4a-M-8 イオン(P^+)注入したSiのESR

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1973-04-03

著者

• 村上 浩一

  筑波大学物質工学系

• 村上 浩一

  阪大 基礎工

• 蒲生 健次

  阪大 基礎工

• 升田 公三

  阪大 基礎工

• 難波 進

  阪大 基礎工

• 升田 公三

  阪大工

• 升田 公三

  筑波大

関連論文

• 短時間レ-ザ照射によるイオン注入GaAs層の結晶性回復:注入量及びド-ズレ-ト依存性
• 5p-Q-10 強光励起GaSeの光吸収
• 12p-T-11 強く励起されたGaSeの発光 II
• 12a-F-8 イオン注入Si:P系のESR
• 25p-K-5 窒素ガスレーザ励起によるアントラセンの蛍光
• 3p-L-15 強く励起されたGaSeの発光
• 10p-S-3 アントラセン結晶中でのエネルギー移動
• 5p-M-4 アントラセンの蛍光寿命
• 3p-K-9 電子線によって強く励起されたGaSeの発光
• 9p-C-3 アントラセン中のテトラセンの蛍光の飽和
• 9a-C-11 ナフタレンおよびアントラセン結晶の放射線効果
• 9a-C-7 アンスラセンーテトラセン混晶の発光
• 3p-K-5 放射線照射したアンスラセン単結晶の光吸収とESR
• レーザー光と固体との相互作用
• レーザー光を利用した物質科学
• 2. アブレーションプラズマを用いた材料開発 (アブレーションプラズマのプロセス応用)
• シリコンナノ微粒子の生成の動的機構と可視発光
• 30p-F-10 時間分解X線吸収分光法によるレーザーアブレーションSi粒子の空間分布測定
• 14a-M-2 フタロシアニン類の常磁性共鳴
• 4a-K-7 銅フタロシアニン混晶の磁気共鳴
• 1a-TE-1 水素原子付加によるハイドロナフチルラジカルESR及び光吸収
• 15a-C-10 芳香族有機半導体の放射線効果 II
• 芳香族有機半導体の放射線効果 : 分子結晶・有機半導体
• ナフタレン単結晶の低温照射 : 分子結晶・有機半導体
• 銅フタロシアニンの混晶の電気伝導 II : 分子結晶・有機半導体
• 1a-L-1 銅フタロシアニン混晶の電気伝導
• 水素原子処理シリコン結晶中の水素分子
• 28a-A-7 ヘリックス型モデル加速器による陽子加速
• 10p-R-9 イオン注入Si:P系に於けるESR時の電気抵抗変化
• アモルファスGaAsのレ-ザ-固相エピタキシャル成長
• 31a GE-10 パルス・レーザ照射による非晶質 : 結晶遷移の動的挙動
• 6a-KL-14 イオン(P^+,S6^+)注入SiのESR
• 4a-M-8 イオン(P^+)注入したSiのESR
• 3a-N-8 イオン注入Siの常磁性格子欠陥
• 30a-U-5 イオン注入 Si の格子欠陥(ESR)
• 7a-B-4 Siへのイオン打ち込み
• 3a-N-1 イオン注入した半導体のESR
• レーザープラズマ軟X線吸収分光を用いたアブレーション粒子の時間分解測定
• レーザーアブレーションの動的機構とナノクラスター生成
• 14a-M-1 銅フタロシアニンの光伝導 IV
• 4a-K-6 銅フタロシアニンの光伝導III
• DPPH単結晶のconductivityとESR : 半導体(化合物・有機)
• ベンゼン溶液中のDPPHのConductionのESRによる考察 : 半導体(化合物・有機)
• 有機半導体(DPPH等)のconductivityとESR(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
• 3a-G-10 Siにイオン注入されたGa,InのAtom Location の深さ分布
• 1a-TE-3 フタロシアニンの光伝導
• 銅フタロシアニンの光電導 : 分子結晶・有機半導体
• 「レーザーアブレーションによる機能性ナノ微粒子の創製」解説小特集号によせて
• レーザーアブレションによるSiナノ微粒子形成の物理機構
• 可視発光シリコンナノ微粒子 -レーザーアブレーション-
• レーザーアブレーション法による可視発光シリコン超微粒子の作成
• 半導体中不純物の準安定性/双安定性
• 半導体のパルス・レーザー・アニール機構(VI. 半導体の格子緩和,強結合電子・格子系の動的物性,科研費研究会報告)
• Siへのイオン注入 : 荷電ビームと応用
• 1a-L-5 ペリレン・ヨウ素,ビレン・ヨウ素の電気伝導
• 1a-L-2 フタロシアニンの磁気共鳴
• 13p-M-6 有機半導体へのホットエレクトロンの注入
• 13p-M-5 ピレン・ヨウ素間錯化合物の高周波電気伝導
• 4a-K-4 ピレン,ヨウ素化合物を中心とした電荷移動型錯化合物の電気伝導機構
• 3p-K-4 アンスラセン・テトラセン混晶の蛍光の飽和
• 3p-K-3 アンスラセン-テトラセン混晶の2光子吸収 II
• 1a-TE-8 アンスラセンーテトラセン混晶の2光子吸収
• イオン・インプランティション(II) : 荷電ビームと応用シンポジウム : 荷電ビームのICへの応用
• 電子線励起によるGaAsレーザー : 荷電ビームと応用
• 電子ビーム励起によるCdSレーザー : 荷電ビームと応用
• ペリレン・ヨウ素錯化合物の電気伝導 : 分子結晶・有機半導体
• 有機半導体中のエネルギーおよび電荷移動に関するセミナー
• 第3回イオン注入国際会議
• 11a-T-1 GaAs中のイオン注入不純物(Te およびSb)の格子位置
• 4a-M-5 フタロシアニンのレーザー励起光電導
• 30p-E-3 フタロシアニンの光伝導と電気伝導
• 11a-A-4 ESRによるhigh doped Si及びGeのmobility
• 3E14 固体のマイクロ波放電 VII
• 8p-C-19 フタロシアニンの光電導と電気伝導
• 3p-K-9 フタロシアニンの電気伝導
• 1a-TE-4 フタロシアニンの電気伝導とESR
• 15a-C-6 フタロシアニンの電気伝導
• フタロシアニンの電気伝導と光伝導 : 分子結晶・有機半導体
• フタロシアニンの電気伝導 : 分子結晶・有機半導体
• DPPH・ヨウ素の分子間化合物,電気的,磁気的性質 : 分子結晶・有機半導体
• 18K-11 高分子材料の放射線損傷
• 12a-C-9 E.S.R.によるテフロンの放射線効果
• E.S.R.による固体の放射線効果に及ぼすポリスチロールの影響 : VII-VIII. 放射線物理,放射線物理シンポジウム : 放射線物理
• テトラセンを不純物としたアンスラセンのカソードルミネッセンス : 分子結晶・有機半導体
• Si中の不純物のE.S.R. : 半導体
• 化合物半導体へのイオン注入 : 荷電ビームと応用

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク