梶山 健二 | (株)イオン工学研究所
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概要
関連著者
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梶山 健二
(株)イオン工学研究所
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梶山 健二
イオン工学研究所
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(株)イオン工学研究所
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(株)イオン工学研究所
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大阪大学接合科学研究所
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関根 幸平
(株)イオン工学研究所
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大阪大学接合科学研究所
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柿崎 恵男
法政大学
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法政大学
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同志社大学工学部機能分子工学科
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同志社大学院
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Electrical Engineering Hosei University
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法政大学電気工学科
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廣田 健
同志社大学理工学部機能分子生命化学科
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山口 修
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廣田 健
同志社大学
著作論文
- 水素イオン注入によるSi及びSiC薄膜のデラミネーション
- 322 廃棄半導体シリコンの窒化物セラミックスへのリサイクル
- 5a-YC-4 単結晶Si中を軸及び面チャネリングするMeVHeイオンに対する阻止能
- イオン照射による6H-SiC(0001)Siの増速熱酸化膜(関西支部研究例会の講演要旨(平成9年度第2回))
- 注入水素を用いた脆化によるシリコン単結晶の薄膜形成
- 光造形法による高分子/セラミック系フォトニック結晶の試作
- 225 光造形法による高誘電率セラミック/エポキシ系フォトニック結晶の三次元造形
- 1p-T-7 デバイス応用 : 半導体結晶の所定位置への水素の配置
- イオン注入水素による脆化を用いた単結晶シリコン薄膜の形成