水素イオン注入によるSi及びSiC薄膜のデラミネーション
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概要
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- 1997-06-05
著者
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関根 幸平
イオン工学研究所
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関根 幸平
(株)イオン工学研究所
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原 徹
法政大学
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柿崎 恵男
法政大学
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大島 創太郎
法政大学
-
梶山 健二
イオン工学研究所
-
米田 智晃
イオン工学研究所
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井上 森雄
イオン工学研究所
-
KITAMURA Taira
Electrical Engineering, Hosei University
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関根 幸平
イオン工学研
-
梶山 健二
(株)イオン工学研究所
-
Kitamura Taira
Electrical Engineering Hosei University
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原 徹
法政大学工学部
-
米田 知晃
(株)イオン工学研究所
-
井上 森雄
(株)イオン工学研究所
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