山口 次郎 | 阪大工
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概要
関連著者
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山口 次郎
阪大工
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山口 次郎
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浜川 圭弘
立命館大学大学院
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宮内 武
大阪府大工短
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大阪大学基礎工学部
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徳大工
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升田 公三
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西野 種夫
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三浦 敬男
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鎌田 隆好
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金沢 忠雄
阪大工
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鈴木 喜彦
徳島大学工学部
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行本 善則
徳大工
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鈴木 喜彦
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多田 修
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佐々見 輝歳
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三浦 功次
阪大基礎工
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小林 貞男
阪大工
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中川 健治
阪大工
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松原 信吉
阪大工
著作論文
- 水中におかれたSeの振舞 : 半導体
- 19F-11 Geの表面電子状態について
- 14a-A-5 Ge Grain Boundary Sheetの高電界特性
- 20F-3 CdSe蒸着膜を有するSe整流器の整流機構
- 10A6 CdSe蒸着膜を有するSe整流器の静電容量特性
- 17G-10 CdSe蒸着膜を有するSe整流器
- Siの表面状態 II : 半導体
- 3p-L-8 Gep-n接合の表面漏れ電流の時間効果 II
- 11a-M-8 Ge p-n接合の表面漏れ電流の時間効果
- 11a-A-4 ESRによるhigh doped Si及びGeのmobility
- 4p-L-9 Siの表面状態
- 赤外吸収による注入担体の観察 : 半導体
- タンタル酸化膜を通しての電気伝導特性(II) : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
- 9p-M-3 Siの表面再結合速度と電場効果による表面伝導度の変化
- 磁界によるGeの障壁層効果 : 半導体
- 7p-L-13 SiO_2膜のB_20_3拡散に対するMask作用II
- Si表面上のSiO_2膜のB_2O_3拡散に対するMask作用 : 半導体
- Si中の不純物のE.S.R. : 半導体
- 4p-A-7 低温におけるGe BicrystalのSheet伝導と電流磁場効果(II)
- 7p-L-3 低温におけるGeの転位面伝導
- 14a-A-12 Wet 水素雰囲気中でのSiよりの硼素除去
- 20L-22 Geのslow state
- 19F-13 ゲルマニウムの表面状態の考察
- Ge Bicrystal の Sheet : 半導体
- 20L-13 Ge p-n接合のTurn over
- 11E-22 CdSeに就いて(半導体)
- 30.I.7 酸化亜鉛整流器(半導体)
- 30.I.6 単結晶酸化銅整流器の逆方向特性(半導体)
- 30.I.3 有機薄膜を堰層とするセレン整流器の靜電容量特性(半導体)
- 30.I.4 有機薄膜を堰層とするセレン整流器靜特性(半導体)
- 30.I.5 単結晶酸化銅整流器の正方向特性(半導体)