1/4ミクロンプロセスに用いるオーミック電極と配線技術

概要

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MOSLSIの微細化は集積密度、歩留りの向上、同一ウエーファからのチップ収量の増加、チップコストの低減を計れるばかりでなく、デバイス特性の改善、消費電力の低減が可能なことはよく知られている。しかしこのデバイスの微細化に伴い益々困難なプロセス技術がデバイス加工に課せられることとなり、プロセス技術の開発の重要性は年々増加している。特にこの微細化により、ソース、ドレイン電極のコンタクト抵抗はコンタクト寸法の二乗に逆比例し増加するとされているが、実際にデバイスでは三次元的に浅い接合が採用されるため、このキャリア濃度総数の減少が生じ、これ以上に高いコンタクト抵抗となる。このため1/2ミクロン以上のデバイスでは他の電極に比べ低いコンタクト抵抗を実現できるTiSi2層がオーミック電極として普遍的に用いられるようになった。このオーミック電極ではエッチングおよびイオン注入によりダメージを受けたSi表面層は、Tiとのシリサイド化反応によりTisi2膜を形成することにより消費され、ダメージの存在しない界面にTiSi2/Siオーミックコンタクトを形成でき、コンタクト抵抗の低減をはかれるためである。しかしダメージを強く受けたこのコンタクト底部にこのダメージ除去することなく、コンタクト抵抗の高いW膜を直接堆積し1/4ミクロン以下のオーミック電極に用いる試み選択W成長オーミック電極が、数多くの日本のプロセス技術者によって広く行われてきたことは特記すべきことである。本報告では1/4ミクロンプロセスに用いるオーミック電極と配線技術の問題点をデバイス特性の改善、トータルプロセスとして見ることにする。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-05

1/4ミクロンプロセスに用いるオーミック電極と配線技術

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