城戸 義明 | 立命館大理工

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概要

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関連著者

• 城戸 義明

  立命館大理工

• 城戸 義明

  立命館大 理工

• 西村 智朗

  立命館大理工

• 星野 靖

  立命館大理工:神奈川大理

• 城戸 義明

  立命館大学理工学部物理科学科

• 岡沢 哲晃

  立命館大学理工学部物理

• 岡沢 哲晃

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• 池田 敦

  立命館大学

• 池田 敦

  立命館大理工

• 光原 圭

  立命館大理工

• 安江 常夫

  大阪電通大

• 越川 孝範

  大阪電通大

• Visikovskiy Anton

  立命館大理工

• 星野 靖

  京大工

• 奥村 英樹

  立命館大理工

• 西村 智朗

  立命館大学国際関係学部

• 橘堂 恭昌

  立命館大理工

• 西村 智朗

  立命館大学

• 山本 安一

  立命館大

• 難波 秀利

  立命館大理工

• 岡沢 哲晃

  産総研関西

• 竹内 史典

  立命大学理工

• 福山 亮

  立命館大理工

• 竹内 史典

  立命館大理工

• 松原 佑典

  立命館大理工

• 松木 征史

  立命館大・総理工

• 山本 安一

  立命館大理工

• 石田 考朗

  立命館大理工

• 石田 考朗

  立命館大学理工学部物理学科

• 松本 紳吾

  立命館大理工

• 香山 正憲

  産総研関西

• 松木 征史

  立命館大総合理工

• 高幣 謙一郎

  Ntt基礎研究所

• 中田 穣治

  NTT LSI研

• 中田 穣治

  Ntt Lsi研究所

• Visikovskiy Anton

  立命館大学理工

• 松田 太志

  立命館大・理工

• 西岡 孝

  Ntt基礎研

• 住友 弘二

  NTT基礎研

• 秋田 知樹

  産総研関西

• 山口 浩司

  三菱重工業(株)

• 小北 哲也

  コベルコ科研

• 城戸 義明

  立命大理工

• 岩本 章信

  立命館大理工

• 濱田 遼介

  立命館大理工

• 尾形 篤

  大阪電気通信大学工学部応用電子工学科 エレクトロニクス基礎研究所

• 尾形 篤

  大阪電通大

• 仙波 昌平

  立命館大理工

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• 中田 俊隆

  立命館大理工

• 永山 進

  (財)材料科学技術振興財団

• 永山 進

  材料科学財団

• 工藤 正博

  材料科学財団

• Park C.

  全北大

• 山本 克治

  京大工

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  法大工

• 小川 浩二

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• 星野 靖

  神奈川大学情報

• 星野 靖

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• 佐藤 拓也

  立命館大学理工学部物理

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  立命館大理工

• 濱田 遼介

  立命館大学理工学部物理

• 松木 征史

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• 西村 智朗

  法政大イオンセ

• Kaczanowski Jan

  Warsaw Univ.

• 宮内 成典

  立命館大理工

• 藤原 真秀

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• 中川 佳則

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• 光原 圭

  立命館大学理工

• 山口 浩司

  NTT 基礎研

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  NTT 基礎研

• 奥村 英樹

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• 竹田 純子

  立命館大学・理工・物理

• 松田 太志

  立命館大理工

• 田上 正崇

  立命館大理工

• 今井 憲一

  京大理

• 香山 正憲

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 戸崎 充男

  京大RIセンター

• 柳下 明

  高エ研

• 新井 敏一

  京大低温セ

• 福田 昭

  兵庫医大

• 澤田 安樹

  京大低温セ

• 山口 浩司

  NTT基礎物性研

• 木村 恒久

  都立大院工

• 木村 恒久

  都立大院・工

• 大沢 大輔

  放医研

• 岩見 基弘

  岡山大理

• 中村 初夫

  大阪電通大

• 上塚 洋

  (財)神奈川科学技術アカデミー

• 国森 公夫

  筑波大学物質工学系

• 岩見 基弘

  岡大物理

• 岩見 基弘

  岡山大学教授;理学部附属界面科学研究施設

• 岩見 基弘

  岡山大学理学部

• 田中 真悟

  産総研ユビキタスエネルギー

• 香山 正憲

  産総研ユビキタスエネルギー

• C Park

  全北大

• 中西 繁光

  阪府大総合科

• 滝沢 優

  東大理

• 五十棲 泰人

  京大RIセ

• 下村 浩一郎

  Rcnp

• 滝沢 優

  立命館大総研

• 小川 浩二

  佐賀大シンクロ

• 岡崎 一行

  阪大工

• 松原 明

  京大理

• 香山 正憲

  産総研ユビキタス

• 原見 忠彦

  立命館大理工

• 岡崎 一行

  産総研ユビキタス

• 今井 憲一

  京大

• 大澤 大輔

  京大riセ

• 大澤 大輔

  京大riセンター

• 秋田 知樹

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 高橋 義朗

  京大理:jst-crest

• 松原 明

  京大低温セ

• 池田 真也

  京大理

• 中西 繁光

  大阪府立大学

• 中西 繁光

  大阪府立大、総合科、物質

• 中西 繁光

  大阪府立大学総合科学部

• 梅澤 憲司

  大阪府立大学大学院理学系研究科物理科学専攻

• 柳下 明

  高工研放射光

• 戸崎 充男

  京大riセ

• 小川 浩二

  立命館大学理工学部

• 梶山 健二

  イオン工学研究所

• 渋谷 誠

  立命館大学理工

• 橘堂 恭昌

  立命館大学理工

• 硲 正明

  立命館大学理工

• 小北 哲也

  立命館大学理工学部物理

• 小北 哲也

  立命館大理工

• 星野 靖

  京大・工

• 星野 靖

  パリ第6-7大学

• 城戸 義明

  立命館大・理工・物理

• 竹田 修

  立命館大理工

• 岩井 秀夫

  独立行政法人物質・材料研究機構

• 五十棲 素人

  京大RIセ

• 梶山 健二

  (株)イオン工学研究所

• 水崎 隆雄

  京都大学理学部

• 水崎 隆雄

  京都大学理学部第一教室

• 加藤 隆久

  京都大学放射性同位元素総合センター 放射線安全管理室

• 宇田 純郎

  京大高等教育機構

• 池田 真也

  京大物理

• 今井 憲一

  原研東海

• 舟橋 春彦

  京大高等教育機構

• 加藤 隆久

  京大RIセ

• 松木 征史

  立命大理工

• 水崎 隆雄

  福井大遠赤セ

• 中西 玲於奈

  京大物理

• Saeed M.

  京大低温セ

• 高橋 義朗

  京大物理

• 佐藤 実

  (株)松下テクノリサーチ

• 松木 征史

  大阪大核物理セ

• 下村 浩一郎

  大阪大核物理セ

• 山下 憲一

  大阪電通大エレ研

• 井元 健氏

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• 山本 安一

  立命館大SR

• 米田 知晃

  イオン工学研

• 平村 達夫

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• 榊原 尚

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• 冨田 稔久

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• 草尾 健司

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  イオン工学センター

• 岡沢 哲晃

  独立行政法人産業技術総合研究所関西センターナノ材料科学研究グループ

• 渋谷 和樹

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  産総研関西

• 米田 知晃

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• 上塚 洋

  筑波大物質工

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  立命館大理工・物理

• 今井 憲一

  日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター

• 松本 悠志

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  産総研関西

• 中村 康之

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• Jourdan N

  NTT 基礎研

• 中村 康行

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• 小原 誠

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• 川上 大祐

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• 岩井 秀夫

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• Y Yan

  高工研放射光

• 櫛田 芳裕

  京都大学エネルギー理工学研究所

• Visikovskiy A.

  立命館大学理工

• 井元 健氏

  立命館大学

• 中村 初夫

  大阪電通大工

• 竹田 純子

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• 岩井 秀夫

  立命館大理工:アルバックファイ

• 草尾 健司

  (株)松下テクノリサーチ

• 戸崎 充男

  京都大学放射性同位元素総合センター

• 奥村 英樹

  立命館大・理工

• 光原 圭

  立命館大・理工

• Viskovskiy A.

  立命館大・理工

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著作論文

• 29p-BPS-55 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程II
• 24a-PS-38 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程
• 27pYG-5 高分解能イオン散乱と第1原理計算によるNiAl(110)表面の構造・ダイナミクスの解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 中エネルギーイオン散乱による表面分析
• 30aRD-8 酸化物・グラファイト上に担持した金ナノ粒子に対する終状態効果(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXB-6 6H-SiC(0001)3×3再構成表面の構造と初期酸化過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aRB-6 中エネルギーH、Heイオンの固体最表面での荷電変換(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 25pTE-8 NiAl(110)上に形成された極薄Al_2O_x膜の構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXJ-8 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAI(110)表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXJ-11 6H-SiC{0001}-3×3表面の構造と酸素および一酸化窒素の吸着構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXJ-2 Ni(111)の極薄Au膜成長とO_2,NOの吸着(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYC-10 6H-SiC(1120)清浄表面の酸窒化過程 : 界面の構造とキネティクス(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aYC-9 SiC(0001)-3×3表面の構造と電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-5 Ni(0.2-10ML)/6H-SiCの構造と電子状態分析(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pYE-2 極薄Ni/SiC(0001)表面における2√×2√構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pYE-1 極薄Ni/SiC(0001)表面における擬3×1構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aWB-3 極薄Ni/SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(II)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 13aTG-9 低、及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果(放射線物理, 領域 1)
• 15pXG-2 極薄 Ni と 6H-SiC(0001) の界面反応過程(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 30aRD-13 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発II(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23PXB-1 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発I(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 17pWD-2 中エネルギーイオン散乱・光電子分光によるSi(001)-2xl表面初期酸化過程の研究
• 25pRD-11 高励起^Kおよび^Rbリドベルグ原子のシュタルク特性(25pRD 量子エレクトロニクス(量エレ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aWS-4 TiO_2(110)及びAu/TiO_2(110)におけるCO酸化の反応パス(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pRH-12 中エネルギー・ネオン入射による高感度水素検出(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23pRF-4 動的カシミヤ効果検証実験 : 実験計画・装置(23pRF 量子エレクトロニクス(量子光学・量子推定・量子暗号),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 2p-G-11 CaF_2にイオン注入したTmのキャラクタリゼーション
• 6p-H-12 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"構造の超高分解能解析
• 6p-H-8 中エネルギー反跳H検出法によるSi表面水素の分析
• 6p-H-2 立命館大学放射光複合ビームライン : SORIS-II 高分解能中エネルギー散乱
• 5a-YC-4 単結晶Si中を軸及び面チャネリングするMeVHeイオンに対する阻止能
• 29p-F-9 中エネルギーイオン散乱・表面エネルギー損失分光によるSi(001)2×1-Ge相互拡散分析
• 27a-S-3 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiおよびGeの阻止能とストラグリング
• 30p-YB-6 MeV Heイオンに対する GaAs阻止能の衝突径数依存性
• 30p-YB-5 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiの阻止能とストラグリング
• 3p-B-14 MeV Heイオンに対する阻止能の衝突径数依存性
• 30p-YS-9 分子動力学法による金属表面格子振動特性の解析
• 28pYH-8 金ナノ粒子とSrTiO_3(001)及びTiO_2(110)基板界面における電荷移動(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29a-J-11 超高分解能MEISによるCu/Si(111)"5x5"の解析
• 28a-WB-7 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"の表面構造
• 15a-DJ-8 Si(111)"5×5"-Cuの表面構造解析 : 中エネルギ-イオン散乱法による
• 25p-L-5 MeV He^+ビーム使用水素定量分析における核力の効果
• 22aXB-4 TiO_2(110)及びSrTiO_3(001)上のAu超微粒子の成長過程と電子状態(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 金属酸化物基板上金ナノ粒子の成長過程と電子状態分析
• 18aXK-3 固体表面で散乱された中エネルギーHeイオンの荷電変換過程(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 23aYH-5 TiO_2(110)表面上Auナノ微粒子の電子状態(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aYH-10 Ni(111)面の初期酸化とNiO(111)/Ni(111)表面・界面の構造(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-2 NiO(001)およびTiO_2(110)表面における金ナノ微粒子の成長過程とその電子状態(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXF-7 NiO(001)単結晶上における金属微粒子の成長初期過程(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pXD-3 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算による金属結晶表面格子ダイナミクスの解析(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 22aYD-4 NiO(001) 表面構造と格子ダイナミクスの温度依存性
• 31aWD-10 中エネルギーイオン散乱による NiO(001) 表面構造解析
• 18aTF-10 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるRbI(001)表面振動相関の検証
• 18pTD-2 中エネルギーHeイオンの大角・単回衝突における荷電変換
• 22aWB-12 SR光電子分光と中エネルギーイオン散乱によるSi(001)-2×2表面の初期酸化過程
• 22aWB-7 イオン散乱法と分子動力学計算によるRbI(001)表面構造解析
• 先端追跡
• 30p-YS-8 イオン散乱によるGaAs:Er(MBE)の構造決定
• 29a-YS-6 MeV Heに対する阻止能の衝突径数依存性
• 6p-H-1 立命館大学放射光複合ビームライン : SORIS I 放射光利用光電子分光
• 21pXJ-5 NiSi_2/Si(001)の表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 14pXG-1 Ni-Silicide 反応に伴う Si の表面偏析(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 30a-ZG-4 チャネリングフラックスピーキングとチャネリング粒子の阻止能(放射線物理)
• 弾性反跳法（ERDA）による表面水素の定量
• 28aWP-3 6H-SiC(0001^^-)-2x2表面構造と初期酸化過程(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 弾性反跳法(ERDA)による表面水素の定量
• 22aYD-6 熱処理による極薄 Ni/SiC(0001) 界面の初期反応過程
• 22aYD-5 6H-SiC(0001)-√x√ 表面上における極薄 Ni 膜のエピタキシャル成長
• 29aZF-1 6H-SiC(1120) 表面の初期酸化過程
• 26pTH-5 TiO_2(110)のバンドギャップ内に現れるTi3d defect stateの起源(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30a-ZG-3 イオンチャネリングスペクトルのモンテカルロシミュレーション
• 21pEB-3 中エネルギーイオン散乱による立方晶SiC(001)再構成表面の構造解析(21pEB 放射線物理(表面・バルク),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 22aJB-8 TiO_2(110)及びAu/TiO_2(110)に対するCO酸化の反応機構(22aJB 水素ダイナミクス+表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pEA-5 中エネルギーNe^+、N^+入射・弾性反跳による表面水素の検出(24pEA 原子分子(イオン衝突),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 5p-B-8 水素終端されたSi(111)表面上でのCuの成長
• 23pYN-3 中エネルギーHeイオン散乱スペクトルに現れる異常表面ピークの解析
• 28a-XK-8 a-Si/Si(111), SiO_2/Si(001)及びGraphiteからの後方散乱表面ピークの解析
• Si(111)表面上Auの初期反応過程
• 高分解能中エネルギーイオン散乱と第一原理計算による3C-SiC(001)-3×2再構成表面の原子構造解析
• 8aSM-7 6H-SiC(1120)の表面構造と初期酸化過程(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 6pWE-1 KI(001)及びRbI(001)表面格子ダイナミクスの高分解能イオン散乱による解析(放射線物理,領域1)
• 8aSM-6 Ni(1ML)/SiC(0001)熱処理による構造変化(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 24aZA-9 単回・大角散乱におけるHe,Neイオンの荷電変換(24aZA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
• 27pYF-11 熱処理に伴うNi(IML)Si(111)構造変化過程の(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 27pYF-4 中エネルギーイオン散乱と光電子分光による6H-Sic(0001)-√×√表面初期酸化過程の研究(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

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