Al-Si-Cu配線膜の(111)面からの傾きとこれに影響を与えるCu高濃度層
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概要
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グランシングアングル薄膜X線回折イメージプレート法を用いLSIの配線に広く用いられているAl-Si-Cu配線膜の配向を測定した.この結果,従来のX線回折で得られた結果と異なり,この膜のAl(111)面はランダム方向に0°から16°に傾斜していることがわかった.この膜のたい積で核生成した厚さ50nmの膜は0.12μmの微細粒径を有したCuリッチAl層で,(111)に正しく配向しているが,膜の成長につれその粒径は大きくなり,厚さ400nm以上では1.10μmとなる.この粒径成長につれ正しく配向していたAl(111)面はランダム方向に傾きが生じることが明らかになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-25
著者
-
原 徹
法政大 工
-
奥田 智久
法政大学工学部
-
品田 清隆
法政大学工学部
-
原 徹
法政大学工学部
-
木野 幸浩
理学電機X線研究所
-
Hara T
Kanagawa Univ. Yokohama Jpn
-
木野 幸浩
理学電機x線研
-
木野 幸治
理学電機x線研究所
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