河津 哲 | 三菱電機北伊丹

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概要

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著作論文

• MNOS構造の特性 : 半導体 (表面)
• 18p-A-6 MOS Trの表面移動度
• MOS TrのChannel特性 : 半導体 (表面)
• 11a-A-4 ESRによるhigh doped Si及びGeのmobility

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