銅めっき膜配線層の低比抵抗化--めっき液の純度と添加剤の効果
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Al-Si-Cu半導体超LSI電極スパッタリング膜の〈111〉結晶軸配向性
- CMP後の汚染Cuの洗浄に関する検討
- 高エネルギーイオン注入および高ドーズ水素イオン注入の応用
- パターン平坦化研磨プロセスの評価技術(機械的プラナリゼーション技術)
- 1/4ミクロンプロセスに用いるオーミック電極と配線技術
- Al-Si-Cu配線膜の(111)面からの傾きとこれに影響を与えるCu高濃度層
- DC プラズマドーピング法 : 高キャリア濃度p^+ 層の形成
- Stress in Al-Sc Interconnection Layers
- Silicidation Reaction and Stress in Ti/Si
- Formation of Titanium Nitride/Titanium Silicide by High Pressure Nitridation in Titanium/Silicon
- Properties of Titanium Nitride Films for Barrier Metal in Aluminum Ohmic Contact Systems
- ヘリコン波型プラズマエッチングによりSi表面に導入されるダメージの評価
- RBS法によるSrTiO3高誘電体膜の組成測定
- MOSFET特性の自動測定
- 銅めっき膜配線層の低比抵抗化--めっき液の純度と添加剤の効果
- 銅めっき配線層のCMP (特集 半導体プロセス技術のイノベーション) -- (CMP関連技術の最新トピックスを追う)
- 浅い接合形成 (ハ-フミクロン以降の超LSIプロセス材料とその関連プロセス)