Hara T | Kanagawa Univ. Yokohama Jpn

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概要

• 同名の論文著者
• Kanagawa Univ. Yokohama Jpnの論文著者

関連著者

• 原 徹

  法政大 工

• Hara T

  Kanagawa Univ. Yokohama Jpn

• 原 徹

  法政大学工学部

• HARA Tohru

  Electrical Engineering, Hosei University

• 品田 清隆

  法政大学工学部

• Hara Tohru

  Electrical Engineering Hosei University

• INOUE Ken

  Electrical Engineering, Hosei University

• Inoue K

  Biological Institute And Herbarium Faculty Of Science Shinshu University

• 奥田 智久

  法政大学工学部

• 木野 幸浩

  理学電機X線研究所

• Chen Shih-chang

  Vlsi R&d Center Oki Electric Industry Co. Ltd.

• 木野 幸浩

  理学電機x線研

• ENDO Nobuyuki

  National Agricultural Research Center for Kyushu Okinawa Region (KONARC)

• TAMURA Hiroyuki

  VLSI R&D Center, Oki Electric Industry Co. Ltd.

• KINOSHITA Kei

  Electrical Engineering, Hosei University

• ENDO Nobuyuki

  Electrical Engineering, Hosei University

• NAKAMURA Shigeaki

  M. SETEK Co., Lid.

• Chen S‐c

  Advanced Module Technology Division Taiwan Semiconductor Manufacturing Company

• Kinoshita K

  Assoc. Super‐advanced Electronics Technol. Yokohama Jpn

• 木野 幸治

  理学電機x線研究所

• 袋 裕善

  日産化学工業株式会社・中央研究所

• 堀 俊彦

  理学電機x線研究所

• 佐藤 貴久

  理学電機X線研究所

• 長野 昌三

  三菱化成総合研究所

• 上田 忠雄

  三菱化成総合研究所

• 小林 一郎

  日産化学工業

• 石井 和久

  日産化学工業

• 宮澤 知江

  日産化学工業

• STEVENS Russell

  ATMI

• 原 徹

  法政大工

• 品田 清隆

  法政大工

• NAKAMURA Shigeaki

  M.SETEK Co. Ltd.

• YAMANOUE Akira

  Electrical Engineering, Hosei University Koganei

• IIO Hiroki

  Electrical Engineering, Hosei University Koganei

• WASHIDZU Gen

  Electrical Engineering, Hosei University Koganei

• Iio Hiroki

  Electrical Engineering Hosei University Koganei

• Washidzu Gen

  Electrical Engineering Hosei University

• Washidzu Gen

  Electrical Engineering Hosei University Koganei

• Nakamura S

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Yamaguchi University

• Yamanoue Akira

  Electrical Engineering Hosei University Koganei

• 袋 裕善

  日産化学工業(株)電子材料研究所

• 袋 裕善

  日産化学工業 (株) 中央研究所

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著作論文

• Al-Si-Cu半導体超LSI電極スパッタリング膜の〈111〉結晶軸配向性
• CMP後の汚染Cuの洗浄に関する検討
• 高エネルギーイオン注入および高ドーズ水素イオン注入の応用
• パターン平坦化研磨プロセスの評価技術(機械的プラナリゼーション技術)
• 1/4ミクロンプロセスに用いるオーミック電極と配線技術
• Al-Si-Cu配線膜の(111)面からの傾きとこれに影響を与えるCu高濃度層
• DC プラズマドーピング法 : 高キャリア濃度p^+ 層の形成
• Silicidation Reaction and Stress in Ti/Si
• Formation of Titanium Nitride/Titanium Silicide by High Pressure Nitridation in Titanium/Silicon
• Properties of Titanium Nitride Films for Barrier Metal in Aluminum Ohmic Contact Systems
• ヘリコン波型プラズマエッチングによりSi表面に導入されるダメージの評価
• RBS法によるSrTiO3高誘電体膜の組成測定
• MOSFET特性の自動測定
• 銅めっき膜配線層の低比抵抗化--めっき液の純度と添加剤の効果
• 銅めっき配線層のCMP (特集 半導体プロセス技術のイノベーション) -- (CMP関連技術の最新トピックスを追う)
• 浅い接合形成 (ハ-フミクロン以降の超LSIプロセス材料とその関連プロセス)

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