Al-Si-Cu半導体超LSI電極スパッタリング膜の〈111〉結晶軸配向性

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概要

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MOS LSIの配線に広く用いられるAl-1.0%Si-0.5%Cu膜のエレクトロマイグレーション特性を改善するには、粒径の制御とともに(111)に配向した膜の堆積が必要とされている。この膜の通常のX線回折測定では、Al(111)のスペクトルのみが検出され良好な膜と考えれて来た。本報告では新たにイメージプレーティング法薄膜X線回折測定によりこのAl配向面の精密な測定を行った。この測定からX線入射角度が13゜でイメージプレーティングのAl(111)のラウエスポットの強度が最大となり、Al(111)面が特定の方向ではなく任意の方向に16゜傾斜していることがこの測定から明らかになった。この配向の傾きの原因は膜の堆積の初期に粒径が膜の1, 10の(0.12μm)のCuリッチ層が核生成するためと結論できた。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-05-19

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