注入水素を用いた脆化によるシリコン単結晶の薄膜形成
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
イオン注入した水素による脆化を用いると,サブミクロン厚さのSi単結晶薄膜が得られる.破断の発生のための水素注入量・熱処理温度には閾値がある. 注入・熱処理条件を変え,Si結晶の破断過程を透過断面電子顕微鏡(XTEM).2次イオン質量分析装置(SIMS)で調べた.注入直後は,多量の水素のため結晶方位が部分的にズレた領域に分かれた.熱処理後は,水素が析出し,注入損傷のピーク深さRp付近で結晶が破断した.本実験のアニール温度では,その破断面周辺に面欠陥が生じ,部分的に非晶質領域が残った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-06
著者
-
梶山 健二
イオン工学研究所
-
井上 森雄
イオン工学研究所
-
梶山 健二
(株)イオン工学研究所
-
米田 知晃
イオン工学研
-
米田 知晃
(株)イオン工学研究所
-
井上 森雄
(株)イオン工学研究所
-
原 徹
法政大学電気工学科
関連論文
- 水素イオン注入によるSi及びSiC薄膜のデラミネーション
- 322 廃棄半導体シリコンの窒化物セラミックスへのリサイクル
- 5a-YC-4 単結晶Si中を軸及び面チャネリングするMeVHeイオンに対する阻止能
- イオン工学技術による新材料開発
- イオン照射による6H-SiC(0001)Siの増速熱酸化膜(関西支部研究例会の講演要旨(平成9年度第2回))
- 注入水素を用いた脆化によるシリコン単結晶の薄膜形成
- 光造形法による高分子/セラミック系フォトニック結晶の試作
- 225 光造形法による高誘電率セラミック/エポキシ系フォトニック結晶の三次元造形
- 1p-T-7 デバイス応用 : 半導体結晶の所定位置への水素の配置
- イオン注入水素による脆化を用いた単結晶シリコン薄膜の形成
- 期待される SiC 半導体