福山 亮 | 立命館大理工
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概要
関連著者
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福山 亮
立命館大理工
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城戸 義明
立命館大 理工
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星野 靖
立命館大理工:神奈川大理
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城戸 義明
立命館大理工
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立命館大学国際関係学部
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立命館大学理工学部物理科学科
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立命館大理工
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パリ第6-7大学
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京大工
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福山 亮
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松本 紳吾
立命館大理工
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城戸 義明
立命館大学理工学部
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星野 靖
立命館大理工
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城戸 義明
立命館大学理工
著作論文
- 26aYC-10 6H-SiC(1120)清浄表面の酸窒化過程 : 界面の構造とキネティクス(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-5 Ni(0.2-10ML)/6H-SiCの構造と電子状態分析(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-3 極薄Ni/SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(II)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWB-2 極薄Ni/6H-SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(I)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-2 極薄 Ni と 6H-SiC(0001) の界面反応過程(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 15pXG-1 6H-SiC(0001)-2×2 Si-rich 清浄表面の構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- イオン散乱・光電子分光による6H-SiC清浄表面の構造解析
- 28aWP-3 6H-SiC(0001^^-)-2x2表面構造と初期酸化過程(表面界面構造(半導体))(領域9)