MOS TrのChannel特性 : 半導体 (表面)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1969-03-30

著者

• 河津 哲

  三菱電機北伊丹

• 安岡 晶彦

  三菱電機北伊丹

関連論文

• MNOS構造の特性 : 半導体 (表面)
• 18p-A-6 MOS Trの表面移動度
• MOS TrのChannel特性 : 半導体 (表面)
• 11a-A-4 ESRによるhigh doped Si及びGeのmobility
• SEMによるSi接合の観察 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)

スポンサーリンク