer Wires Using Exchange Anisotropy
- Effects of Stray Fields in Flat-End and Pointed-End NiFe/Cu/NiFe/NiO Wires : Magnetism
- サブミクロン強磁性細線におけるホール抵抗の制御
- Effects of Shape Anisotropy in CoO/Co/Cu/NiFe/Cu/Co Wires
- Galvanomagnetic Effect of Submicron Exchange-Coupled Co/Ni Wire
- 24pPSB-37 局所的に交換結合した磁性多層膜の電流磁気効果
- サブミクロン強磁性細線におけるホール抵抗の制御
- メゾスコピックスケール十字型磁性細線における電流磁気効果
- 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
- 24pPSB-42 強磁性/非磁性/強磁性体における電流磁気効果
- 26pPSA-31 Co/Ni磁性細線の電流磁気効果
- 1a-E-3 PtSi薄膜及び細線の電気伝導
- 29a-A-2 半導体及び金属極微細線の電気伝導
- サブミクロン強磁性細線におけるホール抵抗の制御
- メゾスコピックスケール十字型磁性細線における電流磁気効果
- メゾスコピックスケール十字型磁性細線の電流磁気効果
- 27aPS-34 NiO/NiFe/Cu/NiFe細線の電流磁気効果
- 31a-Q-12 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収II
- 5a-J-8 アンチドット構造における不規則性の効果
- 5a-J-8 アンチドット構造における不規則性の効果
- 27p-P-1 GaAs/AlGaAs細線での量子伝導とエッジ電流
- 29p-ZK-12 GaAs/AlGaAsマクロ細線での非局所的量子伝導におけるエッジ電流と端子抵抗
- 29p-ZK-10 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導のゲート制御
- 26a-ZB-9 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導
- 非局所的配置におけるGaAs/AlGaAs量子細線のシュブニコフ・ド・ハース効果
- 30p-TB-8 GaAs/AlGaAs量子細線におけるバリスティック伝導電子の非局所的シュビニコフ・ド・ハース効果
- GaAs-AlGaAs電子導波路における伝達抵抗II
- エッジ型ウォームキャア素子の94GHz帯検波特性
- 3p-ZE-8 PbTe, Bi細線の磁気抵抗効果
- 薄膜スロットアンテナによる118μmCH_3OHレーザー光検出特性
- 30p-TB-7 GaAS-AlGaAS電子導波路における伝達抵抗
- 11a-T-1 GaAs中のイオン注入不純物(Te およびSb)の格子位置