升田 公三 | 阪大工
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概要
関連著者
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升田 公三
阪大工
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升田 公三
筑波大
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升田 公三
阪大基礎工
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難波 進
阪大基礎工
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大阪大学基礎工学部
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升田 公三
阪大基工
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山口 次郎
阪大基礎工
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難波 進
阪大基工
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蒲生 健次
阪大基礎工
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難波 進
大阪大学基礎工学部
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村上 浩一
筑波大学物質工学系
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赤坂 洋一
阪大院基礎工
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青柳 克信
理研フロンティア
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赤坂 洋一
三菱中研
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川辺 光央
阪大基礎工
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川辺 光央
阪大基工
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青柳 克信
阪大基工
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村上 浩一
阪大基礎工
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赤坂 洋一
阪大基礎工
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吹田 徳雄
阪大工
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鵜久森 正毅
阪大基礎工
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川辺 光央
阪大工
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蒲生 健次
阪大工
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鵜久森 正毅
山口大工短
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青柳 克信
阪大基礎工
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玉野 和保
阪大基工
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西島 光昭
阪大工
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西島 光昭
京大・理
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真鍋 大輔
阪大・基工
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赤坂 洋一
阪大基工
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山口 次郎
阪大工
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阪大 基礎工
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升田 公三
阪大 基礎工
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難波 進
阪大 基礎工
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大場 信弥
大阪大学 基礎工学部
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山口 次郎
阪大基工
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升田 公三
阪大 基工
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阪大工
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升田 公三
筑波大物質工
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九大工
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高田 幹夫
阪大 基礎工
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武藤 二郎
京大理
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上原 進一
京大原子炉
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上原 進一
京大炉
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川瀬 洋一
京大原子炉
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福沢 文雄
京大工
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岡野 事行
京大原子炉
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福沢 文雄
京大(工)
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辻 勝彦
九大工
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武藤 二郎
京大 理
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林 竹男
京大原子炉
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松居 弘
姫路工大
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柴田 俊一
近畿大学
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三栖 直弘
阪大基工
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難波 進
理研
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今西 信嗣
京大(工)
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岸本 直樹
東大物性研
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松居 弘
姫路工業大学工学部一般第二教室物理学研究室
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宮本 博
大阪大学 基礎工学部
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藤原 一郎
京大原子研
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岩田 志郎
京大原子炉
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法沢 恵造
京大工
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藤原 一郎
京大原エ研
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今西 信嗣
京大原エ研
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奥村 彰二
高エ研
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広村 和之
姫路工大
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岡村 日出夫
阪大理
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村上 浩一
理研
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弓場 愛彦
阪大院基礎工:極限科学研究センター
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阪大工
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有留 宏明
大阪大学極限物質研究センター
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阪大 基礎工
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阪大基礎工
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村上 浩一
大阪大学 基礎工学部
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蒲生 健次
大阪大学 基礎工学部
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升田 公三
大阪大学 基礎工学部
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難波 進
大阪大学 基礎工学部
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大場 信弥
阪大基礎工
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蒲生 健次
阪大基工
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多田 副政
阪大基礎工
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廣村 和之
姫路工業大学工学部一般第二教室物理学研究室
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今田 彬
阪大 基礎工
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岩木 正哉
阪大 基礎工
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蒲生 健次
阪大・基工
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升田 公三
阪大・基工
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難波 進
阪大・基工
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真鍋 大輔
阪大 基工
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蒲生 健次
阪大 基工
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難波 進
阪大 基工
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土居 功年
阪大基工
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河津 哲
三菱電機北伊丹
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青柳 克行
阪大基礎工
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田中 敏男
阪大基礎工
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増山 昭夫
阪大基礎工
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有留 宏明
阪大基礎工
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高井 幹夫
阪大基礎工
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青柳 克信
阪大ソ工
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升田 公三
阪大ソ工
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難波 進
阪大ソ工
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河津 哲
阪大工
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福光 良雄
阪大工
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川辺 光央
阪大 基工
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難破 進
阪大 基工
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升田 公三
基工
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山口 次郎
基工
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弓場 愛彦
阪大基礎工
著作論文
- 5p-Q-10 強光励起GaSeの光吸収
- 12p-T-11 強く励起されたGaSeの発光 II
- 12a-F-8 イオン注入Si:P系のESR
- 25p-K-5 窒素ガスレーザ励起によるアントラセンの蛍光
- 3p-L-15 強く励起されたGaSeの発光
- 10p-S-3 アントラセン結晶中でのエネルギー移動
- 5p-M-4 アントラセンの蛍光寿命
- 3p-K-9 電子線によって強く励起されたGaSeの発光
- 9p-C-3 アントラセン中のテトラセンの蛍光の飽和
- 9a-C-11 ナフタレンおよびアントラセン結晶の放射線効果
- 9a-C-7 アンスラセンーテトラセン混晶の発光
- 3p-K-5 放射線照射したアンスラセン単結晶の光吸収とESR
- 14a-M-2 フタロシアニン類の常磁性共鳴
- 4a-K-7 銅フタロシアニン混晶の磁気共鳴
- 1a-TE-1 水素原子付加によるハイドロナフチルラジカルESR及び光吸収
- 15a-C-10 芳香族有機半導体の放射線効果 II
- 芳香族有機半導体の放射線効果 : 分子結晶・有機半導体
- ナフタレン単結晶の低温照射 : 分子結晶・有機半導体
- 銅フタロシアニンの混晶の電気伝導 II : 分子結晶・有機半導体
- 1a-L-1 銅フタロシアニン混晶の電気伝導
- 28a-A-7 ヘリックス型モデル加速器による陽子加速
- 10p-R-9 イオン注入Si:P系に於けるESR時の電気抵抗変化
- 6a-KL-14 イオン(P^+,S6^+)注入SiのESR
- 4a-M-8 イオン(P^+)注入したSiのESR
- 3a-N-8 イオン注入Siの常磁性格子欠陥
- 30a-U-5 イオン注入 Si の格子欠陥(ESR)
- 7a-B-4 Siへのイオン打ち込み
- 3a-N-1 イオン注入した半導体のESR
- 14a-M-1 銅フタロシアニンの光伝導 IV
- 4a-K-6 銅フタロシアニンの光伝導III
- DPPH単結晶のconductivityとESR : 半導体(化合物・有機)
- ベンゼン溶液中のDPPHのConductionのESRによる考察 : 半導体(化合物・有機)
- 有機半導体(DPPH等)のconductivityとESR(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
- 3a-G-10 Siにイオン注入されたGa,InのAtom Location の深さ分布
- 1a-TE-3 フタロシアニンの光伝導
- 銅フタロシアニンの光電導 : 分子結晶・有機半導体
- Siへのイオン注入 : 荷電ビームと応用
- 1a-L-5 ペリレン・ヨウ素,ビレン・ヨウ素の電気伝導
- 1a-L-2 フタロシアニンの磁気共鳴
- 13p-M-6 有機半導体へのホットエレクトロンの注入
- 13p-M-5 ピレン・ヨウ素間錯化合物の高周波電気伝導
- 4a-K-4 ピレン,ヨウ素化合物を中心とした電荷移動型錯化合物の電気伝導機構
- 3p-K-4 アンスラセン・テトラセン混晶の蛍光の飽和
- 3p-K-3 アンスラセン-テトラセン混晶の2光子吸収 II
- 1a-TE-8 アンスラセンーテトラセン混晶の2光子吸収
- イオン・インプランティション(II) : 荷電ビームと応用シンポジウム : 荷電ビームのICへの応用
- 電子線励起によるGaAsレーザー : 荷電ビームと応用
- 電子ビーム励起によるCdSレーザー : 荷電ビームと応用
- ペリレン・ヨウ素錯化合物の電気伝導 : 分子結晶・有機半導体
- 有機半導体中のエネルギーおよび電荷移動に関するセミナー
- 第3回イオン注入国際会議
- 11a-T-1 GaAs中のイオン注入不純物(Te およびSb)の格子位置
- 4a-M-5 フタロシアニンのレーザー励起光電導
- 30p-E-3 フタロシアニンの光伝導と電気伝導
- 11a-A-4 ESRによるhigh doped Si及びGeのmobility
- 3E14 固体のマイクロ波放電 VII
- 8p-C-19 フタロシアニンの光電導と電気伝導
- 3p-K-9 フタロシアニンの電気伝導
- 1a-TE-4 フタロシアニンの電気伝導とESR
- 15a-C-6 フタロシアニンの電気伝導
- フタロシアニンの電気伝導と光伝導 : 分子結晶・有機半導体
- フタロシアニンの電気伝導 : 分子結晶・有機半導体
- DPPH・ヨウ素の分子間化合物,電気的,磁気的性質 : 分子結晶・有機半導体
- 18K-11 高分子材料の放射線損傷
- 12a-C-9 E.S.R.によるテフロンの放射線効果
- E.S.R.による固体の放射線効果に及ぼすポリスチロールの影響 : VII-VIII. 放射線物理,放射線物理シンポジウム : 放射線物理
- テトラセンを不純物としたアンスラセンのカソードルミネッセンス : 分子結晶・有機半導体
- Si中の不純物のE.S.R. : 半導体
- 化合物半導体へのイオン注入 : 荷電ビームと応用