短時間レ-ザ照射によるイオン注入GaAs層の結晶性回復:注入量及びド-ズレ-ト依存性
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概要
著者
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村上 浩一
筑波大学 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻
-
村上 浩一
筑波大学物質工学系
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関根 幸平
イオン工学研究所
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関根 幸平
(株)イオン工学研究所
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関根 幸平
(株)イオン工学センター
-
南 海玉
筑波大学大学院工学研究科
-
升田 公三
筑波大学物質工学系
-
村上 浩一
筑波大学物理工学系、特プロ"ナノサイエンス"
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